1、 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 1 2.1 光電檢測器件的物理基礎光電檢測器件的物理基礎 1、光電導效應、光電導效應 2、雜質光電導效應、雜質光電導效應 3、光生伏特效應、光生伏特效應 4、光熱效應、光熱效應 2.2 光電檢測器件的特性參數光電檢測器件的特性參數 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 2光電效應：物質受光照射后，材料電學性質發生了變化光電效應：物質受光照射后，材料電學性質發生了變化（發射電子、電導率的改變、產生感生電動勢）現象。（發

2、射電子、電導率的改變、產生感生電動勢）現象。 包括：包括： 外光電效應：產生電子發射外光電效應：產生電子發射 內光電效應：內部電子能量狀態發生變化內光電效應：內部電子能量狀態發生變化 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 3 光電導效應：光照射的物質電導率發生改變，光照變化引光電導效應：光照射的物質電導率發生改變，光照變化引起材料電導率變化。是光電導器件工作的基礎。起材料電導率變化。是光電導器件工作的基礎。 物理本質：物理本質：光照到半導體材料時，晶格原子或雜質光照到半導體材料時，晶格原子或雜質原子的束縛態電子吸收光子能量并

3、被激發為傳導態自由電原子的束縛態電子吸收光子能量并被激發為傳導態自由電子，引起材料載流子濃度增加，因而導致材料電導率增大。子，引起材料載流子濃度增加，因而導致材料電導率增大。 屬于內光電效應。屬于內光電效應。 包括：包括： 本征和非本征兩種，對應本征和雜質半導體材料。本征和非本征兩種，對應本征和雜質半導體材料。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 4本征光電導效應：是指本征半導體材料發生光電導效應。本征光電導效應：是指本征半導體材料發生光電導效應。 即：光子能量即：光子能量hvhv大于材料禁帶寬度大于材料禁帶寬度E Eg

4、g的入射光，才能激光出電的入射光，才能激光出電子空穴對，使材料產生光電導效應。針對本征半導體材料。即：子空穴對，使材料產生光電導效應。針對本征半導體材料。即： hvEg即存在截止波長：即存在截止波長：0=hc/Eg=1.24/Eg。基本概念：基本概念：1 1、穩態光電流：、穩態光電流：穩定均勻光照 2 2、暗電導率和暗電流、暗電導率和暗電流3 3、亮電導率和亮電流、亮電導率和亮電流 4 4、光電導和光電流、光電導和光電流 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 5基本公式：基本公式：暗電導率暗電導率G Gd d= =d dS/

5、LS/L暗電流暗電流I Id d= = d dSU/LSU/L亮電導率亮電導率G Gl l= = l lS/LS/L亮電流亮電流I Il l= = lSU/L光電導光電導G Gp p= = S/LS/L光電流光電流I Ip p= = SU/LSU/L光電導效應示意圖LS本征半導體樣品本征半導體樣品光光U 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 6 光電導效應是非平衡光電導效應是非平衡載流子效應，因此存在一載流子效應，因此存在一定的弛豫現象，即光電導定的弛豫現象，即光電導材料從光照開始到獲得穩材料從光照開始到獲得穩定的光電流需要

6、一定的時定的光電流需要一定的時間。同樣光電流的消失也間。同樣光電流的消失也是逐漸的。弛豫現象說明是逐漸的。弛豫現象說明了光電導體對光強變化的了光電導體對光強變化的反應快慢程度，稱為惰性。反應快慢程度，稱為惰性。EtOi(%)tO1006337rf矩形光矩形光脈沖脈沖光電導對光強變化反應的惰性引起光電流變化的延遲 輸出光電流與光功率調制頻率輸出光電流與光功率調制頻率變化關系是一低通特性。變化關系是一低通特性。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 7 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelect

7、ronics research 8 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 9 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 10IpPN_VDV+光照光照PNEcEvEFeVD無光無光照照有光有光照照PNEcEvEFeVD-eV形成過程：形成過程：空穴空穴電子電子光生（正向）電壓產生正向注入光生（正向）電壓產生正向注入電流（由電流（由P P指指N N）：）： I I+ +=I=Is sexp(qV/kT)-1exp(qV/kT)-1I+ 信息光電子研究所信息光電子

