模擬電子電路例題半導(dǎo)體器件例題_第1頁
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1、模擬電子電路例題 _半導(dǎo)體器件例題:1.電路如例圖(a)所示。當(dāng)開關(guān)S 分別在 “ 1和”“ 2時(shí)”,問哪一個(gè)位置的I c 較大,哪一個(gè)位置的集電極與發(fā)射極之間的耐壓較高,為什么?( a)(b) 解 :S 置于 “1”時(shí),發(fā)射結(jié)被短路,這時(shí)的Ic 為集電結(jié)反向飽和電流;C、E 極間的耐壓為。 S 置于 “2”,基極開路,時(shí)Vcc 被集電結(jié)和發(fā)射結(jié)分壓,使發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置,此時(shí)的;C、 E 極間耐壓為。故 S 置于位置 “2”是的 Ic 較大;在位置 “1”時(shí),管子集電極與發(fā)射極間的耐壓較高。分析: S 置于 “2時(shí)”,晶體管內(nèi)部的載流子分配關(guān)系如例圖(b)所示。 Vcc 在兩個(gè)

2、“結(jié) ”上分壓,使發(fā)射結(jié)(JE )正就偏、集電結(jié)(JC)反偏。從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的多子中,有一部分在基區(qū)復(fù)合形成電流,大部分飄移到集電區(qū),形成,即。集電結(jié)還有少子漂移電流,由于 IB=0,故=,。2測(cè)得各晶體管在無信號(hào)輸入時(shí),三個(gè)電極相對(duì)于" 地 "的電壓如例圖三所示。問哪些管子工作于放大狀態(tài),哪些處于截止、飽和、倒置狀態(tài),哪些管子已經(jīng)損壞?1 解 工作于放大狀態(tài)時(shí),晶體管的發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。故圖(b)、( e)、( g)中的晶體管工作于放大狀態(tài)。晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置時(shí),工作于飽和狀態(tài)。本題中的圖(d)、( f ),其晶題管處于飽和狀態(tài)。晶體管

3、的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置時(shí),工作于截止?fàn)顟B(tài)。本題的圖(a)中晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。圖( c)中的晶體管工作于倒置狀態(tài),因?yàn)樗陌l(fā)射結(jié)被反向偏置,集電結(jié)被正向偏置。圖( h)中的晶體管,其VBE 2.7V ,已遠(yuǎn)大于硅NPN 型晶體管發(fā)射結(jié)正向偏置時(shí)的電壓,故該管已損壞。分析: 1)發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的偏置情況是判斷管子工作狀態(tài)的依據(jù);2)發(fā)射結(jié)正向偏置時(shí),硅管和鍺管的 |VBE |分別約為 0.60.8V和 0.2 0.4V 。當(dāng)發(fā)射結(jié)正向偏置、且|VBE|遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于這一范圍時(shí),管子發(fā)射極與基極間已開路,而|V BE| 0 時(shí),兩個(gè)電極間已短路,管子均可能已經(jīng)損壞。模擬電子電路例題 _基本放大

4、電路例題:21.已知如圖所示,R1 10k ,R2 51k ,Rc 3k ,Re 500 ,Vcc 12V,3DG4 的 30。( 1)計(jì)算 ICQ,IBQ,VCEQ 。( 2)若換上一只 60 的同類型管,估計(jì)放大電路能否正常工作。( 3)若溫度由升到,試說明Vc(對(duì)地)將如何變化(增加或減少)。( 4)如果換上 PNP 型的三極管,試說明應(yīng)作哪些改動(dòng)(包括電容的極性)才能保證正常工作。若 仍為 30,則各靜態(tài)值將有多大的變化?解:( 1)這種電路的特點(diǎn)是基極電位基本固定,進(jìn)而固定了IE 和 I C,因此分析Q 點(diǎn)的思路是:所以3()換上 60 的同類型管子,ICQIEQ 不變,放大電路照常

5、工作,只是IBQ 變了。( 3)若溫度升高這也可用圖解法直觀解釋:溫度,由,作負(fù)載線OA 如圖示,工作點(diǎn)由Q 移到 Q' ,引起IC 增加。( 4)如果換上PNP 管,則應(yīng)將電源VCC 及電解電容的極性反向才能正常工作,此時(shí)VB 2V ,若仍為 30,則,注意 VBE 0.2V則在 PNP 管電路中VCE 出現(xiàn)正值是不可能的,它表明管子進(jìn)入飽和狀態(tài),可見,當(dāng) PNP 管和 NPN管替換時(shí),由于的差異,可能使靜態(tài)值產(chǎn)生較大的變化,這必須在應(yīng)用時(shí)引起注意!42. 如圖所示基本放大電路中,設(shè)晶體管 100 ,VBEQ 0.2V , rbb ' 200 , RB 470k ,RC 3k

