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文檔簡介
第31講晶體結構與性質
國練基礎
1.下列關于化學式為[TiCl(H2O)5]CHH2。的配合物的說法正確的是()
A.配體是C「和H2O,配位數是9
B.中心離子是Ti4+,配離子是[TiCl(H2O)5p+
C.內界和外界中的C廠的數目比是1:2
D.加入足量AgNCh溶液,所有C「均被完全沉淀
【答案】C
【解析】配合物[TiCl(H2O)5]CbH2O中配體是C「和HzO,配位數是6,A錯誤;中心離子是Ti3+,B
錯誤;加入足量AgNCh溶液,外界CF與Ag+反應,內界中CF不與Ag+反應,D錯誤。
2.下列說法錯誤的是()
A.分子晶體中一定存在分子間作用力,不一定存在共價鍵
B.原子晶體中只含有共價鍵
C.任何晶體中,若含有陽離子就一定含有陰離子
D.單質的晶體中一定不存在離子鍵
【答案】C
【解析】分子晶體中一定存在分子間作用力,不一定存在共價鍵,如稀有氣體是單原子分子,沒有化學鍵,
故A正確;相鄰原子之間只通過強烈的共價鍵結合而成的空間網狀結構的晶體叫作原子晶體,原子晶體中只含有
共價鍵,故B正確;金屬晶體中,含有陽離子卻不含有陰離子,故C錯誤;金屬單質中只有金屬鍵,非金屬單
質中可能存在共價鍵,單質的晶體中一定不存在離子鍵,故D正確。
973K
3.利用反應CCL+4Na而玄C(金剛石)+4NaCl可實現人工合成金剛石。下列關于該反應的說法錯
誤的是()
A.C(金剛石)屬于共價晶體
B.該反應利用了Na的強還原性
C.CCL和C(金剛石)中的C的雜化方式相同
D.NaCl晶體中每個C1周圍有8個Na+
【答案】D
【解析】D項,NaCl晶體中,每個Na卡同時吸引6個CC,每個C「同時吸引6個Na卡,配位數為6,
錯誤。
4.根據下表中給出的有關數據,判斷下列說法錯誤的是()
A1C13SiCl4晶體硼金剛石晶體硅
熔點/℃190-682300>35501415
沸點/℃17857255048272355
A.SiCL,是分子晶體
B.晶體硼是原子晶體
C.AlCb是分子晶體,加熱能升華
D.金剛石中的C—C鍵比晶體硅中的Si—Si鍵弱
【答案】D
【解析】SiCL、AlCb的熔、沸點低,都是分子晶體,AlCb的沸點低于其熔點,即在未熔化的溫度下它就能
汽化,故AlCb加熱能升華,A、C正確;晶體硼的熔、沸點高,所以晶體硼是原子晶體,B正確;由金剛石與晶
體硅的熔、沸點相對高低可知:金剛石中的C—C鍵比晶體硅中的Si—Si鍵強。
5.許多過渡金屬離子對多種配體有很強的結合力,能形成種類繁多的配合物。下列說法不正確的是
()
A.向配合物[CoBr(NH3)5]SC>4的溶液中加入BaCL溶液,有白色沉淀生成
B.配離子[Cu(H20)6p+中的CI?+提供接受孤電子對的空軌道,H2O中的0提供孤電子對
C.配合物[CU(NH3)4]SC)4-H2O的配體為NH3和H2O
D.配合物[Ag(NH3)2]0H的配位數為2
【答案】C
【解析】CU(NH3)4]SO4-H2。的配體只有NH3,C錯誤。
6.某晶體的一部分如圖所示,這種晶體中A、B、C三種粒子數之比是()
A.3:9:4B.1:4:2C,2:9:4D.3:8:4
【答案】B
【解析】A粒子數為6舄=),:6粒子數為6x1+3x1=2,C粒子數為1,故A、B、C粒子數之比為1:4:2。
1224o
7.如圖為甲、乙、丙三種晶體的晶胞:
試寫出:
(1)甲晶體化學式(X為陽離子)為O
(2)乙晶體中A、B、C三種微粒的個數比是o
(3)丙晶體中每個D周圍結合E的個數是=
(4)乙晶體中每個A周圍結合B的個數是0
【答案】(1/2丫(2)1:3:1(3)8(4)12
【解析】(3)丙中每個D周圍的E的個數與每個E周圍D的個數相同,每個E周圍有8個D,所以每個
D周圍結合有8個E。
(4)乙晶體中每個A周圍結合B的個數是3x8*3=12。
8.某晶體的晶胞結構如圖所示,X(。)位于立方體的頂點,Y(。)位于立方體的體心。
設該晶體的摩爾質量為晶體的密度為0g901、,阿伏加德羅常數的值為M,則晶體中兩個
距離最近的X之間的距離為cm。
【答案】64吸
