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文檔簡介

1、一、填空（每空1分，共30分）固體發光材料通常由 基質 和 發光中心（激活劑）組成。2、固體發光材料的發光過程可分為四個主要物理過程，即：激發、 激活劑發光（輻射躍遷過程 無輻射躍遷以及能量轉移。3、 光譜項的一般寫法為 2S+1L光譜支項的一般寫法為 2S+1Lj 。4、 在光學躍遷過程中，電子的躍遷必須滿足動量守恒和能量 守恒的條件，用公式表示分別為（11） 和 （12）。5、在S和A共激活的發光材料中，如果存在從S到A的共振能量傳 遞，則S稱為 敏化劑，此時，S的壽命將 -，A的壽命將 + + + +。6、假設S和A的光學躍遷都是允許的電偶極躍遷，則S和A發生共 振能量傳遞的概率PSA與

2、S和A之間距離R的關系為 P泛R_6（16），且S的（17）激發光譜必須與A的（18）吸 收光譜有一定的重疊。7、 光譜項之間的允許躍遷應滿足（1）（19） as = o（ 2）L = 1 （20）（ 3）（21） aj = 0,1。8、在弱偶合情況下，多聲子發射和交叉馳豫都可以猝滅高能級的發 射，但多聲子發射與（22）基質的最高振動能級 有關，而交叉馳 豫與 發光中心的濃度有關（23）有關。9、在半導體發光材料中，大量存在激子。激子是束縛在一起的墮 子空穴對，激子復合發射的光子能量比半導體的禁帶寬度能量10、 稀土離子4f層內躍遷為 禁戒（禁戒/允許）躍遷，在發光材 料中，稀土發光中心離子應

3、處于偏離M演對稱中虹的基質格位。11、稀土發光離子4f電子受到外層5s5p電子的屏蔽，因此，4f-4f 躍遷幾乎不受晶體場環境的影響，在位形坐標中，能級表現為（28）心二，其發射躍遷光譜為 線狀（29）（寬帶、線 狀、或既有寬帶光譜，又有線狀光譜）12、激發態和基態平衡位置偏移越大，溫度猝滅越室 （容易、 難）發生二、名詞解釋（每題5分，共20分）1、激發光譜：發光材料在不同波長激發下，該材料的某一發光譜線 與普帶的強度或發光效率與激發波長的關系。2、余輝：激發停之后的發光；3、Stoks位移：激發帶最大值與發射帶的最大值之間的能量差；4、交叉馳豫：只有一部分的激發能參與能量傳遞。三、計算（2

4、0分）請計算5d3組態的原子光譜項，并按照能量從低到高的順序排列。四、簡答題（每題5分，共30分）1、用位形坐標模型解釋Stoks位移產生的原因2、為什么通常的發光材料的發光效率隨著溫度的升高而降低？3、發光效率有哪幾種表示形式，分別寫出其定義。有三種表示形式：量子效率，能量效率，流明效率量子效率：發射的光子數與吸收光子數的比值能量效率：發射光的能量與吸收光的能量之比流明效率：發射光的光通量與吸收光功率之比。4、各種發光型顯示器件是分別采用那些方式激發熒光粉發光的？PDP，CCFL:光致發光型熒光粉。LED，OLED :電致發光型熒光粉 CRT,FED,VFD:高能粒子束。X射線5、什么情況下孤立發光中心離子的光學躍遷是禁

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