標準解讀

《GB/T 34831-2017 納米技術 貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像 高角環形暗場法》是一項國家標準,旨在規范使用高角環形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)對貴金屬納米顆粒進行成像的方法。該標準適用于科學研究和技術開發中對于貴金屬納米材料尺寸、形態及分布特性的表征。

標準首先定義了相關術語和定義,明確了“貴金屬納米顆粒”、“高角環形暗場掃描透射電子顯微鏡”等關鍵概念的含義。接著詳細描述了實驗前準備工作的必要步驟,包括樣品制備方法的選擇與要求,確保能夠獲得清晰且具有代表性的圖像。此外,還特別強調了儀器校準的重要性,并提供了具體的操作指南以保證測量結果的準確性與可重復性。

在操作過程中,《GB/T 34831-2017》給出了詳細的指導建議,涵蓋從樣本加載到數據采集整個流程的技術細節。它不僅介紹了如何設置合適的參數來優化圖像質量,而且還討論了可能影響成像效果的因素及其解決方案。例如,通過調整探測器角度或改變加速電壓等方式可以改善對比度,使得即使是在復雜基底上的小尺寸粒子也能被有效識別。

最后,本標準還涉及到了數據分析的部分,提出了基于所獲取圖像進行定量分析的原則與方法。這包括但不限于利用軟件工具對顆粒大小、形狀以及空間分布情況進行統計計算,為后續研究提供可靠的數據支持。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2017-11-01 頒布
  • 2018-05-01 實施
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GB/T 34831-2017納米技術貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像高角環形暗場法_第1頁
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GB/T 34831-2017納米技術貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像高角環形暗場法_第4頁
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文檔簡介

ICS171800137020

;

N33...

中華人民共和國國家標準

GB/T34831—2017

納米技術貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像

高角環形暗場法

Nanotechnologies—Electronmicroscopyimagingofnoblemetalnanoparticles—

Highangleannulardarkfieldimagingmethod

2017-11-01發布2018-05-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T34831—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

高角環形暗場成像原理

4…………………1

儀器和設備

5………………3

試劑

6………………………3

樣品制備

7…………………3

實驗步驟

8…………………3

實驗報告

9…………………3

附錄資料性附錄貴金屬納米顆粒高角環形暗場成像方法實例

A()…………………5

附錄資料性附錄貴金屬納米顆粒高角環形暗場成像的實驗報告

B()………………8

參考文獻

………………………9

GB/T34831—2017

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由中國科學院提出

本標準由全國納米技術標準化技術委員會歸口

(SAC/TC279)。

本標準主要起草單位國家納米科學中心北京粉體技術協會

:、。

本標準主要起草人齊笑迎常懷秋朱曉陽賀蒙高原

:、、、、。

GB/T34831—2017

引言

貴金屬納米顆粒由于具有量子效應小尺寸效應及表面效應呈現出許多特有的物理化學性質在

、,、,

催化能源光學電子和生物等領域有著廣闊的應用前景由于貴金屬納米顆粒的尺寸團聚情況顆

、、、。、、

粒均勻性等與其性能密切相關因此對其形貌特征的表征顯得尤為重要在實際應用中貴金屬納米顆

,。,

粒通常與其載體形成復合體系普通的掃描電子顯微成像透射電子衍射襯度成像和高分辨相位襯度成

,、

像等技術無法有效地區分貴金屬顆粒和其載體高角環形暗場成像是一種在掃描透射模式下利用環

。,

形探測器收集高角度散射電子成像的方法所得圖像的襯度與元素的原子序數的平方近似成正比因此

,,

可以有效地區分出復合體系中的貴金屬顆粒并且具有原子級的分辨率非常適合于貴金屬納米顆粒的

,,

成像該方法對微米級顆粒的成像同樣適用

。。

目前高角環形暗場成像方法是一種成熟的表征方法在配備了掃描線圈和高角環形暗場探測器的

,,

透射電子顯微鏡或掃描電子顯微鏡上都可以實現由于其圖像襯度與原子序數密切相關在貴金屬納

。,

米顆粒的表征方面越來越多的人開始使用這一技術來分析納米顆粒樣品該方法在貴金屬納米顆粒表

,,

征方面的有效性也逐漸得到認可在科研和生產工作中發揮了重要作用

,。

GB/T34831—2017

納米技術貴金屬納米顆粒電子顯微鏡成像

高角環形暗場法

1范圍

本標準規定了采用電子顯微鏡高角環形暗場成像技術對貴金屬納米顆粒成像的方法

本標準適用于單一貴金屬納米顆粒和復合材料中貴金屬納米顆粒的成像

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

納米材料術語

GB/T19619

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T19619。

31

.

納米顆粒nanoparticle

三個維度的外部尺寸都在納米尺度的納米物體

注如果納米物體最長軸和最短軸的長度差別顯著大于時應用納米棒和納米片來表示納米顆粒

:(3),。

定義

[GB/T32269—2015,4.1]

32

.

貴金屬noblemetal

金銀和鉑族金屬的統稱

、。

定義

[GB/T17684—2008,2.1]

33

.

掃描透射電子顯微術scanningtransmissionelectronmicroscopySTEM

;

通過探測器同步接收會聚電子束在樣品上產生的透射電子或散射電子進行成像的一種分析技術

注一般用于場發射透射電子顯微鏡中有的場發射掃描電子顯微鏡也配有掃描透射模式也有專門的掃描透射電

:,,

子顯微鏡

34

.

高角環形暗場

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