1、1第十三章第十三章 電流和恒磁場電流和恒磁場一，概述一，概述1. 1. 大量電荷作定向運動形成電大量電荷作定向運動形成電流（傳導電流，運流電流）流（傳導電流，運流電流）2. 2. 恒定電流形成的條件恒定電流形成的條件 有可移動的帶電粒子或帶電體有可移動的帶電粒子或帶電體 導體內建立不隨時間變化的恒定電場導體內建立不隨時間變化的恒定電場（恒定電勢差）（恒定電勢差） 閉合回路中有一電源閉合回路中有一電源二二. . 幾個重要的物理概念和物理量幾個重要的物理概念和物理量流向：正電荷移動方向流向：正電荷移動方向（1）單位時間內通過導體中某截面的電荷）單位時間內通過導體中某截面的電荷dtdqI 大小：大小

2、：1. 1. 電流電流 ：I單位單位：安培：安培(1A=1庫侖秒庫侖秒)3mA10 A +IS設的大小為，方向為設的大小為，方向為dvdvevSddSddeqenten tvvvd正電荷運動方向的電流取正值正電荷運動方向的電流取正值由此得由此得SdIenve為電荷電量的絕對值為電荷電量的絕對值對小面元對小面元dSddSdIenv單位體積的電荷數為單位體積的電荷數為n 漂移速度漂移速度外場作用下自由電外場作用下自由電子定向運動平均速度子定向運動平均速度sSjIdSdjI該點該點正正電荷電荷運動方向運動方向j方向規定：方向規定：大小大小規定：等于在單位時間內過該點附近垂直于規定：等于在單位時間內過

3、該點附近垂直于正電荷運動方向的正電荷運動方向的單位面積單位面積的電荷的電荷由此定義得由此定義得ddIjS與與ddSdIenv比較比較djenv 大小：單位時間內通過該點附近，垂直大小：單位時間內通過該點附近，垂直于正電荷運動方向的單位面積的電荷于正電荷運動方向的單位面積的電荷方向：該點正電荷運動方向方向：該點正電荷運動方向coscossIstQstQjQsjneSjSjIcos則有則有所以通過任一截面電流所以通過任一截面電流SsdjI7 電流密度電流密度(electric current density)是描述電流分是描述電流分布的矢量。在導體中任意一點的方向與正載流子布的矢量。在導體中任意一

4、點的方向與正載流子在該點的流動方向相同，大小等于通過該點并垂在該點的流動方向相同，大小等于通過該點并垂直于電流的單位截面的電流強度。直于電流的單位截面的電流強度。 通過任一面元單位面積的電流強度等于該處通過任一面元單位面積的電流強度等于該處電流密度矢量沿該面元法向的分量。電流密度矢量沿該面元法向的分量。 電流密度的單位是電流密度的單位是A m-2 。 nSIjddcosddddSISIjSIjddcosId dSd dSd d nn8 在有電流的導體中，每一點都具有一定大小和方在有電流的導體中，每一點都具有一定大小和方向的電流密度矢量，構成了矢量場，稱為向的電流密度矢量，構成了矢量場，稱為電流

5、場電流場。 引入引入電流線電流線形象描述電流場中電流的分布，規定形象描述電流場中電流的分布，規定曲線上每點的切線方向都與該點的電流密度矢量的曲線上每點的切線方向都與該點的電流密度矢量的方向相同。方向相同。 由電流線圍成的管狀區域稱為由電流線圍成的管狀區域稱為電流管電流管。恒定條件。恒定條件下，通過同一電流管任一橫截面的電流相等。下，通過同一電流管任一橫截面的電流相等。 由電流密度的定義知通過導體中任一曲面由電流密度的定義知通過導體中任一曲面S的的電流電流I為為 與電通量定義式相比較，與電通量定義式相比較，SSjIdI 與與 j 的關系也是一個通的關系也是一個通量與其矢量場的關系。量與其矢量場的

6、關系。 SSEde0d sSj 恒恒 定定 電電 流流 tQtQSjisddddd三穩恒電流三穩恒電流(steady current)和和電流的連續性方程電流的連續性方程SSdjSI1I2I0ddtQi 若閉合曲面若閉合曲面 S 內的電內的電荷不隨時間而變化，有荷不隨時間而變化，有單位時間內通過閉合曲面向外流出的電荷，等于此時單位時間內通過閉合曲面向外流出的電荷，等于此時間內閉合曲面里電荷的減少量間內閉合曲面里電荷的減少量 021III對應圖中對應圖中100iiI 基爾霍夫第一定律基爾霍夫第一定律規定從節點流出：規定從節點流出： I 0 ， 流入節點：流入節點：I R ，在無限長的螺線管中心處

