會計學1DSB溫傳感器原理普中STM32開發板帶您進入ARM世界一.DS18B20簡介

DS18B20數字溫度傳感器接線方便，封裝后可應用于多種場合，如管道式，螺紋式，磁鐵吸附式，不銹鋼封裝式。主要根據應用場合的不同而改變其外觀。封裝后的DS18B20可用于電纜溝測溫，高爐水循環測溫，鍋爐測溫，機房測溫，農業大棚測溫，潔凈室測溫，彈藥庫測溫等各種非極限溫度場合。耐磨耐碰，體積小，使用方便，封裝形式多樣，適用于各種狹小空間設備數字測溫和控制領域。第1頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界二.DS18B20的特點1、適應電壓范圍更寬，電壓范圍：3.0～5.5V，在寄生電源方式下可由數據線供電2、獨特的單線接口方式，DS18B20在與微處理器連接時僅需要一條口線即可實現微處理器與DS18B20的雙向通訊。3、DS18B20支持多點組網功能，多個DS18B20可以并聯在唯一的三線上，實現組網多點測溫。4、DS18B20在使用中不需要任何外圍元件，全部傳感元件及轉換電路集成在形如一只三極管的集成電路內。5、溫范圍－55℃～+125℃，在-10～+85℃時精度為±0.5℃6、可編程的分辨率為9～12位，對應的可分辨溫度分別為0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃，可實現高精度測溫。7、在9位分辨率時最多在93.75ms內把溫度轉換為數字，12位分辨率時最多在750ms內把溫度值轉換為數字，速度更快。8、測量結果直接輸出數字溫度信號，以"一根總線"串行傳送給CPU，同時可傳送CRC校驗碼，具有極強的抗干擾糾錯能力。9、負壓特性：電源極性接反時，芯片不會因發熱而燒毀，但不能正常工作。第2頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界三.DS18B20實物圖第3頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界四.DS18B20的內部結構第4頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界(1)64位(激)光刻只讀存儲器光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列號。64位光刻ROM的排列是：開始8位（28H）是產品類型標號，接著的48位是該DS18B20自身的序列號，最后8位是前面56位的循環冗余校驗碼。光刻ROM的作用是使每一個DS18B20都各不相同，這樣就可以實現一根總線上掛接多個DS18B20的目的。第5頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界(2)DS18B20溫度轉換規則DS18B20的核心功能是它可以直接讀出數字的溫度數值。溫度傳感器的精度為用戶可編程的9，10，11或12位，分別以0.5℃，0.25℃，0.125℃和0.0625℃增量遞增。在上電狀態下默認的精度為12位。

DS18B20啟動后保持低功耗等待狀態,當需要執行溫度測量和AD轉換時，總線控制器必須發出[44h]命令。轉換完以后，產生的溫度數據以兩個字節的形式被存儲到高速暫存器的溫度寄存器中，DS18B20繼續保持等待狀態。第6頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界這是12位轉化后得到的12位數據，存儲在DS18B20的兩個8位的RAM中，高字節的前5位是符號位，如果測得的溫度大于0，這5位為‘0’，只要將測到的數值乘以0.0625即可得到實際溫度；如果溫度小于0，這5位為‘1’，測到的數值需要取反加1再乘以0.0625即可得到實際溫度。第7頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界第8頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界(3)DS18B20溫度傳感器的存儲器DS18B20溫度傳感器的內部存儲器包括一個高度的暫存器RAM和一個非易失性的可電擦除的EEPROM,后者存放高溫度和低溫度觸發器TH、TL和結構寄存器。(4)配置寄存器存儲器的第4位為配置寄存器，其組織見圖8，用戶可按表3所示設置R0和R1位來設定DS18B20的精度。上電默認設置：R0=1、R1=1(12位精度)。注意：精度和轉換時間之間有直接的關系。暫存器的位7和位0-4被器件保留，禁止寫入。第9頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界第10頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界五.DS18B20的ROM指令表第11頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界六.DS18B20的RAM指令表第12頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界七.DS18B20初始化(1).數據線拉到低電平“0”。(2).延時480微妙（該時間的時間范圍可以從480到960微妙）。(3).數據線拉到高電平“1”。(4).延時等待80微妙。如果初始化成功則在15到60微妙時間內產生一個由DS18B20所返回的低電平“0”.根據該狀態可以來確定它的存在，但是應注意不能無限的進行等待，不然會使程序進入死循環，所以要進行超時判斷。(5).若CPU讀到了數據線上的低電平“0”后，還要做延時，其延時的時間從發出的高電平算起（第（3）步的時間算起）最少要480微妙。第13頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界八.DS18B20讀時序(1).將數據線拉低“0”。(2).延時4微妙。(3).將數據線拉高“1”,釋放總線準備讀數據。(4).延時10微妙。(5).讀數據線的狀態得到1個狀態位，并進行數據處理。(6).延時45微妙。(7).重復1～7步驟，直到讀完一個字節。第14頁/共16頁普中STM32開發板帶您進入ARM世界九.DS18B20寫時序(1).數據線先置低電平“0”