1、LogoIntroduction of IC Assembly ProcessIC封裝工藝簡介艾艾Logo2021/3/9IC Process FlowCustomer客客 戶戶IC DesignIC設計設計Wafer Fab晶圓制造晶圓制造Wafer Probe晶圓測試晶圓測試Assembly& TestIC 封裝測試封裝測試SMTIC組裝組裝Logo2021/3/9IC Package （IC的封裝形式）的封裝形式）Package-封裝體：封裝體：指芯片（指芯片（Die）和不同類型的框架（）和不同類型的框架（L/F）和塑封料（）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封裝體。形成的不同外

2、形的封裝體。IC Package種類很多，可以按以下標準分類：種類很多，可以按以下標準分類： 按封裝材料劃分為：按封裝材料劃分為： 金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝 按照和按照和PCB板連接方式分為：板連接方式分為： PTH封裝和封裝和SMT封裝封裝 按照封裝外型可分為：按照封裝外型可分為： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；等；Logo2021/3/9IC Package （IC的封裝形式）的封裝形式） 按封裝材料劃分為：按封裝材料劃分為： 金屬封裝陶瓷封裝 塑料封裝金屬封裝主要用于軍工或航天技術，無金屬封裝主要用于軍工或航天技術，無商業

3、化產品；商業化產品；陶瓷封裝優于金屬封裝，也用于軍事產陶瓷封裝優于金屬封裝，也用于軍事產品，占少量商業化市場；品，占少量商業化市場；塑料封裝用于消費電子，因為其成本低塑料封裝用于消費電子，因為其成本低，工藝簡單，可靠性高而占有絕大部分，工藝簡單，可靠性高而占有絕大部分的市場份額；的市場份額；Logo2021/3/9IC Package （IC的封裝形式）的封裝形式） 按與按與PCB板的連接方式劃分為：板的連接方式劃分為： PTHSMTPTH-Pin Through Hole, 通孔式；通孔式；SMT-Surface Mount Technology，表面貼裝式。，表面貼裝式。目前市面上大部分目

4、前市面上大部分IC均采為均采為SMT式式的的SMTLogo2021/3/9IC Package （IC的封裝形式）的封裝形式） 按封裝外型可分為：按封裝外型可分為： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；等； 決定封裝形式的兩個關鍵因素決定封裝形式的兩個關鍵因素: 封裝效率。芯片面積封裝效率。芯片面積/封裝面積，盡量接近封裝面積，盡量接近1:1； 引腳數。引腳數越多，越高級，但是工藝難度也相應增加；引腳數。引腳數越多，越高級，但是工藝難度也相應增加； 其中，其中，CSP由于采用了由于采用了Flip Chip技術和裸片封裝，達到了技術和裸片封裝，達到了 芯片面積芯片

5、面積/封裝面積封裝面積=1:1，為目前最高級的技術；，為目前最高級的技術；封裝形式和工藝逐步高級和復雜封裝形式和工藝逐步高級和復雜Logo2021/3/9IC Package （IC的封裝形式）的封裝形式） QFNQuad Flat No-lead Package 四方無引腳扁平封裝四方無引腳扁平封裝 SOICSmall Outline IC 小外形小外形IC封裝封裝 TSSOPThin Small Shrink Outline Package 薄小外形封裝薄小外形封裝 QFPQuad Flat Package 四方引腳扁平式封裝四方引腳扁平式封裝 BGABall Grid Array Pac

6、kage 球柵陣列式封裝球柵陣列式封裝 CSPChip Scale Package 芯片尺寸級封裝芯片尺寸級封裝 Logo2021/3/9IC Package Structure（IC結構圖）結構圖）TOP VIEWSIDE VIEWLead Frame 引線框架引線框架Gold Wire 金金 線線Die Pad 芯片焊盤芯片焊盤Epoxy 銀漿銀漿Mold Compound 環氧樹脂環氧樹脂Logo2021/3/9Raw Material in Assembly(封裝原材料封裝原材料)【Wafer】晶圓晶圓Logo2021/3/9Raw Material in Assembly(封裝原材料

