【圖文】第七章 金屬-半導體接觸e_第1頁
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文檔簡介

3.1 少數載流子的注入 3.2 歐姆接觸 定義：不產生明顯的附加阻抗，不會使半導體 內部載流子濃度發生顯著改變。 技術路線設計： 反阻擋層？ 隧道效應？ 半導體在重摻雜時，和金屬的接觸可以形成 接近理想的歐姆接觸。 在半導體上制作一層重摻雜區后再與金屬接觸。

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