1、技術創新評價表項目名稱單片后道新設備工藝參數固化項目名稱單片后道新設備工藝參數固化項目等級承接單位一中心 完成日期11.24一、HighMax SHM-200 貼膜機工藝使用UV膜進行貼膜，由于使用6工作臺，在對4英寸晶圓貼膜時。 UV膜粘附在工作臺上，造成貼膜完成后取件困難，甚至由于UV膜粘連在 工作臺上使得在取件時晶圓破裂。故需要在工作臺上覆蓋UV離型膜，防止 UV膜粘附在工作臺面。二、DAD322切割機砷化鎵切割工藝使用4英寸砷化鎵晶圓對切割機進行試運行。劃片道寬度160um，晶圓 厚度100um, UV膜厚度100um。主軸轉速3OOOO r/min,刀片高度75um, 進刀速度2mm

2、/s，試驗結果如下：技術創新總結刀片型號技術創新總結刀片型號ZH05-SD3000-N1-50 BBY方向邊緣寬度Y方向芯片尺寸X方向芯片邊緣寬度X方向芯片尺寸X方向最大劃 痕+崩邊寬度Y方向最大劃 痕+崩邊寬度60922609205842599216492157425092360923664243922609247342529215692160457292160920543860919629226038589205492066486091960919553860919599205337最大值72923649247348平均值57.4920.759.592160.241.2最小值4391954

3、9195337誤差范圍2941052011芯片正面:芯片背面:技術創新總結芯片側邊:使用此種刀片，刀痕寬度為41um左右，但崩邊較嚴重，長行程運行后發 現有數處裂紋，但芯片尺寸誤差范圍在5um內，即芯片尺寸符合要求。X方 向與Y方向崩邊情況不同為晶圓本身晶向所至，故X方向崩邊會大于Y方 向崩邊。刀片型號NBC-ZH 226J-SE 27HABBY方向邊緣寬度Y方向芯片尺寸X方向芯片邊緣寬度X方向芯片尺寸X方向最大劃痕+崩邊寬度Y方向最大劃 痕+崩邊寬度599216692336325892265924403154921659234331569226492440316092168924393259

4、92066924383357921659244133559226492439345892165924403458921659254331最大值60922689254334平均值57.4921.265.3923.939.932.2最小值54920649233631誤差范圍624273芯片正面:技術創新總結技術創新總結芯片背面:芯片側邊:技術創新總結使用此種刀片，刀痕寬度為32um左右，但崩邊大為改善，長行程運行 后沒有發現裂紋和背崩的情況。芯片尺寸誤差范圍在2um內，即芯片尺寸符 合要求。X方向與Y方向崩邊情況不同為晶圓本身晶向所至，故X方向崩 邊會大于Y方向崩邊。較前一種刀片崩邊減小了 70%。技術創新總結故今后采取NBC-ZH 226J-SE 27HABB刀片，主軸轉速30000 r/min,刀 片高度75um,進刀速度2mm/s，即可對砷化鎵晶圓進行切割。對于硅片，則采取100mm/s的進刀速度。石英基片，采取5mm/s的進 刀速度均可達到較好的切割效果。DCS1440晶圓清洗機評審結論我們對切割后的4英寸晶圓進行了清洗，噴水時間設定為噴淋30