1T/QGCMLXXXX—XXXX屏蔽柵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)要求本文件規(guī)定了屏蔽柵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（以下簡稱“晶體管”）的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存。本文件適用于屏蔽柵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的研發(fā)、生產(chǎn)、檢驗和使用。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T228.1金屬材料拉伸試驗第1部分:室溫試驗方法GB/T4586半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管GB/T4589.1半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937.23半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第23部分：高溫工作壽命GB50235工業(yè)金屬管道工程施工規(guī)范3術(shù)語和定義GB/T4586、GB/T4937.23界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1屏蔽柵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管shieldedgatemetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor一種通過集成屏蔽電極結(jié)構(gòu)降低柵漏電容和開關(guān)損耗的功率場效應(yīng)晶體管，其柵極下方設(shè)有與源極相連的屏蔽層，用于優(yōu)化電場分布和動態(tài)特性。3.2體二極管正向壓降bodydiodeforwardvoltagedrop器件內(nèi)部寄生二極管在額定正向電流下的導(dǎo)通壓降，表征其導(dǎo)通損耗特性。3.3反向恢復(fù)電荷reverserecoverycharge體二極管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)時，反向恢復(fù)過程中釋放的總電荷量，反映二極管的反向恢復(fù)損耗。3.4結(jié)到殼熱阻junctiontocasethermalresistance器件結(jié)溫與封裝外殼表面溫度之間的熱阻，用于評估封裝散熱性能。4技術(shù)要求4.1外觀4.1.1外形表面清潔，無污染、腐蝕和其他多余物。4.1.2封裝無破損、裂紋、傷痕，引出線不斷裂、不松動，無可見損傷。4.1.3金屬鍍層不起皮，不脫離，不生銹，不變色。4.2電氣特性2T/QGCMLXXXX—XXXX4.2.1靜態(tài)參數(shù)4.2.1.1漏源擊穿電壓在溫度25℃、相對濕度40%條件下，器件漏源間應(yīng)能承受規(guī)定的最大電壓且不發(fā)生擊穿，漏電流不超過規(guī)定閾值。4.2.1.2柵源閾值電壓在漏極短接、ID=1mA、溫度25℃的條件下，使漏極電流達(dá)到閾值時的柵源電壓值應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)，且隨溫度變化應(yīng)符合規(guī)定要求。4.2.1.3導(dǎo)通電阻在特定的漏電流ID=10A、柵源電壓10V和溫度25℃下，漏源間的等效電阻應(yīng)足夠低。4.2.1.4漏源漏電流在柵源電壓為0V、溫度25℃的條件下，漏源間的漏電流應(yīng)極小。4.2.1.5柵源漏電流在柵源電壓±20V下，柵源間的漏電流應(yīng)控制在極低水平。4.2.1.6體二極管正向壓降在體二極管導(dǎo)通、電流為額定值時，其正向壓降應(yīng)優(yōu)化至最小，以減小導(dǎo)通損耗。4.2.2動態(tài)參數(shù)在規(guī)定的驅(qū)動電壓和負(fù)載條件下，器件的開通時間和關(guān)斷時間應(yīng)足夠短。4.2.2.1開通時間與關(guān)斷時間在器件開關(guān)過程中，柵極所需的總電荷量應(yīng)優(yōu)化。4.2.2.2柵極總電荷在器件開關(guān)過程中，柵極所需的總電荷量應(yīng)優(yōu)化。4.2.2.3反向恢復(fù)電荷在器件從導(dǎo)通到關(guān)閉的轉(zhuǎn)換過程中，反向恢復(fù)電荷應(yīng)盡可能小。4.2.2.4開關(guān)損耗在器件的開關(guān)過程中，由于電壓和電流的重疊而產(chǎn)生的損耗應(yīng)控制在合理范圍內(nèi)。4.2.2.5米勒電容在特定的偏置條件下，器件的米勒電容應(yīng)優(yōu)化。4.3熱性能4.3.1結(jié)到環(huán)境熱阻在規(guī)定的測試條件下，器件的結(jié)到環(huán)境熱阻應(yīng)足夠低。4.3.2結(jié)到殼熱阻在規(guī)定的測試條件下，器件的結(jié)到殼熱阻應(yīng)優(yōu)化。4.4可靠性4.4.1高溫反向偏置器件應(yīng)在高溫150℃反向偏置條件下穩(wěn)定工作1000小時，無性能退化現(xiàn)象。