7、，在無限長的螺線管中心處2.在管端口處：在管端口處：0 , 2/ ; 2/ , 021nIB021Bl /2 l /2xnI020nIO51 從以上分析可以看出長直載流螺線管的磁場從以上分析可以看出長直載流螺線管的磁場分布情況：在螺線管中心區域為均勻磁場，在分布情況：在螺線管中心區域為均勻磁場，在管端口處，磁場等于中心處的一半，在螺線管管端口處，磁場等于中心處的一半，在螺線管外部距管軸中心約七個管半徑處，磁場就幾乎外部距管軸中心約七個管半徑處，磁場就幾乎等于零了。等于零了。B0I0IxIB20SB/ 例例1 1 如圖載流長直導線的電流為如圖載流長直導線的電流為 , ,試求通過矩試求通過矩形面積

8、的磁通量形面積的磁通量. .I 解解 先求先求 ，對變磁場，對變磁場給出給出 后積分求后積分求mdmB在矩形內任取一面積元在矩形內任取一面積元dS = ldx , ,在此面積元內在此面積元內磁感應強度可看作常量磁感應強度可看作常量. .方向垂直于紙面向里方向垂直于紙面向里1d2dlIxoBxxlxISBmd2dd021d2d0ddSmxxIlSB120ln2ddIlm1d2dlIxoB54 運動電荷的磁場運動電荷的磁場vlqnSlSjlIddd電流元：電流元：30d4drIrlB30d4drnSrvlqB單個載流子單個載流子產生的磁場產生的磁場NBBdd304rrvqlnSNdd是在是在 導線

9、中載流子數導線中載流子數lId d 電流激發磁場實際上是由大量定向運動的電荷電流激發磁場實際上是由大量定向運動的電荷所激發的。以電荷為所激發的。以電荷為q、速度為、速度為 的正電荷作研的正電荷作研究對象，在電流元中其電流密度究對象，在電流元中其電流密度 j = nqvv55 一個以速度一個以速度v作勻速直線運動的電荷作勻速直線運動的電荷q與電流元與電流元是相當的，在是相當的，在dt時間內粒子位移為時間內粒子位移為dl=vdt , 等效電等效電流元為流元為Idl=(Idt)v=qv，根據畢奧根據畢奧- 薩伐爾定律，在薩伐爾定律，在距它距它r處點處點P所激勵的磁感應強度為：所激勵的磁感應強度為：v

10、+Br運動正電荷的磁場運動正電荷的磁場v-Br運動負電荷的磁場運動負電荷的磁場rlIdBdP電流元的磁場電流元的磁場304rrvqB56 14-4 磁場的高斯定理和安培環路定理磁場的高斯定理和安培環路定理一、磁場的高斯定理一、磁場的高斯定理(Gauss theorem magnetic field) 根據畢薩定律，電流元的磁場以其為軸對稱分根據畢薩定律，電流元的磁場以其為軸對稱分布，電流元平面內磁感線是頭尾相接的閉合同心布，電流元平面內磁感線是頭尾相接的閉合同心圓。穿入或穿出閉合曲面的磁感應線的凈條數必圓。穿入或穿出閉合曲面的磁感應線的凈條數必等于零，等于零，任意閉合曲面的任意閉合曲面的 都為

11、零都為零。 由疊加原理，整個電流回路的由疊加原理，整個電流回路的磁場中任意閉合曲面的磁通量必磁場中任意閉合曲面的磁通量必定都等于零，定都等于零，磁場的高斯定理。磁場的高斯定理。SSB0d=BlId57二、安培環路定理二、安培環路定理(Amperes circulation theorem)1. 安培環路定理的表述安培環路定理的表述 恒電流磁場中，磁感應強度沿任意閉合環路的恒電流磁場中，磁感應強度沿任意閉合環路的積分等于此環路所包圍的電流代數和的積分等于此環路所包圍的電流代數和的 0倍。倍。表達式表達式iiLIlB0d 符號規定：穿過回路符號規定：穿過回路 L 的電的電流方向與流方向與 L 的環