8、研究所 Information optoelectronics research 11當當PNPN結外接回路時，總電流與光生電流和結電流之間關系：結外接回路時，總電流與光生電流和結電流之間關系： I=II=Ip p-I-I+ +=I=Ip p-I-Is sexp(qV/kT)-1exp(qV/kT)-1負載接入外回路，電流為負載接入外回路，電流為I I，則，則PNPN結兩端電壓為：結兩端電壓為： V=(kT/q)ln(IV=(kT/q)ln(Ip p-I)/I-I)/Is s+1 +1 PNPN結開路時，結開路時，I=0I=0，求得開路電壓：，求得開路電壓：V Voc oc =(kT/q)ln

9、 (I=(kT/q)ln (Ip p/I/Is s+1)+1) 可見可見V Vococ與與I Ip p為非線性關系。為非線性關系。PNPN結短路，結短路，V=0V=0，求得短路電流即光電流：，求得短路電流即光電流：I Iscsc=I=Ip p=q=q/h/h=P=P沒有光照時，沒有光照時，I Ip p=0=0，外加正向電壓為，外加正向電壓為V V時，有時，有I I+ +=I=Is sexp(qV/kT)-1exp(qV/kT)-1注意：光伏效應與光照相聯系的是少數載流子的行為，少數載流注意：光伏效應與光照相聯系的是少數載流子的行為，少數載流子的壽命通常很短。所以以光伏效應為基礎的檢測器件比以光

10、電子的壽命通常很短。所以以光伏效應為基礎的檢測器件比以光電導效應為基礎的檢測器件有更快的響應速度。導效應為基礎的檢測器件有更快的響應速度。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 12與與光電效應的區別：光電效應中，光子能量直接變為光電子光電效應的區別：光電效應中，光子能量直接變為光電子的能量，光熱效應中，光能量與晶格相互作用使其運動加劇，的能量，光熱效應中，光能量與晶格相互作用使其運動加劇，造成溫度的升高，從而引起物質相關電學特性變化。造成溫度的升高，從而引起物質相關電學特性變化。可可分為分為: :熱釋電效應、輻射熱計效應及

11、溫差電效應熱釋電效應、輻射熱計效應及溫差電效應 介質溫度在光照作用下溫度發生變化，介質的極化介質溫度在光照作用下溫度發生變化，介質的極化強度隨溫度變化而變化，引起表面電荷變化的現象。強度隨溫度變化而變化，引起表面電荷變化的現象。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 13 物理本質：極化晶體極化晶體：在外電場和應力為零情況下自身具有自發極化的晶體，原因是內部電偶極矩不為零，表面感應束縛電荷。+-+-+-+-+-+-_P(T1)P(T2)+-+-+-+-+-+-_j工作溫度T1（左）和工作溫度T2T1（右）極化晶體表面束縛電荷

12、，被周圍自由電荷不斷中和，表面無電荷。光照時，晶體溫度升高，電偶極子熱運動加劇，極化強度減弱，表面感應電荷數減小，但中和過程（達數秒）要遠大于極化強度的響應過程（10-12s），相當于釋放了一些電荷，對外表面為電流。可以在這些電荷被中和之間測量到。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 14熱釋電現象中：溫度對自發極化強度的影響。TcPTOTcPTO極化晶體的極化強度與溫度T的關系：一級相變（左）和二極相變（右）隨著溫度的升高，自發極化強度越來越弱，當達到一定溫度時，自發極化強度為零，極化晶體發生相變為非極化晶體。 信息光電

13、子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 15入射光照射材料由于受而造成電阻率變化的現象稱為輻射熱計效應。由溫度引起電阻率變化。阻值與溫度變化關系：R=TRTT為電阻溫度系數R為元件電阻當溫度變化足夠小時， T=1/R*dR/dT對金屬材料，R=BT，則T=1/T，呈反比關系。對半導體材料，R與T具有指數關系，則T=-B/T2。說明溫度越高，電阻溫度系數越小。B為常數，典型值3000K。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 16 由兩種不同材料制成的結點由于受到某種

14、因素作用而出現了溫差，就有可能在兩結點間產生電動勢，回路中產生電流，這就是溫差電效應。當有光照結點產生溫度變化就會產生溫差電現象。另外，如果在圖中x，y處接一電動勢，導體中產生電流，兩個接點1和2處就會出現一個吸熱一個放熱的現象。吸（放）熱速率：dp/dt=I，稱為帖耳帖系數xyT1T212導體a導體b 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 17 光電檢測器件利用特質的光電效應把光信號轉換成電信號的器件，它的性能對光電檢測系統影響很大。根據工作機理的不同，可分為光子檢測器件和熱電檢測器件。熱電檢測器件熱釋電檢測器（熱釋電效應

