ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

Granularpolysiliconproducedbyfluidizedbedmethod

2017-12-29發布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

流化床法顆粒硅

GB/T35307—2017

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

201712

*

書號

:155066·1-58578

版權專有侵權必究

GB/T35307—2017

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江蘇中能硅業科技發展有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業青海有限

:、、()

公司有色金屬技術經濟研究院有研半導體材料有限公司天津市環歐半導體材料技術有限公司陜西

、、、、

天宏硅材料有限責任公司青海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分公司

、。

本標準主要起草人劉曉霞蔣立民付治棟魯文鋒賀東江李明峰李咸江銀波宗冰程鳳伶

:、、、、、、、、、、

夏進京張雪囡尹敏秦榕

、、、。

Ⅰ

GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

1范圍

本標準規定了流化床法生產的顆粒硅的術語和定義要求試驗方法檢驗規則以及標志包裝運

、、、、、

輸貯存質量證明書和訂貨單或合同內容

、、()。

本標準適用于以硅烷氣為原料采用流化床法生產的顆粒狀多晶硅產品

,。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

光伏電池用硅材料中金屬雜質含量的電感耦合等離子體質譜測量方法

GB/T31854

用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規程

GB/T35309

粒度分析圖像分析法第部分動態圖像分析方法

ISO13322.2-2:(Particalsizeanalysis-Image

analysismethods—Part2:Dynamicimageanalysismethods)

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41牌號

.

顆粒硅的牌號表示按的規定可表示為

GB/T14844,:

-PSi-G--

表示用途表示電子級表示太陽能級

,E,S

顆粒硅等級特級用表示其他用阿拉伯數字表示

,“T”,

表示顆粒狀

表示多晶硅

表示生產方法表示硅烷法