第九章離子晶體結(jié)構(gòu)_第1頁(yè)
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1、第九章 離子晶體 結(jié)構(gòu)9001 某二元離子晶體AB具有立方硫化鋅型結(jié)構(gòu),試填寫: (1) 該離子晶體的點(diǎn)陣型式:_; (2) 正離子A2+的分?jǐn)?shù)坐標(biāo):_; (3) 負(fù)離子B2-的分?jǐn)?shù)坐標(biāo):_; (4) 晶胞中結(jié)構(gòu)基元數(shù)目:_; (5) 每個(gè)結(jié)構(gòu)基元由多少個(gè)A2+和B2-組成:_; (6) 負(fù)離子B2-的堆積方式:_; (7) 正離子所占空隙類型:_; (8) 正離子所占空隙分?jǐn)?shù):_; (9) 正離子至負(fù)離子間的靜電鍵強(qiáng)度為:_ ; (10) 和負(fù)離子直接鄰接的正離子與該負(fù)離子間的靜電鍵強(qiáng)度總和:_。 9002 已知立方ZnS的立方晶胞參數(shù)a=541pm,Zn和S的相對(duì)原子質(zhì)量分別為 65.4

2、和32.0, 試回答: (1) Zn和S原子在晶胞中的坐標(biāo)參數(shù); (2) ZnS鍵長(zhǎng); (3) ZnS的晶體密度; (4) 計(jì)算330衍射面間距d330的值; (5) 估計(jì)衍射330的衍射強(qiáng)度。 9003 已知立方ZnS(閃鋅礦)晶體晶胞參數(shù) a= 540.6?pm,求ZnS鍵長(zhǎng)。 9004 CaF2屬立方晶系,正當(dāng)晶胞中含有4個(gè)鈣原子, 其分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),(0,1/2,1/2), (1/2,0, 1/2), (1/2,1/2,0);八個(gè)氟原子,其分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1/4,1/4,1/4),(1/4,3/4,1/4),(3/4,1/4,1/4), (1/4,1/4,3/4),(3/4,3/

3、4,3/4),(3/4,3/4,1/4),(3/4,1/4,3/4),(1/4,3/4,3/4)。 (1) 請(qǐng)繪出(110)晶面上原子的排布; (2) 經(jīng)測(cè)定晶胞參數(shù)a=545pm,請(qǐng)計(jì)算CaF2的密度; (相對(duì)原子質(zhì)量 Ca:40, F:19) (3) 從(110)晶面上可以抽出何種平面正當(dāng)單位格子? 一個(gè)單位格子中有幾個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)? 一個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)代表的實(shí)際原子的種類與數(shù)目? 正當(dāng)單位格子的邊長(zhǎng)? (4) 若用l=154.2?pm的X-射線做光源,請(qǐng)計(jì)算(100)晶面的一級(jí)、二級(jí)衍射的sinq值。 9005 求典型CaF2型晶體的空間利用率。(正,負(fù);負(fù),負(fù)接觸) 9006 有一AB2型立方晶系晶

4、體,晶胞中有2個(gè)A,4個(gè)B。2個(gè)A的坐標(biāo)是(1/4,1/4,1/4), (3/4,3/4,3/4);4個(gè)B的坐標(biāo)是(0,0,0),(0,1/2,/2),(1/2,0,1/2),(1/2,1/2,0)。請(qǐng)回答: (1) 就相對(duì)位置而言, B按何種方式堆積? (2) A占據(jù)其何種空隙? (3) A占據(jù)這一空隙的占有率是多少? (4) 該晶體屬于何種點(diǎn)陣類型? (5) 結(jié)構(gòu)基元是什么? 9007 寫出用實(shí)驗(yàn)方法測(cè)定NaCl晶體點(diǎn)陣能(U)的Born-Haber循環(huán),及所需數(shù)據(jù)的名稱。 9008 有一立方晶系A(chǔ)B型離子晶體,A離子半徑為66?pm,B離子半徑為211?pm, 按不等徑圓球堆積的觀點(diǎn),請(qǐng)