【解析】由題意知,該晶胞中含有/個XY2(或Y2X),設晶胞的邊長為acm,則有M
WA)
則晶體中兩個距離最近的X之間的距離為^cm。
9.⑴用“/或填空:
第一電離能離子半徑熔點酸性
O2____Na+
Si____SNaCl__SiH2so4—_HC1O4
(2)MgCL在工業上應用廣泛,可由MgO制備。
①MgO的熔點比BaO的熔點(填“高”或"低”)。
②SiCh的晶體類型為=
(3)對于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiXQ,下列敘述正確的是o
A.Si%難水解
B.SiX4是共價化合物
C.NaX易水解
D.NaX的熔點一般高于SiX4
【答案】(1)<><<
(2)①高②原子晶體
(3)BD
【解析】(1)同周期元素的第一電離能隨原子序數的遞增呈增大趨勢,但s、p、d等軌道處于全空、半
充滿、全充滿的穩定狀態時,則出現反常現象。Si、S元素基態原子的價電子排布式分別為3s23P2、3s23P、
其中3P軌道均處于不穩定狀態,因此Si的第一電離能小于S。CP一與Na+的核外電子排布相同,其電子排
布式均為Is22s22P6,離子核外電子排布相同時,原子序數越大,離子半徑越小,因此。2一的離子半徑大于
Na+oNaCl為離子晶體,Si為原子晶體,因此Si的熔點高于NaCL一般來說,元素的非金屬性越強,該元
素的最高價氧化物對應水化物的酸性越強,C1元素的非金屬性強于S元素,則HC1O4的酸性強于H2s04。
(2)①Mg、Ba同主族,Mg2+的半徑小于Ba2+,MgO的晶格能比BaO大,故MgO的熔點比BaO高。
②SiC>2為空間立體網狀結構,其熔、沸點很高,屬于原子晶體。
(3)A項,硅的鹵化物(SiX。的水解比較強烈,如SiCl4+3H2O===H2Si03;+4HCLSiF4+3H2O===H2SiO3;
+4HF,錯誤;B項,硅的鹵化物(SiX"全部由非金屬元素構成,屬于共價化合物,正確;C項,鈉的鹵化
物(NaX)屬于強酸強堿鹽,不發生水解,錯誤;D項,鈉的鹵化物(NaX)是由離子鍵構成的,屬于離子晶體,
SiX4屬于分子晶體,所以NaX的熔點一般高于SiX4,正確。
10.現有幾組物質的熔點(℃)數據:
A組B組C組D組
金剛石:3550℃Li:181℃HF:-83℃NaCl:801℃
硅晶體:1410℃Na:98℃HCl:-115℃KCl:776℃
硼晶體:2300℃K:64℃HBr:-89℃RbCl:718℃
二氧化硅:1723℃Rb:39℃HI:-51℃CsCl:645℃
據此回答下列問題:
(DA組屬于晶體,其熔化時克服的微粒間的作用力是
(2)B組晶體共同的物理性質是(填序號)。
①有金屬光澤②導電性③導熱性④延展性
(3)C組中HF熔點反常是由于_________________________________________________
(4)D組晶體可能具有的性質是(填序號)。
①硬度小②水溶液能導電③固體能導電④熔融狀態能導電
(5)D組晶體的熔點由高到低的順序為NaCl>KCl>RbCl>CsCb其原因為
【答案】(1)原子共價鍵(2)①②③④
(3)HF分子間能形成氫鍵,其熔化時需要消耗的能量更多(只要答出HF分子間能形成氫鍵即可)(4)②④
(5)D組晶體都為離子晶體,廠(Na+)<4K+)〈廠(Rb+)<4Cs+),在離子所帶電荷數相同的情況下,半徑越
小,晶格能越大,熔點就越高
【解析】(1)A組熔點很高,為原子晶體,是由原子通過共價鍵形成的。(2)B組為金屬晶體,具有①②③④
四條共性。(3)HF中含有分子間氫鍵,故其熔點反常。(4)D組屬于離子晶體,具有②④兩條性質。(5)D組
屬于離子晶體,其熔點與晶格能有關。
■練提升
1.元素X的某價態離子X"+中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層,它與N3-形成晶體的晶胞結構
如圖所示。下列說法錯誤的是()
O表小N、-
A.X元素的原子序數是19
B.該晶體中陽離子與陰離子個數比為3:1
C.X"+中”=1
D.晶體中每個X"+周圍有2個等距離且最近的N3-
【答案】A
【解析】從“元素X的某價態離子X#中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層”可以看出,X"+共有
