ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標準

GB/T35309—2017

用區(qū)熔法和光譜分析法評價

顆粒狀多晶硅的規(guī)程

Practiceforevaluationofgranularpolysiliconby

melter-zonerandspectroscopies

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35309—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草的

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材

:、、

料技術(shù)有限公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司洛陽中硅高科技有限公司

、、。

本標準主要起草人王桃霞劉曉霞耿全榮魯文鋒柳德發(fā)胡偉邱艷梅銀波由佰玲秦榕

:、、、、、、、、、、

嚴大洲

。

Ⅰ

GB/T35309—2017

用區(qū)熔法和光譜分析法評價

顆粒狀多晶硅的規(guī)程

1范圍

本標準規(guī)定了用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的代位碳原子濃度施主雜質(zhì)濃度和受主

、

雜質(zhì)濃度的方法

。

本標準適用于尺寸為的顆粒狀多晶硅其他尺寸的顆粒狀多晶硅可參照本標

600μm~3000μm,

準執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

化學(xué)試劑氫氟酸

GB/T620

化學(xué)試劑鹽酸

GB/T622

化學(xué)試劑硝酸

GB/T626

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

GB/T4059

氬

GB/T4842

固體化工產(chǎn)品采樣通則

GB/T6679

電子級水

GB/T11446.1

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.11:

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

將顆粒硅裝入高純石英管內(nèi)在石英管的下方通入高純氬氣顆粒硅在氬氣作用下處于流態(tài)化調(diào)

,,,

節(jié)線圈位置和功率使顆粒硅逐漸地粘附在熔化的硅棒或籽晶上制備成多晶硅棒采用

,(),。GB/T4059,

氬氣氛圍中在單晶籽晶的作用下利用區(qū)域熔解將多晶硅棒熔煉生長成為單晶棒采用

,,。GB/T1558

和中規(guī)定的方法測定代位碳和施主雜質(zhì)濃度受主雜質(zhì)濃度

GB/T24581