5、給出: (1) B的堆積方式; (2) A占據(jù)B的什么空隙; (3) A占據(jù)該種空隙的分?jǐn)?shù); (4) 該晶體的結(jié)構(gòu)基元; (5) 該晶體所屬點(diǎn)陣類型。 9009 有一立方晶系A(chǔ)B型離子晶體, A離子半徑為97pm, B離子半徑為181pm, 按不等徑圓球堆積的觀點(diǎn), 請(qǐng)給出: (1) B的堆積方式; (2) A占據(jù)B的什么空隙; (3) A占據(jù)該種空隙的分?jǐn)?shù); (4) 該晶體的結(jié)構(gòu)基元; (5) 該晶體所屬點(diǎn)陣類型。 9010 (1) B的堆積方式; (2) A占據(jù)B的什么空隙; (3) A占據(jù)該種空隙的分?jǐn)?shù); (4) 該晶體的結(jié)構(gòu)基元; (5) 該晶體所屬點(diǎn)陣類型。 9011 已知NaCl型

6、離子晶體的晶胞參數(shù)a的數(shù)據(jù)如下: NaCl型MgOMnOMgSCaOMnSCaSa/pm420445480520520568 試計(jì)算Mn2+,Ca2+,O2- 和S2-的離子半徑。 9012 NiO晶體為NaCl型結(jié)構(gòu),將它在氧氣中加熱,部分Ni2+被氧化成Ni3+, 成為NixO(x<1)。今有一批NixO,測(cè)得晶體密度為6.47g·cm-3,用波長(zhǎng)l=0.154?nm 的-射線通過(guò)粉末衍射法測(cè)得立方晶胞111面反射的q=18.71°(sinq=0.3208), Ni相對(duì)原子質(zhì)量為58.7。 (1) 求出NixO的立方晶胞參數(shù); (2) 計(jì)算NixO中的x值,寫出注

7、明Ni價(jià)態(tài)的化學(xué)式。 (3) 在NixO中負(fù)離子O2-的堆積方式,Ni占據(jù)哪種空隙,其占據(jù)率是多少? 9013 已知離子半徑:Ca2+?99?pm,Cs+?182?pm,S2-?184?pm,Br-?195?pm。若立方晶系CaS和CsBr晶體均服從離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則, 試判斷這兩種晶體的正負(fù)離子的配位數(shù)、配位多面體的型式、負(fù)離子的堆積方式及晶體的結(jié)構(gòu)型式。 9014 已知KCl晶體具有NaCl型結(jié)構(gòu), Cl-和K+離子半徑分別為181pm和133pm,則KCl晶體之晶胞參數(shù) a= _。 9015 已知Ca2+和O2-的離子半徑分別為99?pm和140?pm, CaO晶體中O2-按立方最密堆積

8、排列,晶體結(jié)構(gòu)完全符合離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)律。Ca2+填入_空隙中,晶體所屬的點(diǎn)群為_, 晶胞參數(shù)為_, 晶體密度為_。(Ca的相對(duì)原子質(zhì)量40.0) 9016 實(shí)驗(yàn)測(cè)得鈣離子的半徑=99?pm,硫離子的半徑=184?pm。根據(jù)Pauling規(guī)則推測(cè)CaS晶體中Ca2+離子周圍由S2-離子構(gòu)成_配位多面體, Ca2+離子周圍S2-離子的配位數(shù)是_。 9017 KBr晶體中,K+的半徑為133?pm,KBr的鍵長(zhǎng)為328?pm, 其負(fù)離子配位多面體的形狀為- ( ) (A) 直線形 (B) 正方形 (C) 四面體形 (D) 八面體形 9018 (1) 已知KCl晶體屬于立方晶系, 晶面間距d100=

9、629?pm, 試寫出其晶胞參數(shù)a ; (2) 從氯化鉀晶體粉末衍射圖可知, 衍射峰的sin2q的比為3:4:8:11:12:16:19:20:24:, 試確定其點(diǎn)陣型式; (3) K和Cl相對(duì)原子量分別為39.04和35.45,氯化鉀晶體密度1.99g/cm3,試計(jì)算其晶胞中K+和Cl-的數(shù)目; (4) 把氯化鉀晶體抽象為點(diǎn)陣時(shí),一個(gè)陣點(diǎn)所代表的內(nèi)容是什么; (5) 設(shè)紙面為ab平面,試描出KCl晶胞在ab平面上的投影,并畫出(110)和(100)晶面。 9019 具有六方ZnS型結(jié)構(gòu)的SiC晶體,其晶胞參數(shù) a=308?pm,c=505?pm。 (1) 按比例畫出這個(gè)六方晶胞,并標(biāo)出晶胞參