12、繞方向服從右的環繞方向服從右手關系的，手關系的，I 為正，否則為負。為正，否則為負。 不穿過回路邊界所圍面積的電流不計在內。不穿過回路邊界所圍面積的電流不計在內。1IiI1nIknI2I58 2. 安培環路定理的證明：安培環路定理的證明：無限長直電流的磁場無限長直電流的磁場 在圍繞單根載流導線的在圍繞單根載流導線的垂直平面內的任一回路。垂直平面內的任一回路。在圍繞單根載流導線的垂直平面內的圓回路在圍繞單根載流導線的垂直平面內的圓回路 。ILBddddBrlBIrrIlBLL00d2dILBdddBrlBIrrIlBLL00d2ddldr59I1L2L閉合路徑閉合路徑L不包圍電流不包圍電流 ，在

13、垂直平面內的任一回路，在垂直平面內的任一回路21dddLLLlBlBlB0)(20I 圍繞單根載流導線的任一回路圍繞單根載流導線的任一回路 L 對對L每個線元每個線元 以過垂直導線平面作參考分解以過垂直導線平面作參考分解為分量為分量 和垂直于該平面的分量和垂直于該平面的分量ld/dlldLLLlBlBlBddd/0dBlIlBlBLL0/dd證明步驟同上證明步驟同上60 圍繞多根載流導線的任一回路圍繞多根載流導線的任一回路 L 設設 電流過回路，電流過回路， 根電流不穿過回路根電流不穿過回路L。令。令 分別為分別為單根導線產生的磁場單根導線產生的磁場nIII,21knnnIII,21knBBB

14、,21101dIlBLnLnIlB0d0d1LnlB0dLknlBiiLIlB0d所有電流所有電流的總場的總場穿過回路穿過回路的電流的電流任意回路任意回路61 安培環路定理的存在說明安培環路定理的存在說明磁場不是保守場磁場不是保守場，不，不存在標量勢函數。存在標量勢函數。這是恒磁場不同于靜電場的一這是恒磁場不同于靜電場的一個十分重要的性質。個十分重要的性質。 安培環路定理可以用來安培環路定理可以用來處理電流分布具有一定處理電流分布具有一定對稱性的恒磁場問題，對稱性的恒磁場問題，就像用高斯定理來處理電就像用高斯定理來處理電荷分布具有一定對稱性的靜電場問題一樣。荷分布具有一定對稱性的靜電場問題一樣

15、。 623. 安培環路定理的應用安培環路定理的應用例例1：求無限長載流圓柱體磁場分布：求無限長載流圓柱體磁場分布。解：圓柱體軸對稱，以軸上一點為圓心取解：圓柱體軸對稱，以軸上一點為圓心取垂直軸的平面內半徑為垂直軸的平面內半徑為 r 的圓為安培環路的圓為安培環路rIB2 0Rr IBdIrBlBL02d 圓柱外磁場與長直電流磁場相同，而內部的磁場與圓柱外磁場與長直電流磁場相同，而內部的磁場與r成成正比；若是柱面電流則內部磁場為零。正比；若是柱面電流則內部磁場為零。Rr 202202 d RIrBRIrlBrBr dldl63例例2： 求載流無限長直螺線管內任一點的磁場。求載流無限長直螺線管內任一

16、點的磁場。由對稱性分析場結構由對稱性分析場結構B 1. 磁場只有與軸平行磁場只有與軸平行的水平分量；的水平分量； 2.因為是無限長，在因為是無限長，在與軸等距離的平行線與軸等距離的平行線上磁感應強度相等。上磁感應強度相等。解：一個單位長度上有解：一個單位長度上有 n匝的無限長直螺線管匝的無限長直螺線管由于是密繞，每匝視為由于是密繞，每匝視為圓線圈。圓線圈。64 取取 L 矩形回路矩形回路, ab 邊在邊在軸上，軸上，cd 邊與軸平行，另邊與軸平行，另兩個邊兩個邊bc、da 垂直于軸。垂直于軸。 根據安培環路定理：根據安培環路定理：dacdbcabLlBlBlBlBlBdddddnIB0其方向與

