33012023-02-28發布I本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規則》的規定請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別專利的責任。本文件主要起草人：李春楠、傅巧娟、張曉瑩、趙福康、錢麗華、阮若昕、沈國1雜交蘭種苗組培快繁技術規程本文件適用于雜交蘭種苗組培擴繁至馴化栽培的生GB/T8321（所有部分）農藥合理NY/T496—2010肥料合理使用準則通則NY/T1276—2007農藥安蘭花外植體誘導培養時，莖尖生長點組織逐漸膨大形成的4組培苗培養4.1.1母株的預處理環境，溫度宜15℃~25℃,光照宜8000lux～12000lux。4.1.2外植體的選取24.1.3.1用潔凈的軟毛刷輕刷外植體表面，去除表面污垢，浸入洗潔精等清潔劑中震蕩清洗50min~4.1.3.2剝去1片~2片外苞葉，75%酒精浸泡消毒90s,無菌水清洗2次~3次。4.1.3.3再剝去1片~2片外苞葉，浸入10%NaCl0溶液，加入2滴～3滴吐溫20,處理10min,無菌水清洗3次~4次。4.1.3.4浸入0.1%HgCl?溶液，加入2滴～3滴吐溫20,根據芽的大小滅菌15min~17min,無菌水清洗5次~6次。4.1.3.5再剝去1片~2片外苞葉，將剝離的芽浸入0.05%HgCl?溶液中消毒60s,無菌水清洗5次~取消毒后的芽，剝離0.3cm~0.5cm的莖尖組織接種于初代培養基誘導類培養基配方宜為：1/2MS+1mg/L6-BA+1mg/LIBA+1g/L活性炭+30g/L蔗糖+5g/L瓊脂，pH值5.6~5.8。光照16h/d,光照強度500lux~1000lux,溫度(25±1)℃;暗培養時溫度為(20±1)℃。初代培養60d后，將誘導形成的類原球莖分割為體積約0.4cm×0.4cm×0.4cm的團塊，接種于繼代培養基上，每隔60d~75d繼代一次，分割時去除類原球莖上分化的芽和根，繼代次數不宜超過12代。培養基配方宜為：Hyponex1(花寶1號)+0.5mg/L6-BA+0.5mg/LNAA+50g/L香蕉泥+2g/L水解酪蛋白+1g/L活性炭+30g/L蔗糖+5g/L瓊脂，pH值5.6～5.8。光照16h/d,光照強度500lux~1000lux,溫度(25±1)℃;暗培養時溫度為(20±1)℃。將增殖的類原球莖分割為體積約0.4cm×0.4成芽，類原球莖之間的距離不宜少于1.5cm。3培養基配方宜為：1/2MS+0.5mg/L6-BA+0.1mg/LNAA+10%椰汁+0.2g/L活性炭+20g/L蔗糖+6g/L瓊脂，pH值5.6～5.8。光照16h/d,光照強度1200lux~2000lux,溫度(25±1)℃;暗培養時溫度為(20±1)℃。待芽長至3cm~5cm時，將其切下接種于生根培養基培養50d~70d。培養基配方宜為：Hyponex1(花寶1號)+0.1mg/L6-BA+0.5mg/LNAA+100g/L香蕉泥+2g/L水解酪蛋白+1g/L活性炭+30g/L蔗糖+7g/L瓊脂，pH值5.6～5.8。光照16h/d,光照強度2000lux~2500lux,溫度(25±1)℃;暗培養時溫度為(20±1)℃。當苗高長至8cm~12cm、根數達到3條~5條、根長3cm~5cm時，將瓶苗轉移至溫室馴化培養，覆蓋70%遮陽率的遮陽網5d~7d,而后揭去遮陽網繼續培養10d～20d,移栽前，打開瓶口放置2d~3d。光照強度宜4000lux~5000lux,白天溫度宜25℃~30℃,夜間溫度不宜低于20℃,取出幼苗，洗凈根部培養基，宜用50%多菌靈可濕性粉劑1000倍液等廣譜殺菌劑浸泡15min,晾栽后具體管理措施詳見附錄A。組培苗質量等級見附錄B。4每箱應貼上標簽，標明品種名稱、等級、數量、產地、出苗日期等，并在紙箱上做好“請勿倒置”運輸時