10、數(shù); (2) 寫出Si,C的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),說(shuō)明晶胞中有幾個(gè)SiC; (3) 說(shuō)明點(diǎn)陣型式,及每個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)代表的結(jié)構(gòu)基元的內(nèi)容; (4) 計(jì)算SiC鍵長(zhǎng)。 9020 已知KIO3晶體為立方晶系,a=446?pm, 原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為:K (0,0,0),(1/2,1/2,1/2);O (0,1/2,1/2),(1/2,0,1/2),(1/2,1/2,0)。請(qǐng)回答: (1) 該晶體屬何種點(diǎn)陣型式; (2) 計(jì)算IO,KO的最短距離; (3) 畫出(100),(110),(111)晶面上原子的排布。 9021 b-SiC為立方面心金剛石型結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)為 a=435.8?pm,C相對(duì)原子質(zhì)量 (1) 寫

11、出晶胞中各原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo); (2) 指出晶體的點(diǎn)陣類型,每一點(diǎn)陣點(diǎn)所代表的結(jié)構(gòu)基元; (3) C原子周圍Si原子的配位數(shù),Si原子周圍C原子的配位數(shù); (4) 計(jì)算晶體密度和晶體中SiC鍵的鍵長(zhǎng); (5) 計(jì)算200面衍射的Bragg角。 9022 有一AB2型晶體,B按1排列,A均勻填充于其正四面體空隙中,試問該晶體: (1) 所屬晶系; (2) 所屬點(diǎn)陣類型; (3) A占據(jù)正四面體空隙的占有分?jǐn)?shù); (4) 結(jié)構(gòu)基元; (5) 晶胞中各原子坐標(biāo)。 9023 有一立方晶體由A,B兩種原子組成, A原子占據(jù)晶胞頂角、體心、棱心和面心;B原子占據(jù)的坐標(biāo)位置為(1/4,1/4,1/4), (3/4

12、,3/4,1/4),(3/4,1/4,3/4), (1/4,3/4,3/4)。試說(shuō)明: (1) 晶體的組成; (2) 晶體所屬的點(diǎn)陣型式; (3) 怎樣從球的堆積描述這一結(jié)構(gòu)。 9024 鈣鈦礦具有邊長(zhǎng)為384?pm的立方晶胞,Ca,Ti和原子分別處在它的頂角、體心和面心的位置上,相對(duì)原子質(zhì)量:Ca,40.08; ,16.00; Ti,47.90。 (1) 給出鈣鈦礦的化學(xué)式; (2) 計(jì)算晶體密度; (3) 描述三種離子的配位情況。 9025 什么是鮑林(Pauling)規(guī)則?CaTiO3晶體為立方晶系,晶胞中頂點(diǎn)位置由Ti4+占據(jù),體心位置由Ca2+占據(jù),所有的棱心位置由O2-占據(jù)。若離子

13、半徑為:=130?pm,=68?pm,=129?pm。 (1) 指出晶體的點(diǎn)陣類型和每個(gè)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo); (2) 試用Pauling規(guī)則解釋其配位和電價(jià)(說(shuō)明理由)。 9026 某離子型晶體經(jīng)-射線分析鑒定屬于立方晶系,晶胞參數(shù)a=400?pm。晶胞中頂點(diǎn)位置為Mg2+占據(jù),體心位置為K+占據(jù),所有的棱心位置為F-占據(jù)。 (1) 寫出晶體的化學(xué)組成,用分?jǐn)?shù)坐標(biāo)示出離子在晶胞中的位置; (2) 指出晶體的點(diǎn)陣類型; (3) 指出晶體中Mg2+的F-配位數(shù),K+的F-配位數(shù); (4) 若=65?pm,=136?pm,=134?pm,說(shuō)明正負(fù)離子配位是否合理; (5) 晶體是否符合Pauling的電

