標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 32651-2016標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法（GDMS）對太陽能級硅中痕量元素進行測量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽能級硅材料，特別是那些需要高精度分析以確定其中存在的微量雜質(zhì)元素的情況。通過這種方法，可以檢測到包括但不限于鋰、鈉、鎂、鋁等在內(nèi)的多種元素。

標(biāo)準(zhǔn)首先介紹了采用的測試方法的基本原理：輝光放電質(zhì)譜法是一種將樣品放置于高壓放電環(huán)境中，利用產(chǎn)生的離子束進入質(zhì)譜儀進行質(zhì)量分離并檢測的技術(shù)。此技術(shù)具有極高的靈敏度和精確度，特別適合用于半導(dǎo)體材料如太陽能級硅中的超痕量元素分析。

接著，文件明確了實驗所需的主要儀器設(shè)備及其性能要求，比如輝光放電質(zhì)譜儀必須具備足夠的質(zhì)量分辨率來區(qū)分不同同位素或相鄰質(zhì)量數(shù)的干擾峰；還應(yīng)配備有適當(dāng)?shù)倪M樣系統(tǒng)以保證樣品能夠被均勻地引入到放電源中而不受污染。

此外，GB/T 32651-2016也提供了詳細(xì)的樣品制備指導(dǎo)，強調(diào)了如何正確處理及準(zhǔn)備待測樣品的重要性，確保其表面清潔且無外來污染物影響最終結(jié)果準(zhǔn)確性。對于不同類型或狀態(tài)（例如塊狀、粉末）的樣品，給出了具體的處理步驟。

在分析過程中，標(biāo)準(zhǔn)指出了關(guān)鍵的操作參數(shù)設(shè)置建議，比如放電條件的選擇、掃描模式以及數(shù)據(jù)采集方式等，并且討論了可能遇到的問題及其解決辦法。同時，為了驗證所獲得數(shù)據(jù)的有效性和可靠性，還提出了質(zhì)量控制措施，包括但不限于使用已知濃度的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進行校準(zhǔn)、實施空白試驗以及重復(fù)性檢驗等手段。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2016-04-25 頒布
  • 2016-11-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法_第1頁
GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法_第2頁
GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法_第3頁

文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32651—2016

采用高質(zhì)量分辨率輝光放電

質(zhì)譜法測量太陽能級硅中

痕量元素的測試方法

Testmethodformeasuringtraceelementsinphotovoltaic-grade

siliconbyhigh-massresolutionglowdischargemassspectrometry

2016-04-25發(fā)布2016-11-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T32651—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位國家太陽能光伏產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心無錫市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心江

:()、

蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司國家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心江西賽維太陽能高科

、、LDK

技有限公司中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何莉吳建國王琴周瀅劉曉霞魯文鋒陳進封麗娟李建德黃雪雯

:、、、、、、、、、、

孫紹武馮亞彬裴會川

、、。

Ⅰ

GB/T32651—2016

采用高質(zhì)量分辨率輝光放電

質(zhì)譜法測量太陽能級硅中

痕量元素的測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測量太陽能級硅中痕量元素的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽能級硅材料中痕量元素的測定其中鐵鉻鎳銅鋅

,(Fe)、(Cr)、(Ni)、(Cu)、(Zn)、

硼磷鈣鈉鎂鋁砷鈧鈦釩錳鈷鎵

(B)、(P)、(Ca)、(Na)、(Mg)、(Al)、(As)、(Sc)、(Ti)、(V)、(Mn)、(Co)、

等元素的測定范圍為本方法適用于分析多種物理形態(tài)的以及添加任何種類

(Ga)5μg/kg~50mg/kg。

和濃度摻雜劑的硅材料例如多晶硅粉末顆粒塊錠片和單晶硅棒塊片等

,、、、、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

氬

GB/T4842

分析實驗室用水規(guī)格和試驗方法

GB/T6682—2008

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

高質(zhì)量分辨率highmassresolution

大于的質(zhì)量分辨率

3500。

32

.

光伏硅原料或太陽能級硅PVSifeedstockorsolargradesilicon

特性滿足生產(chǎn)晶體硅太陽能電池要求的硅固體材料

。

33

.

標(biāo)準(zhǔn)樣品referencematerial

具有一種或多種足夠均勻且穩(wěn)定規(guī)定特性的材料已被確定其符合測量過程的預(yù)期用途

,。

34

.

試樣specimen

從標(biāo)準(zhǔn)樣品或測試樣品上切割下來的

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