15、）熱敏電阻（輻射熱計效應）熱電偶和熱電堆（溫差電效應）一、分類 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 18光子檢測器件電真空或光電發射型檢測器件固體或半導體光電檢測器件光電管光電倍增管光導型：光敏電阻光伏型：光電池光電二、三極管光子檢測器件（即通常意義上的光電檢測器件）分類： 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 19熱敏檢測器件的特點： 1、響應波長無選擇性。對各種波長具有相同的敏感性。 2、響應慢。即吸收輻射后產生信號所需時間長，在毫秒量級光子檢測器件

16、的特點： 1、響應波長有選擇性。存在截止波長。 2、響應快。一般為納秒到幾百微秒 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 20二、特性參數1、響應度（或稱靈敏度）S電壓響應度：SV=Vo/Pi電流響應度：SI=Io/Pi 其中：Vo和Io分別為光電檢測器輸出電壓和輸出電流。P為入射光功率（或用通量表示）。2、光譜響應度S()光譜響應度：S()=Vo/() (V/W)S()=Io/() (A/W)()為入射的單色輻射通量或光通量。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics rese

17、arch 213、積分響應度S： 表示檢測器對各種波長的輻射光連續輻射通量的反應程度，光電檢測器件輸出的電流或電壓與入射光通量之比。各種輻射波長的總光通量為：=?不同波長光輻射引導的總輸出光電流Io=? 則積分響應度S=？ 式中0和1分別為光電檢測器的長波限和短波限。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 224、響應時間： 響應時間是描述光電檢測器對入射輻射響應快慢的參數。即入射光輻射到檢測器后或入射光被遮斷后，光電檢測器件輸出上升到穩定值或下降到照射前的值所需要的時間。 當一個輻射脈沖照射光電檢測器時，如果這個脈沖上升和

18、下降時間很短，則光電檢測器由于惰性而有延遲。上升時間r和下降時間f矩形光矩形光脈沖脈沖入入射射光光tOrfI光光tO10.10.9 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 235、頻率響應S(f)： 由于光電檢測器信號的產生和消失存在著一個滯后過程，所以入射光輻射的頻率對光電檢測器的響應將有很大的影響，把光電檢測器的響應隨入射輻射的調制頻率而變化的特性稱為頻率響應。 利用時間常數可得到頻率響應關系： S(f)=S0/1+(2f)21/2 S0為頻率是零時的響應度；為時間常數。 可求得放大器的上限截止頻率：f上=1/2=1/2R

19、C 可見： 光電檢測器電路時間常數決定了頻率響應帶寬 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 246、熱噪聲： 當入射輻射功率很低時，輸出只是些雜亂無章的變化信號，無法肯定是否為入射輻射信號，這是檢測器固有的噪聲引起的。其時間平均值為零，但均方根不等于零，即存在瞬時電流擾動。這個均方根電壓（或電流）即為噪聲電壓（流）。熱噪聲是由載流子無規則運動造成的。 熱噪聲電壓和電流均方值為：？=4kTRf ？=4kT(f/R) 其中R為導體電阻，k為玻耳茲曼常數，T為導體的熱力學溫度，f為測量系統的噪聲帶寬。熱噪聲存在于任何電阻中，與溫度

20、成正比，與頻率無關，說明熱噪聲是由各種頻率分量組成，可稱為白噪聲。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 257、散粒噪聲： 或稱散彈噪聲，即穿越勢壘的載流子的隨機漲落（統計起伏）所造成的噪聲。理論表明，在每個時間段內，穿越勢壘區的載流子數或從陰極到陽極的電子數都在一個平均值上下起伏。這種起伏引起的均方噪聲電流為： ？=2qIDCf 其中IDC為流過器件電流的直流分量（平均值）,q為電子電荷， 散粒噪聲也屬于白噪聲。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research

21、268、信噪比（S/N）： 信噪比是判斷噪聲大小通常使用的參數。它是在負載電阻RL上產生的信號功率與噪聲功率比。 S/N=PS/PN=IS2RL/IN2RL=IS2/IN2用分貝（dB）表示： （S/N)dB=10lg(IS2/IN2)=20lg(IS/IN) S/N的大小與入射信號輻射功率及接收面積有關，入射輻射強，接收面積大，則S/N就大。但性能不一定就好，對兩種光電器件只有在相同信號輻射功率相同情況下才能比較。 信息光電子研究所信息光電子研究所 Information optoelectronics research 279、線性度（非線性誤差）： 線性度是描述光電檢測器輸出信號與輸入信