1、10 .電壓基準ADC 和DAC 模塊工作都需要一個電壓基準。C8051F系列單片機的電壓基準電路包括一個片內電壓基準源和片外電壓基準輸入電路。電壓基準電路為控制ADC 和DAC 模塊工作提供了靈活性。10. 1電壓基準（C8051F020/2）有三個電壓基準輸入引腳，允許每個ADC 和兩個DAC 使用外部電壓基準或片內電壓基準輸出。通過配置Vref 模擬開關，ADC0 還可以使用DAC0 的輸出作為內部基準，ADC1 可以使用模擬電源電壓作為基準。內部電壓基準電路由一個1.2V、15ppm/（典型值）的帶隙電壓基準發生器和一個兩倍增益的輸出緩沖放大器組成。內部基準電壓可以通過VREF 引腳連

2、到應用系統中的外部器件或電壓基準輸入引腳。建議在VREF 引腳與AGND 之間接入0.1 F 和4.7 F 的旁路電容。REF0CN: 電壓基準控制寄存器(見上頁)位7-5： 未用。讀 = 000b，寫 = 忽略。位4： AD0VRS：ADC0 電壓基準選擇位0：ADC0 電壓基準取自VREF0 引腳。1：ADC0 電壓基準取自DAC0 輸出。位3： AD1VRS：ADC1 電壓基準選擇位0：ADC1 電壓基準取自VREF1 引腳。1：ADC1 電壓基準取自AV+。REF0CN: 電壓基準控制寄存器位2： TEMPE：溫度傳感器使能位0：內部溫度傳感器關閉。1：內部溫度傳感器工作。位1： BI

3、ASE：ADC/DAC 偏壓發生器使能位（使用ADC 和DAC 時該位必須為1）0：內部偏壓發生器關閉。1：內部偏壓發生器工作。位0： REFBE：內部電壓基準緩沖器使能位0：內部電壓基準緩沖器關閉。1：內部電壓基準緩沖器工作。內部電壓基準提供從VREF 引腳輸出。REF0CN: 電壓基準控制寄存器(見下頁)REF0CN 中的BIASE 位使能片內電壓基準發生器，而REFBE 位使能驅動VREF引腳的緩沖放大器。當被禁止時，帶隙基準和緩沖放大器消耗的電流小于1A（典型值），緩沖放大器的輸出進入高阻狀態。如果要使用內部帶隙基準作為基準電壓發生器，則BIASE 和REFBE 位必須被置1。如果不使

4、用內部基準，REFBE 位可以被清0。注意：如果使用ADC 或DAC，則不管電壓基準取自片內還是片外，BIASE 位必須被置為邏輯1。如果既不使用ADC 也不使用DAC，則這兩位都應被清0以節省功耗。溫度傳感器接在ADC0 輸入多路開關的最后一個輸入端。REF0CN 中的TEMPE 位用于使能和禁止溫度傳感器。當被禁止時，溫度傳感器為缺省的高阻狀態，此時對溫度傳感器的任何A/D 測量結果都是無意義的。表10.1 電壓基準的電氣特性10. 2 電壓基準（C8051F021/3）內部電壓基準電路由一個1.2V、15ppm/（典型值）的帶隙電壓基準發生器和一個兩倍增益的輸出緩沖放大器組成。內部基準電

5、壓可以通過VREF 引腳連到應用系統中的外部器件或VREFA 輸入引腳。注意：只有一個輸入引腳。建議在VREF 引腳與AGND 之間接入0.1 F 和4.7 F 的旁路電容。VREFA 引腳只為ADC0 和ADC1 提供電壓基準輸入。通過配置VREF 模擬開關，ADC0 還可以使用DAC0 的輸出作為內部基準。ADC1 可以通過VREF 多路開關使用模擬電源電壓作為基準。REF0CN: 電壓基準控制寄存器表10.2 電壓基準的電氣特性例:DAC輸出階梯波，寫DAC0H時，更新DAC0/-/DAC0轉換程序/-/-/INCLUDES/-#include /-/C8051F020的16位SFR定義

