1、43G重選配置指導(dǎo)書（1）TD-LTE側(cè)：重選相關(guān)配置：CellReselPriorityUTRAN頻點(diǎn)重選優(yōu)先級4QRxLevMinUTRAN最低接收電平-116dbmThreshXLowUTRAN頻點(diǎn)低優(yōu)先級重選門限10/20dbCellReselectionPriorityLTE小區(qū)重選優(yōu)先級7SNonIntraSearch異頻/異系統(tǒng)測量啟動門限7/14dbThrshServLow服務(wù)頻點(diǎn)低優(yōu)先級重選門限6/12dbQRxLevMinLTE最低接收電平-128dbm/按照上面的參數(shù)設(shè)置：1）.重選測量啟動：當(dāng)LTE側(cè)：本小區(qū)的CRS RSRP < = Qrxlevmin + Pc

2、ompensation + SNonIntraSearch = -128 +7*2 +0= -114dbm 就啟動異頻和異系統(tǒng)的測量； -這樣設(shè)置的原則就是盡可能讓終端駐留在TDL網(wǎng)絡(luò)上； 2）.重選觸發(fā)：測量到本小區(qū)的Qrxlevmeas(RSRP) < Qrxlevmin + Pcompensation + ThrshServLow < -128dBm +0+6*2=-116dBm時，目標(biāo)小區(qū)的RSCP> ThreshXLow + Qrxlevmin + Pcompensation > 10*2+ -116dBm+0dB= - 96dBm時，就可以觸發(fā)異系統(tǒng)的重選-

3、這樣設(shè)置的原則盡可能的駐留在TDL側(cè)，在TDL邊緣只要TDS的PCCPCH RSRP大于-96dbm就可以讓終端在4G側(cè)重選至3G；保證終端到3G側(cè)不要影響3G側(cè)的指標(biāo)LTE ENODEB側(cè)腳本配置（ 相關(guān)重選參數(shù)按照推薦參數(shù)進(jìn)行設(shè)置）操作步驟步驟 1 在ENODEB LMT上執(zhí)行MML命令A(yù)DD UTRANNFREQ，創(chuàng)建UTRAN相鄰頻點(diǎn)。配置參數(shù)UTRAN頻點(diǎn)重選優(yōu)先級、最低接收電平、UTRAN頻點(diǎn)低優(yōu)先級重選門限等。步驟 2 在ENODEB LMT上執(zhí)行MML命令A(yù)DD UTRANEXTERNALCELL，創(chuàng)建UTRAN外部小區(qū)。其中，28位的UTRAN小區(qū)的小區(qū)標(biāo)識（UtranCel

4、lId）的左12位為RNC標(biāo)識（RncId），右16位為RNC小區(qū)標(biāo)識（RncCellId），UTRAN小區(qū)標(biāo)識計算公式為：UtranCellId=RncId×65536 + RncCellId。主下行擾碼就是TDS小區(qū)的擾碼步驟 3 在ENODEB LMT上執(zhí)行MML命令A(yù)DD UTRANNCELL，創(chuàng)建UTRAN鄰區(qū)關(guān)系。步驟 4 在ENODEB LMT上執(zhí)行MML命令MOD CELLRESEL，配置重選參數(shù)。“異頻/異系統(tǒng)測量啟動門限” “服務(wù)頻點(diǎn)低優(yōu)先級重選門限”“小區(qū)重選優(yōu)先級”“最低接收電平”步驟 5 在ENODEB LMT上執(zhí)行MML命令A(yù)DD CELLRESELUTR

5、AN 創(chuàng)建UTRAN小區(qū)重選重選原理終端從LTE重選到TDS鄰區(qū)時，ENODEB通過系統(tǒng)消息SIB3和SIB6下發(fā)后臺配置的重選及鄰區(qū)相關(guān)參數(shù)，從高優(yōu)先級小區(qū)重選到低優(yōu)先級小區(qū)時，UE需要等待LTE本小區(qū)信號低于異系統(tǒng)測量啟動門限，才會觸發(fā)對TDS異系統(tǒng)的測量，當(dāng)UE測量到異系統(tǒng)的接收信號強(qiáng)度高于某一門限，且本系統(tǒng)的接收信號強(qiáng)度低于某一門限，就觸發(fā)重選。上述的配置下：【重選測量的觸發(fā)】測量到本小區(qū)的Qrxlevmeas(RSRP) <= Qrxlevmin + Pcompensation + SNonIntraSearch【重選的觸發(fā)】對于低優(yōu)先級小區(qū)，若沒有配置本小區(qū)接收質(zhì)量低門限（T