28個電子;圖中X"+位于每條棱的中點,一個晶胞擁有的X"+個數為12x[=3;N-位于頂點,一個晶胞擁
有N-的個數為8x!=1;由于該物質的化學式為X3N,故X顯+1價,所以X的原子序數為29。
2.SiO2是合成“中國藍”的重要原料之一。如圖是SiCh晶胞中Si原子沿z軸方向在孫平面的投影圖(即
俯視投影圖,O原子略去),Si原子旁標注的數字是Si原子位于z軸的高度,則SiA與SiB的距離是()
13
o-QB-
44
o1
戚-
12
31
-。-
AO4T4
0
【答案】B
【解析】SiO2是一種空間網狀的共價晶體,共價鍵結合較為牢固,SiA與SiB在X軸方向上的距離為3%
在y軸方向上的距離為玄,所以SiA與SiB之間的距離為gd)+d=乎4。
3.以NA表示阿伏加德羅常數的值,下列說法錯誤的是()
圖1冰圖2晶體硅圖3干冰圖4石墨烯
A.l8g冰(圖1)中含0—H鍵數目為2NA
B.28g晶體硅(圖2)中含有Si—Si鍵數目為2NA
C.44g干冰(圖3)中含有NA個晶胞結構單元
D.石墨烯(圖4)是碳原子單層片狀新材料,12g石墨烯中含C—C鍵數目為L5NA
【答案】C
【解析】1個水分子中含有2個O—H鍵,18g冰的物質的量為1mol,含O—H鍵數目為2NA,A正
確;28g晶體硅中含有1molSi原子,每個硅原子與其他4個Si形成4個Si—Si鍵,每個硅原子形成的共
價鍵為,<4=2,則1mol單質硅含有2molSi—Si鍵,B正確;1個晶胞結構單元含有4個二氧化碳分子,
44g干冰中含有晶胞結構單元個數小于NA個,C錯誤;在石墨烯中,每個碳原子形成3個共價鍵,每個碳
原子實際占化學鍵為L5個,12g石墨烯(即Imol)所含碳碳鍵數目為L5NA,D正確。
4.干冰晶胞結構如圖所示,晶胞中相鄰最近的兩個C02分子間距為apm,設阿伏加德羅常數的值為NA,
下列說法正確的是()
A.晶胞中一個CO2分子的配位數是8
44x4
B?晶胞的密度表達式是必(2日90『自皿3
C.一個晶胞中平均含6個CO2分子
D.CCh分子的空間結構是直線形,中心C原子的雜化類型是sp3
【答案】B
【解析】由圖可知晶胞中一個CO2分子的配位數為12,故A錯誤;該晶胞中最近的相鄰兩個C02分
子間距為apm,即晶胞面心上的二氧化碳分子和其同一面上頂點上的二氧化碳之間的距離為apm,則晶胞
棱長=45apm=也辦10一i°cm,晶胞體積=(V2axlO_10cm)3,該晶胞中二氧化碳分子個數=8x*+6><T=
—x4
yyiNA44x4
4,晶胞密度產歹=際而寧菽方二加1^,故B正確,C錯誤;二氧化碳
分子是直線形分子,C原子價層電子對數是2,根據雜化軌道理論判斷C原子雜化類型為sp,故D錯誤。
5.已知干冰晶胞結構屬于面心立方最密堆積,晶胞中最近的相鄰兩個CCh分子間距為apm,阿伏加德
羅常數為NA,下列說法正確的是()
A.晶胞中一個CO2分子的配位數是8
44x4
B.晶胞的密度表達式是中寸g.cm-3
C.一個晶胞中平均含6個CO2分子
D.CO2分子的空間構型是直線形,中心C原子的雜化類型是sp3雜化
【答案】B
【解析】晶胞中一個CCh分子的配位數=3x8+2=12,故A錯誤;該晶胞中相鄰最近的兩個CO2分子
間距為apm,即晶胞面心上的二氧化碳分子和其同一面上頂點上的二氧化碳之間的距離為apm,則晶胞棱
長=也咤111=也辦10一1°加,晶胞體積=(陋axloRcmy,該晶胞中二氧化碳分子個數=8x:+6x;=4,晶
胞密度=專~=^2^10-103g.cm-3=NA2茴:10-30gcm、,故B正確;該晶胞中二氧化碳分子個數=8x/
+6X1=4,故C錯誤;二氧化碳分子是直線形分子,C原子價層電子對個數是2,根據價層電子對互斥理論
判斷C原子雜化類型為sp,故D錯誤。
6.石英晶體的平面示意圖如圖,它實際上是立體的網狀結構(可以看作是晶體硅中的每個Si—Si鍵中插
入一個O),其中硅、氧原子數比是%:小有關敘述正確的是()
—
—
—
—O—o—si
si—
si—I
ooO
—
—
—
—O—Si—0—Si—
—
—
si—
ooo
—
—
—
—Osi
Isi—
si—
A.