3T/QGCMLXXXX—XXXX4.4.2高溫柵極應(yīng)力器件應(yīng)在高溫150℃柵極應(yīng)力條件下穩(wěn)定工作1000小時，無性能退化現(xiàn)象。4.4.3高加速溫濕度器件應(yīng)能在高加速溫濕度條件下穩(wěn)定工作1000小時，無性能退化現(xiàn)象。4.4.4溫度循環(huán)器件應(yīng)能在溫度循環(huán)-55℃~150℃條件下穩(wěn)定工作100次循環(huán)，無性能退化現(xiàn)象。4.5封裝與機(jī)械特性4.5.1引腳抗拉強(qiáng)度引腳抗拉強(qiáng)度應(yīng)符合GB/T228.1的規(guī)定。4.5.2耐焊接熱器件應(yīng)能耐受焊接過程中的高溫260℃,無性能退化現(xiàn)象。4.5.3氣密性器件封裝應(yīng)具有良好的氣密性，在規(guī)定的測試條件下無泄漏現(xiàn)象。5試驗方法5.1電氣特性5.1.1靜態(tài)參數(shù)5.1.1.1漏源擊穿電壓按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過逐步施加反向電壓并監(jiān)測漏電流變化判定擊穿點。5.1.1.2柵源閾值電壓按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過階梯遞增柵壓至漏極電流達(dá)閾值。5.1.1.3導(dǎo)通電阻按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過施加恒定電流并測量漏源電壓計算阻值。5.1.1.4漏源漏電流按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過施加最大額定漏源電壓并采用高精度電流表測量漏電流。5.1.1.5柵源漏電流按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過施加正/負(fù)柵壓并采用高阻計或皮安表測量漏電流。5.1.1.6體二極管正向壓降按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過施加額定正向電流并測量二極管兩端電壓。5.1.2動態(tài)參數(shù)5.1.2.1開通時間與關(guān)斷時間按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過方波驅(qū)動信號觸發(fā)器件。5.1.2.2柵極總電荷按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過柵極驅(qū)動波形積分測量總電荷量。5.1.2.3反向恢復(fù)電荷4T/QGCMLXXXX—XXXX通過雙脈沖測試電路施加反向電流并積分恢復(fù)電荷。5.1.2.4開關(guān)損耗按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，通過雙脈沖測試電路同步測量漏源電壓與漏極電流波形。5.1.2.5米勒電容按GB/T4586的規(guī)定執(zhí)行，采用小信號電容測試儀或動態(tài)柵極電荷法測量。5.2熱性能5.2.1結(jié)到環(huán)境熱阻通過施加恒定功率并測量結(jié)溫（紅外熱成像法或熱敏參數(shù)法）與環(huán)境溫度差計算熱阻值。5.2.2結(jié)到殼熱阻通過施加恒定功率并測量結(jié)溫（熱敏參數(shù)法）與封裝外殼溫度差計算熱阻值。5.3可靠性5.3.1高溫反向偏置按GB/T4937.23的規(guī)定執(zhí)行，通過高溫恒壓老化設(shè)備對器件施加反向偏置，定期監(jiān)測漏電流及靜態(tài)參數(shù)。5.3.2高溫柵極應(yīng)力通過高溫應(yīng)力試驗箱施加恒定柵壓，定期監(jiān)測閾值電壓及漏電流。5.3.3高加速溫濕度通過高加速應(yīng)力試驗箱模擬極端濕熱環(huán)境，定期監(jiān)測電參數(shù)及絕緣性能。5.3.4溫度循環(huán)按GB/T4937.23的規(guī)定執(zhí)行，通過熱沖擊試驗箱執(zhí)行溫度循環(huán)。5.4封裝與機(jī)械特性5.4.1引腳抗拉強(qiáng)度晶體管的引腳抗拉強(qiáng)度應(yīng)按GB/T228.1進(jìn)行。5.4.2耐焊接熱通過模擬焊接熱沖擊后，執(zhí)行剪切力測試、電性能復(fù)測及超聲波掃描（檢測內(nèi)部焊接空洞并觀察金相組織變化。5.4.3氣密性按GB50235的規(guī)定執(zhí)行，通過氦質(zhì)譜儀檢測泄漏率。6檢驗規(guī)則6.1檢驗分類晶體管檢驗分出廠檢驗和型式檢驗。6.2出廠檢驗出廠檢驗項目及要求見表1。表1檢驗項目5T/QGCMLXXXX—XXXX1√2-√3-√4-√5-√6 √7-√8-√9 √-√-√ √-√-√-√-√√√-√√√6.3形式檢驗型式檢驗項目為本文件全部內(nèi)容，有下列情況之一時，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗：a)新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)生產(chǎn)的試制定型鑒定時；b)設(shè)計、工藝、配方有重大改變可能影響產(chǎn)品質(zhì)量時；c)正常生產(chǎn)，每年進(jìn)行一次；d)停產(chǎn)一年，恢復(fù)生產(chǎn)時；e)出廠檢驗結(jié)果與上次型式檢驗有較