17、電流滿足右手螺旋法則。其方向與電流滿足右手螺旋法則。 無垂直于軸的磁場分量，管外部磁場趨于零，無垂直于軸的磁場分量，管外部磁場趨于零，因此管內為均勻磁場，任一點的磁感應強度為：因此管內為均勻磁場，任一點的磁感應強度為：cbadBabBB=ldBabnabI065例例3： 求載流螺繞環內的磁場。求載流螺繞環內的磁場。 根據對稱性知，在與環共軸的根據對稱性知，在與環共軸的圓周上磁感應強度的大小相等，圓周上磁感應強度的大小相等，方向沿圓周的切線方向。方向沿圓周的切線方向。磁感線磁感線是與環共軸的一系列同心圓。是與環共軸的一系列同心圓。磁場的結構與長直螺旋管類似，磁場的結構與長直螺旋管類似， 環內磁場

18、只能平行于線圈的軸線環內磁場只能平行于線圈的軸線(即每一個圓線圈過圓心的垂線即每一個圓線圈過圓心的垂線)p解：設環很細，環的平均半徑為解：設環很細，環的平均半徑為R ，總匝數為總匝數為N，通有電流強度為，通有電流強度為 I。B2R1R66設螺繞環的半徑為設螺繞環的半徑為 ，共有，共有N 匝線圈。匝線圈。以平均半徑以平均半徑 作圓為安培回路作圓為安培回路 L得：得：21,RRRINRBlBL02d21RrRnIB0其磁場方向與電流滿足右手螺旋。其磁場方向與電流滿足右手螺旋。n 為單位長度上的匝數。為單位長度上的匝數。RnNp 21Rr 0B同理可求得在螺繞管外部的磁場為零：同理可求得在螺繞管外部

19、的磁場為零：2R1RLRLB67 例：設一無限大導體薄平板垂直于紙面放置，例：設一無限大導體薄平板垂直于紙面放置，其上有方向垂直于紙面朝外的電流通過，面電流其上有方向垂直于紙面朝外的電流通過，面電流密度為密度為 j ,求無限大平板電流的磁場分布。求無限大平板電流的磁場分布。dl dl dBdBBdPo解：可視為無限多平行長解：可視為無限多平行長直電流的場直電流的場。因此因此 P 點的點的場具有對稱性。場具有對稱性。 做做 PO 垂線，取對稱的長直垂線，取對稱的長直電流元，其合磁場方向平行于電流平面。無數對電流元，其合磁場方向平行于電流平面。無數對稱元在稱元在 P點的總磁場方向平行于電流平面。點

20、的總磁場方向平行于電流平面。 電流平面無限大，故與電流平面等距離的各點電流平面無限大，故與電流平面等距離的各點B 的大小相等。在該平面兩側的磁場方向相反。的大小相等。在該平面兩側的磁場方向相反。68abcd 作一安培回路如圖：作一安培回路如圖：bc和和 da兩邊被電流平面兩邊被電流平面等分。等分。ab和和cd 與電流平與電流平面平行，則有面平行，則有jllBlBL02dl20jB 結果：在無限大均勻平面電流的兩側的磁場都結果：在無限大均勻平面電流的兩側的磁場都為均勻磁場，并且大小相等，但方向相反。為均勻磁場，并且大小相等，但方向相反。方向如圖所示。方向如圖所示。dl dl dBdBBdpo例例

21、7 7 電纜由一導體圓柱和一同軸的導體圓筒組電纜由一導體圓柱和一同軸的導體圓筒組成。電流從內圓柱流去，從外筒流回，電流均成。電流從內圓柱流去，從外筒流回，電流均勻的分布在橫截面上。設圓柱半徑勻的分布在橫截面上。設圓柱半徑a，圓筒內半，圓筒內半徑徑b，外半徑，外半徑c，求空間各點的磁感應強度，求空間各點的磁感應強度B. .aIIrbc解解: : 根據安培環路定理根據安培環路定理liIl dB0lrBl dBp2?iI22raIIpp2202aIrrBp202 aIrBp (1) ra(2)arb IIIrB02prIBp20aIIrbc II222202bcrcrIBp(3)brc(4)0III