7、封裝原材料)【Lead Frame】引線框架引線框架提供電路連接和提供電路連接和Die的固定作用；的固定作用；主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、 NiPdAu等材料；等材料；L/F的制程有的制程有Etch和和Stamp兩種；兩種；易氧化，存放于氮氣柜中，濕度小易氧化，存放于氮氣柜中，濕度小 于于40%RH;除了除了BGA和和CSP外，其他外，其他Package都會采用都會采用Lead Frame， BGA采用的是采用的是Substrate；Logo2021/3/9Raw Material in Assembly(封裝原材料封裝原材料)【Gold Wire】焊接金線

8、焊接金線實現芯片和外部引線框架的電性和物實現芯片和外部引線框架的電性和物 理連接；理連接；金線采用的是金線采用的是99.99%的高純度金；的高純度金；同時，出于成本考慮，目前有采用銅同時，出于成本考慮，目前有采用銅 線和鋁線工藝的。優點是成本降低，線和鋁線工藝的。優點是成本降低， 同時工藝難度加大，良率降低；同時工藝難度加大，良率降低；線徑決定可傳導的電流；線徑決定可傳導的電流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和和2.0mils；Logo2021/3/9Raw Material in Assembly(封裝原材料封裝原材料)【Mold Compound】塑封料塑封料

9、/環氧樹脂環氧樹脂主要成分為：環氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫主要成分為：環氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫 模劑，染色劑，阻燃劑等）；模劑，染色劑，阻燃劑等）；主要功能為：在熔融狀態下將主要功能為：在熔融狀態下將Die和和Lead Frame包裹起來，包裹起來， 提供物理和電氣保護，防止外界干擾；提供物理和電氣保護，防止外界干擾；存放條件：零下存放條件：零下5保存，常溫下需回溫保存，常溫下需回溫24小時；小時；Logo2021/3/9Raw Material in Assembly(封裝原材料封裝原材料)成分為環氧樹脂填充金屬粉末（成分為環氧樹脂填充金屬粉末（Ag）；）；有三個

10、作用：將有三個作用：將Die固定在固定在Die Pad上；上； 散熱作用，導電作用；散熱作用，導電作用；-50以下存放，使用之前回溫以下存放，使用之前回溫24小時小時；【Epoxy】銀漿銀漿Logo2021/3/9Typical Assembly Process FlowFOL/前段前段EOL/中段中段Plating/電鍍電鍍EOL/后段后段Final Test/測試測試Logo2021/3/9FOL Front of Line前段工藝前段工藝BackGrinding磨片磨片WaferWafer Mount晶圓安裝晶圓安裝Wafer Saw晶圓切割晶圓切割Wafer Wash晶圓清洗晶圓清洗D

11、ie Attach芯片粘接芯片粘接Epoxy Cure銀漿固化銀漿固化Wire Bond引線焊接引線焊接2nd Optical第二道光檢第二道光檢3rd Optical第三道光檢第三道光檢EOLLogo2021/3/9FOL Back Grinding背面減薄背面減薄Taping粘膠帶粘膠帶BackGrinding磨片磨片De-Taping去膠帶去膠帶將從晶圓廠出來的將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到進行背面研磨，來減薄晶圓達到 封裝需要的厚度（封裝需要的厚度（8mils10mils）；）；磨片時，需要在正面（磨片時，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護電路區域）

12、貼膠帶保護電路區域 同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；Logo2021/3/9FOL Wafer Saw晶圓切割晶圓切割Wafer Mount晶圓安裝晶圓安裝Wafer Saw晶圓切割晶圓切割Wafer Wash清洗清洗將晶圓粘貼在藍膜（將晶圓粘貼在藍膜（Mylar）上，使得即使被切割開后，不會散落；）上，使得即使被切割開后，不會散落；通過通過Saw Blade將整片將整片Wafer切割成一個個獨立的切割成一個個獨立的Dice，方便后面的，方便后面的 Die Attach等工序；等工序；Wafer Wash主要清洗主要清洗Saw時候產生的各

