ICS7106099

G12..

中華人民共和國國家標準

GB/T29856—2013

半導體性單壁碳納米管的近紅外

光致發光光譜表征方法

Characterizationofsemiconductingsingle-walledcarbonnanotubes

usingnearinfraredphotoluminescencespectroscopy

2013-11-12發布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29856—2013

目次

前言…………………………

Ⅲ

引言…………………………

Ⅳ

范圍………………………

11

規范性引用文件…………………………

21

術語和定義………………

31

原理………………………

41

單壁碳納米管的結構………………

4.11

能帶結構和光致發光峰……………

4.22

儀器………………………

53

近紅外光致發光光譜儀……………

5.13

光源…………………

5.23

制樣方法…………………

63

測量方法…………………

73

實驗數據處理及結果分析………………

84

樣品中半導體性單壁碳納米管手性指數的指認…………………

8.14

樣品中半導體性單壁碳納米管的相對質量濃度…………………

8.24

不確定度影響因素分析…………………

94

測試報告…………………

105

附錄資料性附錄半導體性單壁碳納米管的近紅外光致發光光譜分析…………

A()6

參考文獻……………………

12

Ⅰ

GB/T29856—2013

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本標準的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中國科學院提出

。

本標準由全國納米技術標準化技術委員會歸口

(SAC/TC279)。

本標準起草單位國家納米科學中心

:。

本標準主要起草人江潮王志芳艾楠李彥王孝平高潔

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T29856—2013

引言

單壁碳納米管的帶隙熒光現象為低維材料獨特電子結

(single-walledcarbonnanotubes,SWCNT)

構的表征提供了新方法此方法能夠給出試樣中所含有的半導體性單壁碳納米管的手性指數和他們的

。

相對光致發光積分強度根據光致發光截面的信息可以估算得到樣品中不同手性的半導體性單壁碳

。,

納米管的相對質量濃度

。

Ⅳ

GB/T29856—2013

半導體性單壁碳納米管的近紅外

光致發光光譜表征方法

1范圍

本標準規定了近紅外光致發光光譜方法表征半導體性單壁碳納米管的原理的基礎上規范了使用

,

儀器制樣方法測量步驟實驗數據處理及結果分析不確定度影響因素分析和測試報告等內容

、、、、。

本標準適用于利用近紅外光致發光光譜方法表征半導體性單壁碳納米管手性指數和相對質量濃度

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

分析儀器術語

GB/T13966

納米材料術語

GB/T19619

納米技術術語和定義第部分碳納米材料

ISOTS80004-44:(Nanotechnologies—Terminol-

ogyanddefinitions—Part4:Carbonnano-objects)

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T13966、GB/T19619ISOTS80004-4。

31

.

單壁碳納米管的手性chiralityofsingle-walledcarbonnanotubes

用于描述單壁碳納米管結構的矢量符號

。

32

.

手性指數chiralindices

描述單壁碳納米管手性矢量的兩個整數

。

33

.

相對質量濃度relativemassconcentration