22、0B22br p22bcIp2222bcrcIaIIrbc 實驗證明：運動電荷在實驗證明：運動電荷在磁場中受力磁場中受力 BFvF ,的方向的夾角與BvBvBvqF)( ,BvqFn洛侖茲力做功嗎？洛侖茲力做功嗎？n洛侖茲力與安培力的關系？洛侖茲力與安培力的關系？洛侖茲力洛侖茲力sinvBqF 磁場對運動電荷的作用7374757677圖圖13-29帶電粒子在磁場中的螺旋運動帶電粒子在磁場中的螺旋運動高能電子在液氫氣泡室中的蹤跡高能電子在液氫氣泡室中的蹤跡 一束發散角不大的帶電粒子束，當它們在磁場 的方向上具有大致相同的速度分量時，它們有相同的螺距。經過一個周期它們將重新會聚在另一點，這種發散粒

23、子束會聚到一點的現象與透鏡將光束聚焦現象十分相似，因此叫磁聚焦。78圖13-30 顯像管中的電子束磁聚焦1. 磁聚焦磁聚焦聚焦磁極聚焦磁極磁聚焦磁聚焦電子顯微鏡中的磁聚焦電子顯微鏡中的磁聚焦2222221RBmqmvEkBmqvR)(BRmqv 軌道半徑軌道半徑粒子引出速度粒子引出速度回旋加速器回旋加速器加速器加速器 質譜儀是分析質譜儀是分析同位素的重要儀器。同位素的重要儀器。 從離子源產生的從離子源產生的離子，經過狹縫離子，經過狹縫S1和和S2之間的電場加速，之間的電場加速，進入速度選擇器。從進入速度選擇器。從速度選擇器射出的粒速度選擇器射出的粒子進入與其速度方向子進入與其速度方向垂直的均勻

24、磁場中，垂直的均勻磁場中，最后，不同質量的離最后，不同質量的離子打在底片上不同位子打在底片上不同位置處。沖洗底片，得置處。沖洗底片，得到該元素的各種同位到該元素的各種同位素按質量排列的線系素按質量排列的線系(質譜質譜)。質譜儀質譜儀(1)速度與磁場垂直時，粒子軌道半徑為：速度與磁場垂直時，粒子軌道半徑為：qBmvR 對于同位素的對于同位素的離子，帶電量應相離子，帶電量應相同，因此，軌道半同，因此，軌道半徑僅僅由質量決定。徑僅僅由質量決定。每種同位素在底片每種同位素在底片上的位置不同，構上的位置不同，構成了質譜。如果底成了質譜。如果底片上有三條線系，片上有三條線系，則元素應有三種對則元素應有三種

25、對應的同位素。應的同位素。質譜儀質譜儀(2)離子通過速度選擇器的速度為：離子通過速度選擇器的速度為：BEv/ 只有上面速度只有上面速度的離子能通過速度的離子能通過速度選擇器。選擇器。質譜儀質譜儀(3)某元素的一種同位素，速度和軌道半徑分別為：某元素的一種同位素，速度和軌道半徑分別為：qBmvR BEv/ 譜線位置與速度譜線位置與速度選擇器的軸線間的距選擇器的軸線間的距離應為軌道直徑，即：離應為軌道直徑，即：Rd22qBmER 22qBmEdEqBm22同位素的質量為：同位素的質量為：質譜儀質譜儀88例例測定離子荷質比的儀器稱為質譜儀測定離子荷質比的儀器稱為質譜儀. 如圖所示如圖所示.離子源離子

26、源所產生的帶電量為所產生的帶電量為q的離子，經狹縫的離子，經狹縫S1和和S2之間的加速電之間的加速電場加速，進入由場加速，進入由P1，P2組成的速度選擇器組成的速度選擇器.在速度選擇器中，在速度選擇器中，電場強度為電場強度為E，磁感應強度為，磁感應強度為B. E，B方向如圖方向如圖.從從S0射出射出的離子垂直射入一磁感應強度為的離子垂直射入一磁感應強度為B的均勻磁場中的均勻磁場中.離子進入離子進入這一磁場后因受洛侖茲力而作勻速圓周運動這一磁場后因受洛侖茲力而作勻速圓周運動.不同質量的不同質量的離子打在底片的不同位置上，形成按離子質量排列的線系離子打在底片的不同位置上，形成按離子質量排列的線系.

