標準解讀

GB/T 17574.11-2006 是一項中國國家標準，專注于半導體器件和集成電路領域，特別是針對數字集成電路中的單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）。此標準詳細規定了這類存儲器的空白產品（即未編程狀態）的技術要求和測試方法。下面是該標準主要內容的概述：

標準范圍

本標準適用于使用單一電源供電、集成有電可擦除功能的只讀存儲器（EEPROM）集成電路。這些器件的特點是可以多次編程與擦除數據，且在無電源供應的情況下能保持數據不丟失。標準主要針對的是空白的EEPROM產品，定義了它們的基本性能指標和檢驗規則。

技術要求

  • 電氣特性：規定了在指定的工作電壓、溫度范圍內，EEPROM應滿足的輸入輸出電壓/電流水平、數據保存時間、讀寫周期時間等電氣參數。
  • 數據保留：明確了在特定條件下（如高溫存儲或室溫下長時間放置），存儲的數據必須保持不丟失的最短時間。
  • 耐用性：規定了擦寫循環次數的最小要求，確保在達到這一次數后，存儲單元仍能保持正常讀寫功能。
  • 編程與擦除特性：詳細說明了編程和擦除操作的條件、時間和成功率要求。
  • 封裝與機械特性：包括引腳排列、封裝形式、尺寸公差以及耐熱、耐濕等物理要求。

測試方法

  • 描述了如何對EEPROM的電氣特性進行測試，包括測試環境、測試設備、測試步驟及判定準則。
  • 數據保留測試方法，通常涉及在極端條件下加速老化實驗來評估數據保存能力。
  • 耐用性驗證，通過連續擦寫循環直至達到規定的次數，監測存儲性能的變化。
  • 對于編程與擦除特性的測試，規定了驗證編程和擦除操作有效性的具體流程。

標識與包裝

  • 規定了產品標識信息的內容和格式，確保用戶可以獲取到關鍵的制造信息和產品規格。
  • 包裝要求確保產品在運輸和儲存過程中的安全，防止靜電損害和其他物理損傷。

符合性評估

說明了產品需通過的檢驗程序和合格判定準則，確保所有出廠的EEPROM都符合本標準規定的要求。

此標準為制造商、采購商及質量監管部門提供了統一的評判基準，保障了電可擦可編程只讀存儲器產品的互換性和可靠性。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2006-12-05 頒布
  • 2007-05-01 實施
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文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T17574.11-2006/IEC60748-2-11:1999QC790108半導體器件集成電路第2-11部分;數字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器空白詳細規范Semiconductordevices--IntegratedcircuitsPart2-11:DigitalintegratedcircuitsBlankdetailspecificationforsinglesupplyintegratedcircuitelectricallyerasableandprogrammableread-onlymemory（IEC60748-2-11:1999.IDT)2006-12-05發布2007-05-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國國家標準半導體器件集成電路第2-11部分：數字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器空白詳細規范GB/T17574.11-2006/IEC60748-2-11:1999中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：01051299090.685220062007年3月第一版書號：155066·1-28947版權專有侵權必究舉報電話：(010)68522006

GB/T17574.11-2006/IEC60748-2-11:1999系列國家標準《半導體器件：集成電路》中的數字集成電路部分分為如下幾部分GB/T17574—1998《半導體器件集成電路：第2部分：數字集成電路》（idtIEC60748-2:1985）GB/T5965—2000《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第一篇雙極型單片數字集成電路門電路(不包括自由邏輯陣列)空白詳細規范》idtIEC60748-2-1:1991)GB/T17023—1997《半導體器件集成電路第2部分:數字集成電路第二篇HCMOS數字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族規范》idtIEC60748-2-2：1992）GB/T17024—1997《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第三篇HCMOS數字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列空白詳細規范》（idtIEC60748-2-3:1992）GB/T17572—1998《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第四篇CMOS數字集成電路4000B和4000UB系列族規范》idtIEC60748-2-4:1992)GB/T9424—1998《半導體器件集成電路第2部分：數字集成電路第五篇CCMOS數字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細規范》idtIEC60748-2-5:1992)-GB/T7509—1987《半導體集成電路微處理器空白詳細規范》（可供認證用）GB/T14119—1993《半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規范》（可供認證用）GB/T6648-1986《半導體集成電路靜態讀/寫存儲器空白詳細規范》（可供認證用)GB/T17574.9—2006《半導體器件集成電路第2-9部分：數字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范》IEC60748-2-9:1994.IDT)GB/T17574.10—2003《半導體器件集成電路第2-10部分：數字集成電路集成電路動態讀/寫存儲器集成電路空白詳細規范》IEC60748-2-10:1994.IDT)GB/T17574.11—2006《半導體器件集成電路第2-11部分：數字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器空白詳細規范》(IEC60748-2-11:1999,IDT）（B/T17574.12《半導體器件集成電路第2-12部分：數字集成電路可編程器件(PLDs)空白詳細規范》(IEC60748-2-12）（待轉化）GB/T17574.20—2006《半導體器件集成電路第第2-20部分：數字集成電路低壓集成電路族規范》IEC60748-2-20:2000.IDT)本規范等同采用IEC60748-2-11:1999（QC790108)《半導體器件集成電路第2-11部分：數字集成電路單電源電可擦可編程只讀存儲器空白詳細規范》英文版。本規范按照GB/T1.1的要求編制國家標準,只對IEC原文作編輯性修改：刪除IEC原文中的本規范由中華人民共和國信息產業部提出。本規范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口，本規范起草單位：中國電子科技集團公司第四十七研究所本規范主要起草人：施華莎

GB/T17574.11-2006/IEC60748-2-11:1999半導體器件集成電路第2-11部分：數字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器空白詳細規范引IEC電子元器件質量評定體系遵循IEC的章程，并在IEC的授權下進行工作。該體系的目的是確定質量評定程序,以這種方式使一個參加國按有關規范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一.并且與下列標準一起使用。IEC60747-10/QC700000:19911半導體器件分立器件和集成電路第10部分：分立器件和集成電路總規范半導體器件集成電路IEC60748-11/QC790100:1990：第11部分：半導體集成電路分規范(不包括混合電路）IEC60749:1984.修改單1(1991).修改單2(1993)要求的資料本頁和后面括號內的數字與下列各項要求的資料相對應,這些資料應填入本規范相應的欄中詳細規范的識別「17授權發布詳細規范的國家標準機構名稱L2詳細規范的1ECQ編號。L3總規范和分規范的編號及版本號。【4詳細規范的國家編號、發布日期及國家標準體系要求的其他資料器件的識別【57主要功能和型號。【67典型結構(材料、主要工藝)和封裝資料器件若具有若干種派生產品.則應指出其特性差異詳細規范應給出包括以下內容的簡短描述：-工藝(NM

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