6、 ,RL3k ,C1,C2 足夠大,在工作頻率處電抗值忽略不計(jì)。( 1)估算靜態(tài)時(shí) ICQ,IBQ,VCEQ。( 2)估算 Vbe 值。( 3)求電壓放大倍數(shù) Av。( 4)若輸入電流波形為對(duì)稱正弦波,當(dāng)輸入信號(hào)逐步加大時(shí),首先出現(xiàn)截止失真還是飽和失真?示波器熒光屏上觀察到的波形是頂部還是底部削平?為減少失真,應(yīng)如何調(diào)整元件?解:( 1)注意:此題思路和例一思路不同,由,并注意 PNP 管電壓極性是負(fù)值。5( 2)( 3)()當(dāng)輸入信號(hào)逐步加大時(shí),首先出現(xiàn)飽和失真。因?yàn)檩斎雽?duì)稱電流波形,輸出電流、電壓波形基本上也是對(duì)稱的,但由于V,故可判知Ic 偏大, Q點(diǎn)偏高。在CEQ=3.7V , 小于示

7、波器熒光屏上觀察到的波形是頂部削平。因?yàn)镻NP 管時(shí)負(fù)電源供電,輸出電流增大,vCE 朝負(fù)得少的方向變化。 為了減少失真,應(yīng)增大RB 或減小 RC,但減小 RC 將使 AV 下降, 是不可取的。3. 電路如圖所示,已知三極管3DG4A 的, r bb80 , RB 96k ,RC 2.4k ,RE2.4k ,VCC 24V, 交流輸入信號(hào)電壓有效值vi 1V 。試求:( 1)輸出電壓Vo1, Vo2(有效值)。6( 2)用內(nèi)阻為10k 的交流電壓表分別測(cè)量o1o2時(shí),表的讀數(shù)是多少?v和 v解:( 1)先計(jì)算I BQ 及 r beb.計(jì)算 Vo1 和 Vo2,先計(jì)算 Av1 和 Av2其中負(fù)號(hào)

8、表示vo1 和 vi 的相位相反。故同理則分析說明:( 1)注意求Av1 時(shí)是共射組態(tài),求Av2 是共集電極組態(tài)。7( 2)集電極輸出電阻 RL 較大,電壓表接入測(cè)量誤差較大。從發(fā)射極輸出(共集接法),輸出電阻較小,電壓表接入后誤差較小。(3) 集電極輸出相位和基極輸入信號(hào)相位相反,發(fā)射極輸出信號(hào)相位和基極信號(hào)輸入信號(hào)相位相同。4. 電路如圖所示,已知 RB 500k , RC 2k ,信號(hào)源內(nèi)阻 Rs 1k ,電容器 C1 C210uF,晶體管的 rbb'200 , rb'e 1.2k ,跨導(dǎo) gm40mS, Cb'e 200pF, Cb'c 2pF()畫出該

9、電路在中頻區(qū),低頻區(qū),高頻區(qū)工作時(shí)的簡(jiǎn)化混合參數(shù)等效電路。( 2)估算時(shí),中頻放大倍數(shù)Avsm,上限截止頻率fH 及下限截止頻率fL 的值。( 3)試求 RL 2k, CL 6800pF 時(shí)的 fH 和 fL 值。解:( 1)低頻區(qū)中頻區(qū)高頻區(qū)8將用密勒定理等效為和并注意, 計(jì)算時(shí)可忽略。( 2)計(jì)算且忽略RB 時(shí)由于,故 C2 不影響電路的低頻區(qū)特性,所以在高頻區(qū),因?yàn)樗怨剩瑢?duì)放大電路高頻區(qū)特性影響可忽略。所以9( 3)負(fù)載RL 接入后, C1, C2 均將影響放大電路的低頻響應(yīng),它們的影響分別用fL1 , fL2描述:故整個(gè)電路的下限截止頻率對(duì)高頻特性影響為:由于,故10表明:當(dāng)時(shí), f