27、若底片上線系有三條，該元素有幾種同位素？設若底片上線系有三條，該元素有幾種同位素？設d1，d2，d3是底片上是底片上1,2,3三個位置與速度選擇器軸線間的距離，該三個位置與速度選擇器軸線間的距離，該元素的三種同位素的質量元素的三種同位素的質量m1，m2，m3各為多少？各為多少？89解解如圖如圖(b)所示，在速度選擇器中，帶電量為所示，在速度選擇器中，帶電量為q的的離子受電場力離子受電場力feqE，同時受磁場力，同時受磁場力fmqvB，兩力，兩力方向相反方向相反.離子從離子從S0射出速度需滿足射出速度需滿足EqEqvBvB或902vqvBmR離子自離子自S0進入勻強磁場進入勻強磁場B后，作勻速圓

28、周運動后，作勻速圓周運動.設半設半徑為徑為R，則，則式中式中B，q，v是一定的，則質量是一定的，則質量m不同的離子對應不同的離子對應不同的圓周運動半徑不同的圓周運動半徑R，故該元素有三種同位素，故該元素有三種同位素.又因為又因為 ，代入上式得，代入上式得EvBqBBmRE91112qBBmdE將將 分別代入分別代入2dR 222qBBmdE332qBBmdE4. 霍耳（霍耳（E.C.Hall)效應效應霍耳霍耳霍耳效應霍耳效應4. 霍耳（霍耳（E.C.Hall)效應效應 在一個通有電流的導體板上，垂直于板面施加在一個通有電流的導體板上，垂直于板面施加一磁場，則平行磁場的兩面出現一個電勢差，這一一

29、磁場，則平行磁場的兩面出現一個電勢差，這一現象是現象是18791879年美國物理學家霍耳發現的，稱為霍耳年美國物理學家霍耳發現的，稱為霍耳效應。該電勢差稱為效應。該電勢差稱為霍耳電勢差霍耳電勢差 。 Udb1V2VmFveFHEBI Udb1V2VmFveFHEBI 實驗指出，在磁場不太強時，霍耳電勢差實驗指出，在磁場不太強時，霍耳電勢差 U與電與電流強度流強度I和磁感應強度和磁感應強度B成正比，與板的寬成正比，與板的寬d成反比。成反比。RH稱為霍耳系數，僅與材料有關。稱為霍耳系數，僅與材料有關。dBIRVVUH12 Udb1V2VmFveFHEBI Udb1V2VmFveFHEBI 霍耳效應

30、霍耳效應 導體中運動的載流子在磁場中受到洛侖茲導體中運動的載流子在磁場中受到洛侖茲力發生偏轉，正負載流子受到的洛侖茲力剛好力發生偏轉，正負載流子受到的洛侖茲力剛好相反，在板的上下底面積累了正負電荷，建立相反，在板的上下底面積累了正負電荷，建立了電場了電場 EH ，形成電勢差。，形成電勢差。 導體中載流子的平均定向速率為導體中載流子的平均定向速率為v，則受到，則受到洛侖茲力為洛侖茲力為qvB，上下兩板形成電勢差后，載流，上下兩板形成電勢差后，載流子還受到一個與洛侖茲力方向相反的電場力子還受到一個與洛侖茲力方向相反的電場力qEH ，二力平衡時有：二力平衡時有：bUqqEqvBHH/ BI霍耳效應霍

31、耳效應qnbdvI qvbdIv 或dBInqvBbU1nqRH1則霍耳系數 設載流子濃度為設載流子濃度為n，則電流強，則電流強度與載流子定向速率的關系為：度與載流子定向速率的關系為： BI霍耳效應霍耳效應例把一寬為2.0cm，厚1.0cm的銅片，放在B=1.5T的磁場中，磁場垂直通過銅片。如果銅片載有電流200A，求呈現在銅片上下兩側間霍耳電勢差有多大？3283323104.8064.0100.9100.6mmn 霍耳電勢差霍耳電勢差解解 每個銅原子中只有一個自由電子，故單位體積每個銅原子中只有一個自由電子，故單位體積內的自由電子數內的自由電子數n即等于單位體積內的原子數。已即等于單位體積內