13、種粉塵，清潔時候產生的各種粉塵，清潔Wafer；Logo2021/3/9FOL Wafer Saw晶圓切割晶圓切割Wafer Saw MachineSaw Blade(切割刀片切割刀片)：Life Time：9001500M；Spindlier Speed：3050K rpm：Feed Speed：3050/s;Logo2021/3/9FOL 2nd Optical Inspection二光檢查二光檢查主要是針對主要是針對Wafer Saw之后在顯微鏡下進行之后在顯微鏡下進行Wafer的外觀檢查，是否有的外觀檢查，是否有出現廢品出現廢品。Chipping Die 崩崩 邊邊Logo2021/3

14、/9FOL Die Attach 芯片粘接芯片粘接Write Epoxy點銀漿點銀漿Die Attach芯片粘接芯片粘接Epoxy Cure銀漿固化銀漿固化Epoxy Storage：零下零下50度存放；度存放；Epoxy Aging：使用之前回溫，除使用之前回溫，除去氣泡；去氣泡；Epoxy Writing：點銀漿于點銀漿于L/F的的Pad上，上，Pattern可選可選；Logo2021/3/9FOL Die Attach 芯片粘接芯片粘接芯片拾取過程：芯片拾取過程：1、Ejector Pin從從wafer下方的下方的Mylar頂起芯片，使之便于頂起芯片，使之便于 脫離藍膜；脫離藍膜；2、C

15、ollect/Pick up head從上方吸起芯片，完成從從上方吸起芯片，完成從Wafer 到到L/F的運輸過程；的運輸過程；3、Collect以一定的力將芯片以一定的力將芯片Bond在點有銀漿的在點有銀漿的L/F 的的Pad上，具體位置可控；上，具體位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s；Logo2021/3/9FOL Die Attach 芯片粘接芯片粘接Epoxy Write：Coverage 75%;Die Attach：Placement99.95%的高純的高純 度

16、的錫（度的錫（Tin），為目前普遍采用的技術，符合），為目前普遍采用的技術，符合 Rohs的要求；的要求； Tin-Lead：鉛錫合金。：鉛錫合金。Tin占占85%，Lead占占 15%，由于不符合，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰；，目前基本被淘汰；Logo2021/3/9EOL Post Annealing Bake（電鍍退火）（電鍍退火）目的：目的： 讓無鉛電鍍后的產品在高溫下烘烤一段時間，目的在于讓無鉛電鍍后的產品在高溫下烘烤一段時間，目的在于 消除電鍍層潛在的晶須生長（消除電鍍層潛在的晶須生長（Whisker Growth）的問題）的問題;條件：條件： 150+/-5C; 2Hrs

17、；晶須晶須晶須，又叫晶須，又叫Whisker，是指錫，是指錫在長時間的潮濕環在長時間的潮濕環境和溫度變化環境境和溫度變化環境下生長出的一種須下生長出的一種須狀晶體，可能導致狀晶體，可能導致產品引腳的短路產品引腳的短路。Logo2021/3/9EOL Trim&Form（切筋成型）（切筋成型）Trim：將一條片的：將一條片的Lead Frame切割成單獨的切割成單獨的Unit（IC）的過程；）的過程；Form：對：對Trim后的后的IC產品進行引腳成型，達到工藝需要求的形狀，產品進行引腳成型，達到工藝需要求的形狀， 并放置進并放置進Tube或者或者Tray盤中；盤中；Logo2021/3/9EOL Trim&Form（切筋成型）（切筋成型）Cutting Tool&Forming PunchCutting DieStripper PadFor