14、價(jià)規(guī)則,晶體中有無(wú)分立的配離子集團(tuán)? 9027 舉例說(shuō)明Pauling關(guān)于離子晶體結(jié)構(gòu)的電價(jià)規(guī)則的內(nèi)容。 9028 已知SiO2晶體中硅的離子半徑=41pm,氧的離子半徑=140?pm,SiO鍵長(zhǎng)為160?pm。 問Si4+的配位數(shù)CN+是_,O2-的配位數(shù)CN-是_,·Si和O是以_鍵結(jié)合。 9029 鋁在硅酸鹽中的作用為_。 9030半徑為R的圓球進(jìn)行密堆積, 求算兩個(gè)共面的四面體空隙的中心距離。(以R為單位表示) 9031 CoF2具有金剛石型結(jié)構(gòu),Co2+為八面體配位。 (1) 試按電價(jià)規(guī)則求CoF鍵的靜電鍵強(qiáng)度; (2) 求F-的配位數(shù)。 9032 Ag2O屬立方晶系晶體,

15、 Z=2, 原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為: Ag: (1/4,1/4,1/4), (3/4,3/4,1/4), (3/4,1/4,3/4), (1/4,3/4,3/4) O: (0,0,0), (1/2,1/2,1/2) (1) 若Ag放晶胞原點(diǎn), 重新標(biāo)出原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo); (2) 標(biāo)明Ag和O的配位數(shù)和配位型式; (3) 晶體屬哪個(gè)點(diǎn)群。 9033 從NaCl晶體結(jié)構(gòu)出發(fā): (1) 除去其中全部Na+,剩余Cl-是什么結(jié)構(gòu)型式; (2) 除去其中全部Cl-,剩余Na+是什么結(jié)構(gòu)型式? 9034 兩個(gè) MX6八面體共面連接時(shí),MM 間最大距離是多少?(以 MX 為單位) 9035 兩個(gè) MX4四面體共面連接時(shí)

16、,MM 間最大距離是多少?(以 MX 為單位) 9036 要使正負(fù)離子接觸,負(fù)負(fù)離子也接觸時(shí),(1)四面體,(2)八面體的r+/r-數(shù)值是多少? 9037 試用電價(jià)規(guī)則說(shuō)明PO43-是分立的離子團(tuán)。 9038 八面體配位的Fe2+有高自旋(HS)和低自旋(LS)兩種可能, 哪種半徑大? 9039 (1) Na+和Ag+哪一個(gè)具有較強(qiáng)的極化力; (2) Cl-和I-哪一個(gè)容易被極化; (3) AgCl和NaI哪一種共價(jià)鍵成分高? 9040 NiAs結(jié)構(gòu)中Ni處在As的六方最密堆積的八面體配位中, 由此可推出這些八面體是共_連接的。 9041 Na2O為反螢石型(反CaF2型)結(jié)構(gòu),a=555pm

17、,求算: (1) Na+的半徑(已知O2-為140?pm); (2) 晶體密度。 9042 層型硅酸鹽硅氧骨干連接的基本特征是_。 9043 半徑為100?pm的A原子進(jìn)行最密堆積, B原子填滿八面體空隙: (1) 這種結(jié)構(gòu)屬于什么型式; (2) 結(jié)構(gòu)基元是什么; (3) B原子間最近距離是多少; (4) 相鄰B原子的配位多面體共用什么幾何元素? 9044 3A,4A和5A型分子篩的化學(xué)組成表達(dá)式為_。 9045 A型分子篩最大孔窗由幾個(gè)Si(或Al)和幾個(gè)O原子組成? 9046 常用晶格能來(lái)表示鍵的強(qiáng)弱;用偶極矩來(lái)量度極性的大小。 9047 H-,He 和 Li+的相對(duì)有效半徑由大到小的次序

18、為_。 9048 CsCl 晶體中負(fù)離子的堆積型式為_,正離子填入_空隙中。 9049 NaCl 晶體中負(fù)離子的堆積型式為_,正離子填入_空隙中。 9050 NiAs 晶體中負(fù)離子的堆積型式為_,正離子填入_空隙中。 9051 CaF2 晶體中負(fù)離子的堆積型式為_,正離子填入_空隙中。 9052 兩個(gè) MX6八面體共頂點(diǎn)連接時(shí),MM 間最大距離是多少?(以 MX 為單位) 9053 兩個(gè) MX6八面體共棱連接時(shí),MM 間最大距離是多少?(以 MX 為單位) 9054 兩個(gè) MX4四面體共頂點(diǎn)連接時(shí),MM 間最大距離是多少?(以 MX 為單位) 9055 兩個(gè) MX4四面體共棱連接時(shí),MM 間最