32、的原子數。已知銅的相對原子質量為知銅的相對原子質量為64，1 mol銅（銅（ 0.064kg）有）有6.01023個原子（阿伏加得羅常數），銅的密度為個原子（阿伏加得羅常數），銅的密度為9.0103 kg/m3，所以銅片中自由電子的密度，所以銅片中自由電子的密度霍耳效應霍耳效應銅片中電流為銅片中電流為200A200A時，霍耳電勢差只有時，霍耳電勢差只有22V22V，可見在通常情況下銅片中的霍爾效應是很弱的。可見在通常情況下銅片中的霍爾效應是很弱的。VVVnedIBVV 22102 .2001.0106 .1104 .85 .12005192821 在半導體中，載流子濃度在半導體中，載流子濃度n

33、遠小于單位金屬中自遠小于單位金屬中自由電子的濃度，因此可得到較大的霍耳電勢差。由電子的濃度，因此可得到較大的霍耳電勢差。在這些材料中能產生電流的數量級約為在這些材料中能產生電流的數量級約為1mA，如，如果選用和例中銅片大小相同的材料，取果選用和例中銅片大小相同的材料，取I=0.1mA，n=1020 m-3 ，則可算出其霍耳電勢差約為，則可算出其霍耳電勢差約為9.4mV，用一般的毫伏表就能測量出來。用一般的毫伏表就能測量出來。霍耳效應霍耳效應銅片中電流為銅片中電流為200A200A時，霍耳電勢差只有時，霍耳電勢差只有22V22V，可見在通常情況下銅片中的霍爾效應是很弱的。可見在通常情況下銅片中的

34、霍爾效應是很弱的。VVVnedIBVV 22102 .2001.0106 .1104 .85 .12005192821 在半導體中，載流子濃度在半導體中，載流子濃度n遠小于單位金屬中自遠小于單位金屬中自由電子的濃度，因此可得到較大的霍耳電勢差。由電子的濃度，因此可得到較大的霍耳電勢差。在這些材料中能產生電流的數量級約為在這些材料中能產生電流的數量級約為1mA，如，如果選用和例中銅片大小相同的材料，取果選用和例中銅片大小相同的材料，取I=0.1mA，n=1020 m-3 ，則可算出其霍耳電勢差約為，則可算出其霍耳電勢差約為9.4mV，用一般的毫伏表就能測量出來。用一般的毫伏表就能測量出來。霍耳效

35、應霍耳效應一一.安培力安培力 （洛倫茲力）洛倫茲力） sinddlKBIF 方向滿足右手關系方向滿足右手關系.在在SI制中制中,K=1,寫為矢量式為寫為矢量式為:BlIF ddBIdl則一段導線受力為則一段導線受力為: llBlIFFdd可證明可證明:安培力的實質就是洛倫茲力安培力的實質就是洛倫茲力.一個自由電子受洛倫茲力一個自由電子受洛倫茲力f = evBsin Idl v 方向向里方向向里實驗表明實驗表明:在磁場中的電流元在磁場中的電流元Idl 受磁力受磁力dF, 大小為大小為:13.4. 磁場對運動磁場對運動 電荷的作用電荷的作用dF = nSdl f = nSdl evBsin =Id

36、lBsin =(nevS)dl Bsin BIdlIdl v =IdlBsin 寫成矢量式為寫成矢量式為BlIF dddF=IdlBsin 因此因此這正是安培力這正是安培力.此規律叫安培定律此規律叫安培定律方向滿足右手關系方向滿足右手關系.磁場對電流元磁場對電流元Idl 作用的力作用的力,在數值上等于電流元在數值上等于電流元的大小的大小,電流元所在處的磁感強度大小以及電流電流元所在處的磁感強度大小以及電流元元Idl 和磁感強度和磁感強度B 之間的夾角之間的夾角 的正弦之乘積的正弦之乘積.在體積元在體積元dV=Sdl中中,有有nSdl個電子個電子,則所受的合力為則所受的合力為BlIdFd 有限長

37、載流導線有限長載流導線所受的安培力所受的安培力BlIFFllddBlIF dd 安培定律安培定律 sinddlBIF 意義意義 磁場對電流元作用的力磁場對電流元作用的力 ，在數值上等，在數值上等于電流元于電流元 的大小的大小 、電流元所在處的磁感強度、電流元所在處的磁感強度 大小以及電流元和磁感應強度之間的夾角大小以及電流元和磁感應強度之間的夾角 的正弦的正弦之乘積之乘積 , 垂直于垂直于 和和 所組成的平面所組成的平面, 且且 與與 同向同向 .lIdBlIdBFdFdBlIdlIdBFdABCxyI00Bo根據對稱性分析根據對稱性分析jFFy2202xFjBABIF1解解sindd222F