6、/-sfr16 DAC0 = 0 xd2; /DAC0數據寄存器/-#define UP 0 x010#define T 1000void dlms (int count); /延時程序說明void config (void); /配置程序說明/-/主程序/-void main (void) int i; config(); for (i=0;i=4095;i+Up) /形成階梯波 DAC0 = i; /送數字量到DAC0直接更新輸出 dlms(T); /-/延時程序/-void dlms(int count) int j; while(count- != 0) for (j=0;j100;j

7、+); /-/配置程序/-void config (void) int n;/-/配置看門狗/- WDTCN = 0 x07; /看門狗控制寄存器 WDTCN = 0 xDE; /禁止看門狗 WDTCN = 0 xAD;/-/配置振蕩器/- OSCXCN = 0 x67; /外部晶振，11.0592M for (n=0;n255;n+); /等待外部晶振啟動 while (OSCXCN & 0 x80) = 0); /等待外部晶振穩定 OSCICN = 0 x88; /選擇外部時鐘源，允許是中丟失檢測/-/配置內部參考源/- REF0CN = 0 x 02; /內部參考源工作/-/配置

8、DAC0/- DAC0CN = 0 x80; /使能DAC0,寫DAC0H更新，數據右對齊 DAC0L = 0 x00; /DAC0數據寄存器初值 DAC0H = 0 x00;OSCXCN：外部振蕩器控制寄存器：外部振蕩器控制寄存器位位7： XTLVLD：晶體振蕩器有效標志：晶體振蕩器有效標志（只在（只在XOSCMD11x 時有效）時有效）0：晶體振蕩器未用或未穩定。：晶體振蕩器未用或未穩定。1：晶體振蕩器正在運行并且工作穩定。：晶體振蕩器正在運行并且工作穩定。位位6-4： XOSCMD2-0：外部振蕩器方式位：外部振蕩器方式位00 x：關閉。：關閉。XTAL1 引腳內部接地。引腳內部接地。0

9、10：系統時鐘為來自：系統時鐘為來自XTAL1 引腳的外部引腳的外部CMOS 時鐘。時鐘。011：系統時鐘為來自：系統時鐘為來自XTAL1 引腳的外部引腳的外部CMOS 時鐘的二分時鐘的二分頻。頻。10 x：RC/C 振蕩器方式二分頻。振蕩器方式二分頻。110：晶體振蕩器方式。：晶體振蕩器方式。111：晶體振蕩器方式二分頻。：晶體振蕩器方式二分頻。位位3： 保留。讀保留。讀 = 無定義，寫無定義，寫 = 忽略。忽略。位位2-0： XFCN2-0：外部振蕩器頻率控制位。：外部振蕩器頻率控制位。000-111：見下表：見下表OSCICN：內部振蕩器控制寄存器位位7： MSCLKE：時鐘丟失檢測器使

10、能位：時鐘丟失檢測器使能位0：禁止時鐘丟失檢測器。：禁止時鐘丟失檢測器。 1：使能時鐘丟失檢測器；：使能時鐘丟失檢測器；位位4： IFRDY：內部振蕩器頻率準備好標志：內部振蕩器頻率準備好標志0：內部振蕩器頻率不是按：內部振蕩器頻率不是按IFCN 位指定的速度運行。位指定的速度運行。1：內部振蕩器頻率按照：內部振蕩器頻率按照IFCN 位指定的速度運行。位指定的速度運行。位位3： CLKSL：系統時鐘源選擇位：系統時鐘源選擇位0：選擇內部振蕩器作為系統時鐘。：選擇內部振蕩器作為系統時鐘。 1：選擇外部振蕩器作為系統時鐘。：選擇外部振蕩器作為系統時鐘。位位2： IOSCEN：內部振蕩器使能位：內部振蕩器使能位0：內部振蕩器禁止。：內部振蕩器禁止。 1：內部振蕩器使能。：內部振蕩器使能。位位1-0： IFCN1-0：內