1、.：.；內存條的開展在計算機誕生初期并不存在內存條的概念，最早的內存是以磁芯的方式陳列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩態電路作為一比特BIT)的存儲器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機房只能裝下不超越百k字節左右的容量。后來才出線現了焊接在主板上集成內存芯片，以內存芯片的方式為計算機的運算提供直接支持。那時的內存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K1bit、1M4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算義務來說卻曾經綽綽有余了。 內存條的誕生 內存芯片的形狀不斷沿用到286初期，鑒于它存在著無法裝配改換的弊病，這對于計算機的開展呵斥了現實的妨礙。有鑒于此，內存條便應運而生了

2、。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝和改換的問題徹底處理了。 在80286主板發布之前，內存并沒有被世人所注重，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只需64 256KB，對于當時PC所運轉的任務程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處置需求。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴展容量，內存必需以獨立的封裝方式出現，因此誕生了“內存條概念。 在80286主板剛推出的時候，內存條采用了SIMMSingle In-lineMemory Modules，單邊接

3、觸內存模組接口，容量為30pin、 256kb，必需是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM普通是四條一同運用。自1982年PC進入民用市場不斷到如今，搭配80286處置器的30pin SIMM 內存是內存領域的開山鼻祖。 隨后，在1988 1990 年當中，PC 技術迎來另一個開展頂峰，也就是386和486時代，此時CPU 曾經向16bit 開展，所以30pin SIMM 內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬曾經成為急待處理的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了，72pin SIMM支持32bit快速頁方式內存，內存帶寬得以大幅度

4、提升。72pin SIMM內存單條容量普通為512KB 2MB，而且僅要求兩條同時運用，由于其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界決然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。 EDO DRAMExtended Date Out RAM 外擴展數據方式存儲器內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO DRAM同FPM DRAMFast Page Mode RAM 快速頁面方式存儲器極其類似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU 的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快1530%。任務電壓為普通為5V，

5、帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要運用在當時的 486及早期的Pentium電腦上。 在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個為難的情況，那就是這幾年內存技術開展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，現實上EDO 內存也屬于72pin SIMM 內存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在本錢和容量上有所突破，憑仗著制造工藝的飛速開展，此時單條EDO 內存的容量曾經到達4 16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必需成對運用。 SD

6、RAM時代 自Intel Celeron系列以及AMD K6處置器以及相關的主板芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需求了，內存技術必需徹底得到個革新才干滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開場進入比較經典的SDRAM時代。 第一代SDRAM 內存為PC66 規范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的降臨，PC133規范也以一樣的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64

7、bit 數據總線寬度，因此它只需求一條內存便可任務，便利性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號堅持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內存。 不可否認的是，SDRAM 內存由早期的66MHz，開展后來的100MHz、133MHz，雖然沒能徹底處理內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻曾經成為DIY用戶永久的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz運用以獲得CPU超頻勝利，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規范的內存。 雖然SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel曾經開場著手最新的Pe

8、ntium 4方案，所以SDRAM PC133內存不能滿足日后的開展需求，此時，Intel為了到達獨占市場的目的，與Rambus結合在PC市場推行Rambus DRAM內存稱為RDRAM內存。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)實際，這個實際可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。 在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻Pentium以及Pentium 4 處置器，因此Ram

9、bus DRAM內存是被Intel看著是未來本人的競爭殺手锏，Rambus DRAM內存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可到達4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被以為是Pentium 4 的絕配。 雖然如此，Rambus RDRAM 內存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪其寶座位置，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內存因出現Intel820 芯片組“失誤事件、PC800 Rambus RDRAM因本錢過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得群眾用

10、戶擁護，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內存面前。 DDR時代 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM的意思。DDR可以說是SDRAM的晉級版本， DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會呵斥能耗添加。至于定址與控制信號那么與傳統SDRAM一樣，僅在時鐘上升緣傳輸。 DDR 內存是作為一種在性能與本錢之間折中的處理方案，其目的是迅速

11、建立起結實的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的缺乏。第一代 DDR200 規范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM133MHz時鐘2倍數據傳輸266MHz帶寬是由PC133 SDRAM內存所衍生出的，它將DDR 內存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處置器都在采用DDR266規格的內存，其后來的DDR333內存也屬于一種過度，而DDR400內存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400 內存曾經成為800FSB處置器搭配的根本規范，隨后的DDR533 規范那么成為超頻用戶的選擇對象。 DDR2時代 隨著CPU 性能不斷提高，我們對內存性能的要求

12、也逐漸晉級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開場醞釀DDR2 規范，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開場對DDR2內存的支持，所以DDR2內存將開場演義內存領域的今天。 DDR2 可以在100MHz 的發信頻率根底上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運轉于1.8V 電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能目的和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者論述的DDR2規范來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、 667MHz

13、等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝方式。最初的DDR2內存將采用0.13微米的消費工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。 內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態內存在五年內不會普及。QBM與 RDRAM內存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的現實。 PC-100的“接班人除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重 要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器，這也是目前大多數較新的芯片組支持的一種內存規范

14、，VCM內存主要根據由NEC公司開發的一種“緩存式DRAM技術制造而成，它集成了“通道緩存，由高速存放器進展配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論能否經過CPU處置的數據，都可先交于VCM進展處置，而普通的SDRAM就只能處置經CPU處置以后的數據，所以VCM要比SDRAM處置數據的速度快20以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。 3RDRAM Intel在推出：PC-100后，由于技術的開展，PC-100內存的8

15、00MBs帶寬曾經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MBs)，同樣不能滿足日后的開展需求。Intel為了到達獨占市場的目的，與Rambus 公司結合在PC市場推行Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。 Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內存規格，采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)實際，從而可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus運用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數

16、據，這樣它的實踐速度就為400MHz2800MHz，實際帶寬為 (16bit2400MHz8)1.6GBs，相當于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節，額外的一比特是屬于保管比特，能夠以后會作為：ECC(ErroIChecking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅運用了30條銅線銜接內存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內嵌式內存模塊)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內存的任務頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量一定會添加，因此第一款Rambus內存甚至需求自帶散熱風扇。 DDR3時代 DDR3相比起DDR2有更低的任務電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀晉級為8bit預讀。DDR3目前