38、FFy1F2dFrlId2dFlId 例例 1 如圖一通有電流如圖一通有電流 的閉合回路放在磁感應強的閉合回路放在磁感應強度為度為 的均勻磁場中，回路平面與磁感強度的均勻磁場中，回路平面與磁感強度 垂直垂直 .回路由直導線回路由直導線 AB 和半徑為和半徑為 的圓弧導線的圓弧導線 BCA 組成組成 ，電流為順時針方向電流為順時針方向, 求磁場作用于閉合導線的力求磁場作用于閉合導線的力.IBrBACxyrI1FlId0B2dFlIdo0Bsindd222FFFysindlBI002dsinBIrFjABBIjrBIF)cos2(02dddrl 因因jABBIF1由于由于021FFF故故xyO2I

39、1IdR 例例 半徑為半徑為 載有電流載有電流 的導體圓環與電流為的導體圓環與電流為 的的長直導線長直導線 放在同一平面內（如圖），放在同一平面內（如圖）， 直導線與圓心相直導線與圓心相距為距為 d ，且且 R d 兩者間絕緣兩者間絕緣 , 求求 作用在圓電流上的作用在圓電流上的磁場力磁場力.1I2IR解解cos210RdIBcosd2dd2102RdlIIlBIFddRl cosd2d210RdRIIFFdyFdxFdlId2.Bdcosdsin2sindd210RdRIIFFycosdcos2cosdd210RdRIIFFxxyFdyFdxFdO2I1IdlId2Rd)1 (22210Rd

40、dII20210cosdcos2RdRIIFx0cosdsin220210RdRIIFy.BiRddIIiFFx)1 (22210)1 (22210RddII20210cosdcos2RdRIIFx0cosdsin220210RdRIIFyxyFdyFdxFdO2I1IdlId2Rd.B1I2Id二二 電流的單位電流的單位 兩無限長平行載流直導線間的相互作用兩無限長平行載流直導線間的相互作用dIB2101dIB2202sindd2212lIBF dlIIlIBF2ddd11201121dIIlFlF2dddd21011221sin,90dlIIlIBF2ddd221022121B2B2dF22

41、dlI11dlI1dF 國際單位制中電流單位安培的定義國際單位制中電流單位安培的定義 在真空中兩平行長直導線相在真空中兩平行長直導線相距距 1 m ，通有大小相等、方向相通有大小相等、方向相同的電流，當兩導線每單位長度同的電流，當兩導線每單位長度上的吸引力為上的吸引力為 時，時，規定這時的電流為規定這時的電流為 1 A （安培）安培）.17mN10217mH104dIIlFlF2dddd21022111I2I1B2B2dF1dFd270AN104可得可得ne M,N O,PBBMNOPIne一一 磁場作用于載流線圈的磁力矩磁場作用于載流線圈的磁力矩如圖如圖 均勻均勻磁場中有一矩形載流線圈磁場中

42、有一矩形載流線圈MNOP12lNOlMN21FF21BIlF 43FF)sin(13 BIlF041iiFF3F4F1F1F2F2F磁場對載流線圈的作用13-15 如附圖所示，在無限長載流長直導線如附圖所示，在無限長載流長直導線I1旁，旁，垂直放置另一長為垂直放置另一長為L的載流直導線的載流直導線I2，I2導線左端距導線左端距I1為為，求導線，求導線I2所受到的安培力。所受到的安培力。解：由于電流解：由于電流I2上各點到電流上各點到電流I1距離距離相同，相同，I2各點處的各點處的B相同，相同，I2收到的安收到的安培力方向如圖所示，安培力大小為：培力方向如圖所示，安培力大小為：0 1211sin22 IFI LBBa=0 10 1 22sin222 I I I LFI Laa=I2受到受到I1的引力，同理的引力，同理I1也受到也受到I2的引力。的引力。sinBISM BPBeISMmnBeNISMn線圈有線圈有N匝時匝時12lNOlMNsinsin1211lBIllFMB1F3FMNOPIne2F4Fne M,N O,PB1F2F載流載流I I的剛性平面線圈的剛性平面線圈S S的磁矩的磁矩 載流導線在磁場中動時磁力所作的功載流導線在磁場中動時磁力所作的功 結論結論: 均