ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T35009—2018

串行NAND型快閃存儲器接口規范

SpecificationforserialNANDflashinterface

2018-03-15發布2018-08-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35009—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

物理接口

4…………………1

引出端功能定義

4.1……………………1

數據接口類型

4.2………………………2

存儲陣列架構

5……………3

存儲架構

5.1……………3

狀態寄存器

5.2…………………………4

器件保護功能

5.3………………………5

器件自毀功能

5.4………………………6

指令定義

6…………………7

指令集說明

6.1…………………………7

指令集描述

6.2…………………………8

指令格式模式

6.3………………………19

參數表說明

7………………20

參數表頭定義

7.1………………………20

參數列表定義

7.2………………………20

附錄資料性附錄塊保護方式

A()(BP)………………25

Ⅰ

GB/T35009—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位北京兆易創新科技股份有限公司工業和信息化部電子工業標準化研究院深圳

:、、

市中興微電子技術有限公司中國航天科技集團公司第九研究院第七七二研究所清華大學微電子學研

、、

究所安凱廣州微電子技術有限公司

、()。

本標準主要起草人蘇志強劉超劉會娟高碩羅曉羽武鵬林建京吳華強鄒天翔

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T35009—2018

串行NAND型快閃存儲器接口規范

1范圍

本標準規定了串行與非型快閃存儲器以下稱為器件的物理接口存儲陣列架構指令定

(NAND)()、、

義和參數表說明等

。

本標準適用于串行型快閃存儲器的設計和使用

NAND。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體器件集成電路第部分數字集成電路

GB/T17574—19982:

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T17574—1998。

31

.

狀態寄存器statusregister

存儲器內部標志內部狀態的寄存器

。

32

.

一次性可編程one-timeprogrammableOTP

;

存儲器內只可編程一次的存儲區域該區域一次編程后不可再次修改

,。

33

.

糾錯碼errorcorrectioncodeECC

;

一種可提高快閃存儲器可靠性的糾錯方法

。

4物理接口

41引出端功能定義

.

器件引出端功能定義見表

1。

表1引出端功能定義

引出端輸入輸出