10、H 取決于, 即若忽略不會(huì)引起大的誤差。5. 電路如圖所示,已知 RB1 15k , RB2 RB3 7.5k ,RC 5.1k , RE 4.1k , RL 10k ,CL1 CL2 6800pF, T1,T2 特性相同的硅管3DG11, 1 2 50, r bb 均為 100 ,結(jié)電容可忽略,C1 C2 47uF, Ce 100uF, CB 10uF求:中頻放大倍數(shù)Av , Ri , Ro, fH 。解:首先要判斷T1 是共射電路, T2 是共基電路, T1、 T2 組成共射共基電路組態(tài),共基電路輸入電阻小,輸出電阻大,高頻特性好,要求動(dòng)態(tài)值首先求靜態(tài)值。求動(dòng)態(tài)值,畫出h 參數(shù)微變等效電路

11、如圖示其中11又因?yàn)閯t求 Ri , Ro整個(gè)電路輸入電阻整個(gè)電路輸出電阻12求 fH只考慮 CL1 ,則只考慮 CL2 ,則所以,取。模擬電子電路例題 _功率放大電路例題 :131.功率放大電路如左圖所示,已知,負(fù)載電阻。設(shè)晶體管,的特性相同,死區(qū)電壓可忽略。求: 1、求,時(shí)的,;2、時(shí),電路的最大輸出功率及此時(shí)的,及每管的功耗;3、,時(shí)的,。4、電路的最大輸出功率及此時(shí)的,;5、時(shí)對(duì)應(yīng)于每個(gè)管子的功耗最大的值及此時(shí)每個(gè)管子的功耗。答案答案:(1)此電路為互補(bǔ)推挽OCL.,由,.14;(2);(3)( 負(fù)載兩端輸出電壓)(總輸出在R 和 RL 的電壓);( 4)15;( 5)162.電路如圖(

12、 a)所示,已知,各晶體管,調(diào)節(jié)使,足夠大,試求:(1) 該電路的最大的輸出電壓幅值,最大輸出功率以及相應(yīng)的直流電源消耗的功率。T1 和 T2 每管的管耗和輸出級(jí)的能量轉(zhuǎn)換效率。(2) 有人將( a)電路轉(zhuǎn)為( b)圖電路,以提高最大輸出電壓幅值,試分析其工作原理。答案答案:17解:( 1)靜態(tài)時(shí), Ve2=VA =0.5VCC =7.5V足夠大,Ve2 上有 7.5V 的直流電源等效. Vom= VCC-Ve2-VCES1=15-7.5-1=6.5V 。,;(2) 上面求得 (a)輸出電壓幅度的最大值,實(shí)際上是達(dá)不到的,也就是不可能飽和,因?yàn)橥ǔ?Vom=VCC-iBM Rc-VBE-Ve2

13、=0.5VCC-( VBE+ iBM RC)要飽和,必先上升,。因此受到限制,現(xiàn)在加接一個(gè)R(如圖(b),隨負(fù)半周到來,電位升高,也升高,會(huì)使,使 T1 基極電位被提升,,最大輸出電壓幅值增大,可達(dá)到,大電容C 起到 “自舉 ”的作用。模擬電子電路例題 _電流源電路和差動(dòng)放大電路例題:181. 已知如左圖所示試求: (1),(2) 差模電壓放大倍數(shù),并說明恒流源 T3,T4 作用。解:電路是由T1,T2 雙端輸入單端輸出,(1) 計(jì)算,要從 T5,T6 恒流源入手19(2) T3,T4 組成鏡像電流源,輸入差模電壓時(shí)注意方向減小,則增加。可見 T3,T4 既作為差動(dòng)放大電路的有源負(fù)載又作雙端輸入轉(zhuǎn)化為單端輸出時(shí)具有雙端輸出的放大倍數(shù)。202. 附:差動(dòng)放大電路分析計(jì)算中的幾個(gè)問題?(1) 靜態(tài)工作點(diǎn) Q 如何計(jì)算?1.對(duì)恒流源電路則以恒流源為突破口,見上題。 .對(duì)長(zhǎng)尾式電路可把Re 一分為二,利用半邊直流通路求解例圖一,二,三。21(2) 兩管輸入不平衡如何處理?可將輸入信號(hào)分解為差模和共模兩種成分進(jìn)行疊加分別計(jì)算。例圖。(3) 單端輸入也是一種輸入不平衡的狀況,例圖。(4) 雙端輸入時(shí)的負(fù)載 Rl 如何處理 ?對(duì)于差模放大電路,兩個(gè)輸出端的電壓極性是相反的,一邊為正一邊為負(fù)。因此Rl/2

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