標準解讀

《GB/T 29195-2012 地面用晶體硅太陽電池總規范》是中國國家標準之一，旨在為地面使用的晶體硅太陽電池提供一套統一的技術要求與測試方法。該標準適用于單晶硅和多晶硅太陽電池的制造、銷售以及應用領域，確保產品性能符合特定的質量和技術指標。

標準首先定義了相關術語和定義，包括但不限于晶體硅太陽電池的基本構成部分及其工作原理等基礎概念，為后續內容的理解奠定基礎。接著，對晶體硅太陽電池的外觀質量提出了具體要求，比如表面應平整光滑無明顯缺陷；同時明確了電氣性能參數如最大功率點電壓（Vmp）、電流（Imp）及轉換效率等關鍵指標范圍，以保證產品的基本效能。

此外，《GB/T 29195-2012》還詳細規定了一系列嚴格的測試條件與方法，用于評估晶體硅太陽電池在不同環境下的穩定性和耐久性。這其中包括但不限于光照強度變化下的性能測試、溫度循環試驗、濕熱試驗等，通過模擬實際使用中可能遇到的各種極端情況來檢驗產品的可靠性。

對于安全方面，本標準也給予了高度重視，特別強調了防火阻燃性能的重要性，并設定了相應的測試項目。另外，還涉及到電磁兼容性方面的考量，確保晶體硅太陽電池不會對周圍電子設備產生干擾或受到外界信號的影響而降低工作效率。

最后，標準還包含了關于包裝、標志、運輸及儲存等方面的指導原則，以保障晶體硅太陽電池從生產到最終用戶手中的全過程都能得到妥善處理，避免因不當操作而導致的產品損壞或性能下降。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。

....

查看全部

  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2012-12-31 頒布
  • 2013-06-01 實施
?正版授權
GB/T 29195-2012地面用晶體硅太陽電池總規范_第1頁
GB/T 29195-2012地面用晶體硅太陽電池總規范_第2頁
GB/T 29195-2012地面用晶體硅太陽電池總規范_第3頁
免費預覽已結束，剩余13頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 29195-2012地面用晶體硅太陽電池總規范-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS27160

K83.

中華人民共和國國家標準

GB/T29195—2012

地面用晶體硅太陽電池總規范

Generalspecificationofcrystallinesiliconterrestrialsolarcells

2012-12-31發布2013-06-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29195—2012

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國太陽光伏能源系統標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC90)。

本標準起草單位無錫尚德太陽能電力有限公司

:。

本標準主要起草人李華陳如龍汪義川梁哲楊林張光春施正榮

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29195—2012

地面用晶體硅太陽電池總規范

1范圍

本標準規定了地面用晶體硅太陽電池的技術要求試驗方法檢驗規則標志包裝儲存和運輸

、、、、、。

本標準適用于地面用單晶硅太陽電池和地面用多晶硅太陽電池以下簡稱電池

()。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲運圖示標志

GB/T191(GB/T191—2008,ISO780:1997,MOD)

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20031:(AQL)

計劃

(ISO2859-1:1999,IDT)

周期檢驗計數抽樣程序及表適用于對過程穩定性的檢驗

GB/T2829()

光伏器件第部分光伏電流電壓特性的測量

GB/T6495.1—19961:-(idtIEC60904-1:1987)

光伏器件第部分地面用光伏器件的測量原理及標準光譜輻照度數據

GB/T6495.3—19963:

(idtIEC60904-3:1989)

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性耐焊性測定

GB/T17473.7—2008、

晶體硅光伏器件的實測特性的溫度和輻照度修正方法

IEC60891Ⅰ-Ⅴ(Photovoltaicdevices

ProceduresfortemperatureandirradiancecorrectionstomeasuredⅠ-Ⅴcharacteristics)

膠帶試驗測定粘合性的方法

ASTMD3359(Standardtestmethodsformeasuringadhesionby

tapetest)

太陽電池用硅片規范

SEMIPV22(Specificationforsiliconwafersforuseinphotovoltaicsolar

cells)

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

鈍形缺口obtusenick

缺口形狀呈現為沿邊緣平緩過渡并不向中心深入的狀態

,。

32

.

V形缺口V-typenick

缺口形狀呈現為向中心尖銳深入的形狀類似字母

,“V”。

33

.

基體材料s

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用，未經授權，嚴禁復制、發行、匯編、翻譯或網絡傳播等，侵權必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數字商品的特殊性，一經售出，不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質量問題。

評論

0/150

提交評論