標準解讀
《GB/T 35007-2018 半導體集成電路 低電壓差分信號電路測試方法》是一項國家標準,該標準詳細規定了半導體集成電路中低電壓差分信號(LVDS)電路的測試方法。它適用于各種類型的LVDS接口芯片,包括但不限于通信、計算機以及消費電子設備中的應用。
標準內容涵蓋了LVDS電路的基本參數定義、測試條件設定、具體測試項目及流程、測試結果分析與報告編制等方面。其中,基本參數包括但不限于共模電壓范圍、差分電壓擺幅等;測試條件則涉及電源電壓水平、溫度環境等因素的選擇;測試項目通常包含靜態特性測試(如輸入輸出電壓電平)、動態特性測試(如傳輸延遲時間、抖動性能)等關鍵指標;而測試流程方面,則提供了從準備階段到最終數據記錄的一整套操作指南。
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....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2018-03-15 頒布
- 2018-08-01 實施





文檔簡介
ICS31200
L56.
中華人民共和國國家標準
GB/T35007—2018
半導體集成電路
低電壓差分信號電路測試方法
Semiconductorintegratedcircuits—
Measuringmethodoflowvoltagedifferentialsignalingcircuitry
2018-03-15發布2018-08-01實施
中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布
中國國家標準化管理委員會
GB/T35007—2018
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
總則
4………………………2
測試環境要求
4.1………………………2
測試注意事項
4.2………………………2
靜態參數測試
5……………2
單端數字接口參數
5.1…………………2
輸入高電平閾值電壓V
5.2(TH)…………2
輸入低電平閾值電壓V
5.3(TL)…………3
輸入電流I
5.4(IN)………………………4
電源關斷輸入漏電流I
5.5(IN-OFF)……………………5
輸出高電壓V
5.6LVDS(OHL)…………6
輸出低電壓V
5.7LVDS(OLL)…………7
共模輸出電壓V
5.8(OS)…………………8
互補態共模輸出電壓變化V
5.9(ΔOS)…………………8
差分輸出電壓V
5.10(OD)………………9
互補態差分輸出電壓變化V
5.11(ΔOD)………………9
輸出短路電流I
5.12LVDS(OSL)………………………10
電源關斷輸出漏電流I
5.13(O-OFF)…………………11
輸出高阻態電流I
5.14LVDS(OZL)……………………12
內置差分輸入電阻R
5.15(IT)…………13
內置差分輸出電阻R
5.16(OT)………………………13
靜態電源電流I
5.17(DD)………………14
關斷電源電流I
5.18(DDZ)……………15
動態參數測試
6……………16
輸入電容C和輸出電容C
6.1(I)(O)…………………16
動態電源電流I
6.2(DDA)………………18
最高工作頻率f
6.3(MAX)………………18
最低工作頻率f
6.4(MIN)………………19
最大數據率DR
6.5(MAX)………………20
輸出由低電平到高電平傳輸延遲時間t
6.6(PLH)……………………20
輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間t
6.7(PHL)……………………22
輸出由高阻態到高電平傳輸延遲時間t
6.8(PZH)……………………22
輸出由高阻態到低電平傳輸延遲時間t
6.9(PZL)……………………24
輸出由高電平到高阻態傳輸延遲時間t
6.10(PHZ)……………………24
Ⅰ
GB/T35007—2018
輸出由低電平到高阻態傳輸延遲時間t
6.11(PLZ)……………………25
輸出由低電平到高電平轉換時間t
6.12(TLH)………25
輸出由高電平到低電平轉換時間t
6.13(THL)………27
脈沖時滯t
6.14(SKP)……………………27
通道間時滯t
6.15(SKO)…………………28
眼圖高度e
6.16(H)……………………28
眼圖寬度e
6.17(W)……………………29
確定性抖動Dj
6.18()…………………30
隨機抖動Rj
6.19()……………………30
總抖動J
6.20(t)………………………31
附錄資料性附錄眼圖測試對儀器的要求
A()…………32
Ⅱ
GB/T35007—2018
前言
本標準按照給出的規定起草
GB/T1.1—2009。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任
。。
本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出
。
本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口
(SAC/TC78)。
本標準起草單位成都振芯科技股份有限公司工業和信息化部電子工業標準化研究院工業和信
:、、
息化部電子第五研究所深圳市國微電子有限公司深圳市眾志聯合電子有限公司中國電子科技集團
、、、
公司第二十九研究所
。
本標準主要起草人陳雁羅彬郭超王會影李錕蔡志剛鄔海忠鐘科
:、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T35007—2018
半導體集成電路
低電壓差分信號電路測試方法
1范圍
本標準規定了半導體集成電路低電壓差分信號電路以
(LVDS,lowvoltagedifferentialsignaling)(
下稱為器件靜態參數動態參數測試方法的基本原理
“”)、。
本標準適用于低電壓差分信號電路靜態參數動態參數的測試
、。
2規范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導體器件集成電路第部分數字集成電路
GB/T17574—19982:
3術語和定義
下列術語和定義適用于本文件
。
31
.
脈沖時滯pulseskew
同一通道內輸出由低電平到高電平的傳輸延遲時間與輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間的
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