19、大距離是多少?(以 MX 為單位) 9056 NaCl 晶體的空間點(diǎn)陣型式為_。 9057 CsCl 晶體的空間點(diǎn)陣型式為_。 9060 CuI晶體屬六方ZnS 型結(jié)構(gòu),I-的堆積方式為_,Cu+占_空隙,I-的配位數(shù)為_,一個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)代表_, I-的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為_,Cu+的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為_。 9061 已知 KIO3晶體為立方晶系,原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為:K:(0,0,0);I:(1/2,1/2,1/2);O:(0,1/2,1/2);(1/2,0,1/2);(1/2,1/2,0)。請(qǐng)畫出KIO3的晶胞,K 和 I 的氧配位數(shù)各為多少,每個(gè)氧為多少個(gè)配位多面體公用? 9062 已知K+的離子半徑為138?

20、pm,I5+為94?pm,O2-為140?pm,KIO3晶體遵循離子晶體結(jié)構(gòu)規(guī)則,K+和I5+占據(jù)何種空隙,它們的氧配位數(shù)各為多少? 9063 已知CsBr晶體服從離子晶體結(jié)構(gòu)規(guī)則,正負(fù)離子半徑比值為0.84,問負(fù)離子作哪種堆積?負(fù)離子配位多面體是怎樣連接的? 9064 已知PbO2晶體服從離子晶體結(jié)構(gòu)規(guī)則,屬金紅石型結(jié)構(gòu),正負(fù)離子半徑比值為0.64,問負(fù)離子形成哪種配位多面體?負(fù)離子配位多面體是怎樣連接的? 9065 已知SrS 晶體服從離子晶體結(jié)構(gòu)規(guī)則,正負(fù)離子半徑比值為0.730,問負(fù)離子作哪種堆積?負(fù)離子配位多面體是怎樣連接的? 9066 金紅石(TiO2)晶體屬簡(jiǎn)單四方點(diǎn)陣,Z=2,

21、結(jié)構(gòu)基元為_,Ti4+離子占_空隙,所占空隙的分?jǐn)?shù)為_ 9067 CaF2晶體為面心立方點(diǎn)陣,立方晶胞 Z=4,結(jié)構(gòu)基元為_,Ca2+離子占_空隙,所占空隙的分?jǐn)?shù)為_。 9068 Zn2+離子占_空隙,所占空隙的分?jǐn)?shù)為_。 9069 立方ZnS 晶體為面心立方點(diǎn)陣,立方晶胞 Z=4 ,結(jié)構(gòu)基元為_,Zn2+離子占_空隙,所占空隙的分?jǐn)?shù)為_。 9070 CsCl 晶體為簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣,立方晶胞 Z=1 ,結(jié)構(gòu)基元為_,Cs+離子占_空隙,所占空隙的分?jǐn)?shù)為_。 9071 NaCl晶體中結(jié)構(gòu)基元為_,空間點(diǎn)陣為_,Na+離子占_空隙,所占空隙的分?jǐn)?shù)為_ 9072 CsI晶體屬CsCl型結(jié)構(gòu),負(fù)離子配位

22、多面體之間共用頂點(diǎn)時(shí),Cs+離子之間的距離為_a,共用棱時(shí),Cs+離子之間的距離為_a, 共用面時(shí),Cs+離子之間的距離為_a,這三者的比值為_:_:_。 9073 計(jì)算兩個(gè)MX6正八面體共頂點(diǎn)、共面、共棱連接時(shí)MM間的最大距離(以MX為單位)。 9074 計(jì)算兩個(gè)MX4正四面體共頂點(diǎn)、共面、共棱連接時(shí)MM間的最大距離(以MX為單位)。 9075 按下列內(nèi)容比較CsCl和NaCl晶體,并說(shuō)明造成兩者構(gòu)型不同的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)因素。 (1) 負(fù)離子的堆積方式; (2) 正離子所占空隙類型; (3)正離子所占空隙的百分?jǐn)?shù); (4) 結(jié)構(gòu)基元及一個(gè)立方晶胞中結(jié)構(gòu)基元的數(shù)目。 9076 四方晶系的金紅石晶體結(jié)

23、構(gòu)中,晶胞參數(shù)a=b=458?pm,c=298?pm,晶胞中各個(gè)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為: Ti4+: (0,0,0) (1/2,1/2,1/2); O2-: (0.31,0.31,0);(0.69,0.69,0);(0.81,0.19,1/2);(0.19,0.81,1/2). 試計(jì)算(0,0,0)處的Ti原子與(0.31,0.31,0)處的O原子間距離。. 9077 在立方晶系的CaTiO3晶胞中,頂點(diǎn)位置由Ti4+占據(jù),體心位置由Ca2+占據(jù),所有的棱心位置由O2-占據(jù),已知離子半徑為:= 130?pm, =68?pm, =129?pm (1) 指出晶體的點(diǎn)陣類型; (2) 寫出各原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)

24、; (3) 試用Pauling規(guī)則解釋其配位和電價(jià)。 9078 在鈦酸鈣的立方晶胞中 ,O2-與較大的Ca2+聯(lián)合構(gòu)成A1型結(jié)構(gòu),較小的Ti4+安放在O2-的八面體空隙中,寫出: (1) Ca2+,Ti4+,O2-的分?jǐn)?shù)坐標(biāo); (2) Ca2+和Ti4+分別與O2-的配位數(shù),彼此間距離; (3) 該晶體所屬點(diǎn)陣。 9079 已知立方ZnS的晶胞參數(shù)為a=541pm,Zn和S的相對(duì)原子質(zhì)量分別為65.4和32.0,請(qǐng)回答: (1) 立方ZnS晶體所屬點(diǎn)陣類型和結(jié)構(gòu)基元; (2) Zn和S原子在晶胞中的分?jǐn)?shù)坐標(biāo); (3) Zn和S的配位數(shù); (5) ZnS的晶體密度; (6) 計(jì)算330的面間距d

25、330 ; (7) 估計(jì)衍射330的衍射強(qiáng)度。 9080 請(qǐng)根據(jù)立方ZnS的結(jié)構(gòu)回答下列問題: (1) 點(diǎn)陣型式 (2) 結(jié)構(gòu)基元 (3) Zn2+離子和S2-離子在晶胞中的分?jǐn)?shù)坐標(biāo) (4) Zn和S的配位數(shù) (5) Zn離子所占空隙的種類及占據(jù)此類空隙的分?jǐn)?shù)(說(shuō)明推算過(guò)程) 9081 立方ZnS的晶胞參數(shù)為a=541pm,Zn和S的相對(duì)原子質(zhì)量分別為65.4和32.0,請(qǐng)計(jì)算: (1) ZnS鍵的鍵長(zhǎng); (3) d220 ; (4) 衍射330的衍射強(qiáng)度。 9082 某立方晶系的離子型晶體,其結(jié)構(gòu)如圖所示,回答下列問題: (1)晶胞中各原子坐標(biāo); (2)該晶體所屬的點(diǎn)陣型式; (3)已知Cs

26、+(=169?pm)和Cl-(=181?pm)大小相近,問兩種離子聯(lián)合組成了何種型式的密堆積? (4)晶體中有無(wú)分立的配離子基團(tuán),若有,其結(jié)構(gòu)如何? (5)Cu2+離子處在何種間隙里? (6)Cl-對(duì)Cu2+和Cs+的配位數(shù)各是多少? 9083 鉬有一種含氧酸根MoxOyz-,其中x,y和z都是正整數(shù);Mo呈+6價(jià)。O呈-2價(jià).可按下面的步驟來(lái)理解該含氧酸根的結(jié)構(gòu): (1) 所有Mo原子的配位數(shù)都是6,形成MoO6n-,呈正八面體構(gòu)型,稱為"小八面體"; (2) 六個(gè)"小八面體"共棱連接可構(gòu)成一個(gè)"超八面體"; (3) 2個(gè)"超八面體"共用2個(gè)"小八面體"可構(gòu)成一個(gè)"孿超八面體"; (4) 從一個(gè)"孿超八面體"中取走3個(gè)"小八面體" , 得到的"缺角孿超八面體"便是本題的MoxOyz-。 回答: (1) "小八面體"的化學(xué)式MoO6n-中n

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