6、hrshServLowQ）則只需要考慮RSRP情況，首先要滿足本小區(qū)信號Srxlev低于門限ThreshServing, LowQ。即測量到本小區(qū)的Qrxlevmeas(RSRP) < Qrxlevmin + Pcompensation + ThrshServLow 目標(biāo)小區(qū)的RSCP> ThreshXLow + Qrxlevmin + Pcompensation，觸發(fā)重選。（2）TDS側(cè)CellReselectionPriorityTDS小區(qū)重選優(yōu)先級4EqrxlevMinRsrpE-UTRAN小區(qū)最低接入RSRP門限-128dbmEarFcnPriorityE-UTRAN頻點(diǎn)絕

7、對優(yōu)先級7EThdToHighRsrp高優(yōu)先級E-UTRA小區(qū)重選RSRP信號強(qiáng)度門限8/ 16db/ 按照上面的設(shè)置，當(dāng)相鄰的TDL側(cè)小區(qū)的CRS RSRP > = EqrxlevMinRsrp+ EThdToHighRsrp+Pcompensation =-128+8*2+0=-112dbm就會從TDS重選至TDL TD-SCDMA側(cè)腳本配置：注：TDS 34G互操作RNC版本6.0SPC800及以上版本，且需要相關(guān)license，參數(shù)的設(shè)置按照上表中進(jìn)行設(shè)置。操作步驟步驟 1 在RNC LMT上執(zhí)行MML命令LST TCELLSIBSWITCH，查詢小區(qū)“系統(tǒng)消息開關(guān)”是否打開下發(fā)

8、“SIB19”系統(tǒng)消息塊的開關(guān)。l 如果關(guān)閉下發(fā)“SIB19”系統(tǒng)消息塊的開關(guān)，轉(zhuǎn)步驟2。l 如果打開下發(fā)“SIB19”系統(tǒng)消息塊的開關(guān)，轉(zhuǎn)步驟3。步驟 2 在RNC LMT上執(zhí)行MML命令MOD TCELLSIBSWITCH，設(shè)置小區(qū)“系統(tǒng)消息開關(guān)”，打開下發(fā)“SIB19”系統(tǒng)消息塊的開關(guān)（在小區(qū)激活的狀態(tài)下無法打開SIB19開關(guān)，需要去激活小區(qū)（DEA TCELL）后再打開SIB19開關(guān)）。步驟 3 在RNC LMT上執(zhí)行MML命令MOD TCELLSELRESEL，配置本小區(qū)的優(yōu)先級及重選相關(guān)參數(shù)。（選擇相應(yīng)小區(qū)后按照如下配置即可）步驟 4 在RNC LMT上執(zhí)行MML命令A(yù)DD TLT

9、ECELL，配置LTE小區(qū)的基本信息。其中各項(xiàng)信息根據(jù)實(shí)際填寫，LTE小區(qū)標(biāo)識的計算方法是：該參數(shù)用于在一個PLMN區(qū)中唯一標(biāo)識一個LTE小區(qū)。是由eNodeb ID+cellID組成，LTE小區(qū)標(biāo)識（十進(jìn)制）可以配置為 eNnodeB (協(xié)議規(guī)定為20bit二進(jìn)制)組合CELLID（協(xié)議規(guī)定為8bit二進(jìn)制,一般cellID都在3以內(nèi)不夠在數(shù)字前加0），比如：eNodeb ID從TD-LTE基站信息表上查出來的是713180，CELLID從界面上查出來的是1，換算成十六進(jìn)制是AE1DC01,轉(zhuǎn)為十進(jìn)制是182574081。步驟 5 在RNC LMT上執(zhí)行MML命令A(yù)DD TLTENCELL，配置TD小區(qū)與LTE鄰區(qū)的關(guān)系。“TD小區(qū)標(biāo)識”和“LTE鄰區(qū)索引”根據(jù)已配置的實(shí)際信息填寫。步驟 6 在RNC LMT上執(zhí)行MML命令A(yù)DD TCELLNLTECELLSELRESEL，配置LTE鄰區(qū)選擇重選信息。- 請按照參數(shù)的測試參數(shù)進(jìn)行設(shè)置（高優(yōu)先級E-UTRA小區(qū)重選RSRP信號強(qiáng)度門限設(shè)置為8）重選原理終端從TDS重