ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T5238—2019

代替

GB/T5238—2009

鍺單晶和鍺單晶片

Monocrystallinegermaniumandmonocrystallinegermaniumslices

2019-06-04發布2020-05-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T5238—2019

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替鍺單晶和鍺單晶片與相比除編輯性修改外

GB/T5238—2009《》。GB/T5238—2009,

主要技術變化如下

:

修訂了標準適用范圍將外延襯底改為紅外光學部件見第章年版的第章

———,“”“”(1,20091);

規范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T1552、GB/T5254,GB/T1555、GB/T14264、

見第章年版的第章

GB/T14844、GB/T26074(2,20092);

增加了術語和定義見第章

———(3);

修訂了牌號表示方法見年版的

———(4.1,20093.2);

增加了非摻雜鍺單晶的要求見第章

———(4);

斷面電阻率不均勻度改為徑向電阻率變化并修訂了其要求見年版的

———,(4.2.3,20093.3.1.1);

修訂了電阻率小于鍺單晶的少數載流子壽命要求見年版的

———1.0Ω·cm(4.2.4,20093.3.1.2);

修訂了鍺單晶晶體完整性的要求見年版的

———(4.2.6.1,20093.3.1.4);

修訂了直徑鍺單晶的直徑相對允許偏差的要求見年版的

———10mm~100mm(4.2.7,20093.3.2.1);

增加了直徑大于鍺單晶的要求見

———100mm(4.2.7);

刪除了長度的要求見年版的

———(20093.3.2.1);

增加了鍺單晶表面質量的要求見

———(4.2.8);

修訂了鍺單晶片幾何參數的要求見年版的

———(4.3.2,20093.3.2.2);

修訂了鍺單晶片表面質量的要求見年版的

———(4.3.3,20093.3.3);

修訂了組批檢驗項目取樣及檢驗結果的判定見第章年版的第章

———、、(6,20095)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位中鍺科技有限公司云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司廣東先導稀材股份有限公

:、、

司有色金屬技術經濟研究院北京合能陽光新能源技術有限公司

、、。

本標準主要起草人柯尊斌劉新軍惠峰朱劉尹士平楊素心肖宗鏞

:、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T5238—1985、GB/T5238—1995、GB/T5238—2009;

———GB/T15713—1995。

Ⅰ

GB/T5238—2019

鍺單晶和鍺單晶片

1范圍

本標準規定了鍺單晶和鍺單晶片的要求試驗方法檢驗規則標志包裝運輸貯存質量證明書

、、、、、、、

及訂貨單或合同內容

()。

本標準適用于制備半導體器件激光器組件紅外光學部件用的鍺單晶和鍺單晶片

、、。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

GB/T1553

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法

GB/T5252

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

鍺單晶電阻率直流四探針測量方法

GB/T26074

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41牌號

.

鍺單晶和鍺單晶片的牌號表示應符合的規定

GB/T14844。