ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T16525—2015

代替

GB/T16525—1996

半導(dǎo)體集成電路

塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范

Semiconductorintegratedcircuits—

Specificationofleadframesforplasticleadedchipcarrierpackage

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T16525—2015

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

技術(shù)要求

4…………………1

引線框架尺寸

4.1………………………1

引線框架形狀和位置公差

4.2…………1

引線框架外觀

4.3………………………3

引線框架鍍層

4.4………………………3

引線框架外引線強(qiáng)度

4.5………………3

銅剝離試驗(yàn)

4.6…………………………4

銀剝離試驗(yàn)

4.7…………………………4

檢驗(yàn)規(guī)則

5…………………4

檢驗(yàn)批的構(gòu)成

5.1………………………4

鑒定批準(zhǔn)程序

5.2………………………4

質(zhì)量一致性檢驗(yàn)

5.3……………………4

訂貨資料

6…………………7

標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存

7、、、……………………7

標(biāo)志包裝

7.1、……………7

運(yùn)輸貯存

7.2、……………7

附錄規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測(cè)量

A()………………8

Ⅰ

GB/T16525—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范

GB/T16525—1996《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T16525—1996:

按照標(biāo)準(zhǔn)的使用范圍將原標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體封

———,“

裝引線框架規(guī)范

”;

關(guān)于規(guī)范性引用文件增加引導(dǎo)語(yǔ)抽樣標(biāo)準(zhǔn)由代替增

———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;

加引用文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

標(biāo)準(zhǔn)中的由設(shè)計(jì)改為引線框架尺寸并將精壓深度絕緣間隙和水平引線間距和

———4.1“”“”,“”“”“

位置引線端部的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到

()”4.2;

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的引線框架形狀和位置公差中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整并增加了芯片粘接

———“4.2”,“

區(qū)下陷的有關(guān)要求

”;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)側(cè)彎的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了標(biāo)稱條長(zhǎng)上側(cè)

———“”(4.2.1):(203.2±50.8)mm,

彎應(yīng)不大于本標(biāo)準(zhǔn)在整個(gè)標(biāo)稱長(zhǎng)度上進(jìn)行規(guī)定

0.051mm,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)卷曲的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于本標(biāo)準(zhǔn)

———“”(4.2.2):0.51mm,

根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)條帶扭曲的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲不超過(guò)

———“”(4.2.4):0.51mm,

本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定

,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)引線扭曲的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上

———“”(4.2.5):

的最大偏移量本標(biāo)準(zhǔn)刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定

,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)精壓深度的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)未考慮精壓深度對(duì)精壓寬度的影響簡(jiǎn)

———“”(4.2.6):,

單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍本標(biāo)準(zhǔn)修改為在保證精壓寬度不小于引線寬度的條

。:90%

件下精壓深度不大于材料厚度的其參考值為

,30%,0.015mm~0.06mm;

將金屬間隙修改為絕緣間隙見(jiàn)并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)絕緣間隙的要求原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)

———“”“”(4.2.7),“”:

定每邊最大精壓凸出不超過(guò)應(yīng)受金屬間隙要求的限制本標(biāo)準(zhǔn)修改為相鄰兩精

“0.051mm,”,“

壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于

0.076mm”;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)芯片粘接區(qū)斜度的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條

———“”(4.2.9):

件下的最大斜度本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長(zhǎng)或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜

,2.54mm0.05mm;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)芯片粘接區(qū)平面度的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)芯片粘接區(qū)平面度與

———“”(4.2.11):4.2.8.2

原標(biāo)準(zhǔn)重復(fù)本標(biāo)準(zhǔn)予以刪除本標(biāo)準(zhǔn)取消了原標(biāo)準(zhǔn)中每芯片粘接

4.2.2.2,。4.2.2.22.54mm

區(qū)長(zhǎng)度的限制

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)毛刺的要求見(jiàn)取消了原標(biāo)準(zhǔn)中連筋內(nèi)外不同區(qū)域垂直毛刺的不同

———“”(4.3.1):

要求本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為

,0.025mm;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)凹坑壓痕和劃痕的要求見(jiàn)在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)

———“、”(4.3.2):

要求

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)局部鍍銀層厚度的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度本

———“”(4.4.1):,

標(biāo)準(zhǔn)對(duì)局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)鍍層外觀的要求見(jiàn)在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加了對(duì)鍍層外觀的相關(guān)

———“”(4.4.2):,

要求

;

Ⅲ

GB/T16525—2015

增加了銅剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見(jiàn)

———“”(4.6);

增加了銀剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見(jiàn)

———“”(4.7);

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)規(guī)則中相應(yīng)條款進(jìn)行修改并增加了鑒定批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)

———“5”,

內(nèi)容

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)貯存的有關(guān)要求原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為三個(gè)月本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為個(gè)月

———“”:,6

見(jiàn)

(7.2);

增加了規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測(cè)量

———A“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位廈門永紅科技有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人林桂賢許金圍洪玉云

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T16525—1996。

Ⅳ

GB/T16525—2015

半導(dǎo)體集成電路

塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架以下簡(jiǎn)稱引線框架的

(PLCC)()

技術(shù)要求及檢驗(yàn)規(guī)則

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架的研制生產(chǎn)和采購(gòu)

(PLCC)、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)引出端及整體安

GB/T2423.60—20082: