1、磁性材料的物理效應物質的物理性質隨外界因素，例如磁場、電場、光及熱等的變化而發生變化的現象為物理效應。1. 磁光效應：透明的鐵磁性材料中的光透射、光反射時，光與自發磁化相互作用，會發生特異的光學現象，稱此為磁光效應。光屬于電磁波，為橫波，電場和磁場分別在各自的固定面上振動，稱此面為偏光面。磁光效應包括：（1）塞曼效應對發光物質施加磁場，光譜發生分裂的現象為塞曼效應。從應用的角度來看，還屬于有待開發的領域。（2）法拉第效應光和原子磁矩相互作用而產生的現象。當Y3Fe5O12一些透明物質透過直線偏光時，若同時施加與入射光平行的磁場，透射光將在其偏振面上旋轉一定的角度射出，該現象為法拉第效應。若施加

2、與入射光垂直的磁場，入射光將分裂為沿原方向的正常光束和偏離原方向的異常光束，為科頓莫頓效應。法拉第效應偏振光發生旋轉的偏振光磁場H入射光透射光入射光磁場H正常光線異常光線科頓莫頓效應。（3）克爾效應當光入射到被磁化的物質，或入射到外磁場作用下的物質表面時，其發射光的偏振面發生旋轉的現象。記錄位 非記錄位 記錄位光盤利用磁克爾效應進行光磁記錄的原理直線偏振光記錄層磁化反平行磁化 這種為非接觸式、大容量記錄介質非晶態磁光記錄介質的優點是：不存在晶界等相對于磁疇的障礙物，不產生反轉磁疇的變形等。多晶體的MnBi的克爾旋轉角大，是很有吸引力的材料，但由于多晶體再生時，造成較大的噪音，作為第一代光磁記錄

3、介質未被采用，最近又重新引起人們的興趣。為了保存大量信息，需要高密度、高速度、高效率、低價格的記錄與存儲。因此目前磁光盤正與磁記錄、相變型可重寫光盤處于激烈的競爭中。于是人們正在開發進行磁光盤用新型記錄介質的開發（例如：金屬超晶格多層膜、磁性石榴石等）2. 電流磁氣效應物質中流過電流的同時，施加磁場時所顯示出的物理現象。這種效應表現為電動勢E的變化。一般說來，該電動勢表現為下述3項之和：與磁場H無關系的項：為電阻R所產生的電動勢，符合歐姆定律（E0=RI)。霍爾電動勢項：一般情況下，與磁場強度成正比，稱為霍爾效應(與IH成正比)。磁致電阻電動勢項：與H(IH)成正比，稱為磁致電阻效應.霍爾效應

4、：在于電流垂直的方向施加磁場，則在垂直于電流軸和磁場軸所組成的平面的方向上產生電位差。這種電位差為霍爾電壓。霍爾元件（磁傳感器），InSb,GaAs半導體元件已實用化。磁致電阻效應：施加磁場使物質電阻發生變化的現象稱為磁致電阻效應。包含兩項：與磁場強度H有關（正常磁致電阻效應）和與磁化強度相關（異常磁致電阻效應），其中第二項貢獻最大。各向異性磁致電阻效應：電阻率變化與磁化方向相關。高靈敏度讀取用的MR磁頭，就是利用這種效應。利用該效應的材料有：巨磁致電阻效應材料、超巨磁致電阻效應材料。Ettinghausen效應：沿著霍爾電壓方向產生溫度梯度的現象。Nerst效應：在與電流垂直方向施加磁場，沿電流方向產生溫度梯度的現象。磁各向異性：一般情況下，在鐵磁體中存在著取決于自發磁化方向的自由能，自發磁化向著該能量取最小值的方向是最穩定的。而要向其他方向旋轉，能