B.6g該晶體中含有O.INA個分子
X
J
^
57
C.原硅酸根(SiO『)的結構為。,貝1|二聚硅酸根禺子Si2。丁中的x=7
D.石英晶體中由硅、氧原子構成的最小的環上含有的Si、O原子個數和為8
【答案】C
【解析】每個Si原子占有。原子個數=4x^=2;該晶體是原子晶體,不存在分子;原硅酸(HdSiO。的
oHOH
()
——
—.
s-L
了-)H
—
[o—Si—OHOsi——
oHoH二
結構可表示為O,兩個原硅酸分子可發生分子間脫水生成二聚原硅酸:
聚原硅酸電離出6個H+后,形成帶6個負電荷的二聚原硅酸根離子;在SiC)2晶體中,由Si、O構成的最小
單元環中共有12個原子。
7.(1)硼化鎂晶體在39K時呈超導性。在硼化鎂晶體中,鎂原子和硼原子是分層排布的,如圖是該晶體
微觀結構的透視圖,圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。則硼化鎂的化學式為o
?-B
(2)在硼酸鹽中,陰離子有鏈狀、環狀等多種結構形式。下圖是一種鏈狀結構的多硼酸根,則多硼酸根
離子符號為
【答案】⑴MgB2(2)BO2
【解析】⑴每個Mg周圍有6個B,而每個B周圍有3個Mg,所以其化學式為MgB?。⑵從圖可看出,
,都有一個B和一個0完全屬于這個單元,剩余的2個。分別被兩個結構單
元共用,所以B:0=1:(1+2/2)=1:2,化學式為BO?。
8.(1)X、Z、Q、R、T、U分別代表原子序數依次增大的短周期元素。X和R屬同族元素;Z和U
位于第VHA族;X和Z可形成化合物XZ4;Q基態原子的s軌道和p軌道的電子總數相等;T的一種單質在
空氣中能夠自燃。
X所在周期元素最高價氧化物對應的水化物中,酸性最強的是(填化學式);Z和U的
氫化物中沸點較高的是(填化學式);Q、R、U的單質形成的晶體,熔點由高到低的排列順序
是(填化學式)。
(2)A、B、C、D為原子序數依次增大的四種元素,A?一和B+具有相同的電子層結構;C、D為同周
期元素,C核外電子總數是最外層電子數的3倍;D元素最外層有一個未成對電子。回答下列問題:
A和B能夠形成化合物F,其晶胞結構如圖所示,晶胞參數。=0.566nm,F的化學式為;晶
胞中A原子的配位數為;晶體F的密度為(列出計算式)。
【答案】(1)HNO3HFSi、Mg、Cl2
/c、__________4x62__________
323G-CM
⑵Na2O8(0566X10-7)X6.02X10'
【解析】(1)根據題目信息可推知X、Z、Q、R、T、U分別為C、F、Mg、Si、P、CLX位于第二
周期,該周期元素最高價氧化物對應的水化物中,酸性最強的是HNO3;HF分子間存在氫鍵,所以HF的
沸點高于HC1的;Mg為金屬晶體,Si單質為共價晶體,CL為分子晶體,故熔點Si>Mg>CL。
(2)C的核外電子總數是最外層電子數的3倍,則C可能是Li或P,但是A、B、C、D原子序數依
次增大,且B存在離子形式,所以C應為P,D的最外層只有一個未成對電子,且C、D同周期,所以D
為Cl。A2-和B+的電子層結構相同,則A為O,B為Na。由晶胞圖知,黑球有8個,灰球有8$+6x;=4
oZ
個,所以黑球為Na,灰球為O,化學式為NazO。由晶胞結構知,面心上的1個O連有4個Na,在相鄰的
另一個晶胞中,0也連有4個Na,故0的配位數為8。
9.I.銀及其化合物是重要的合金材料和催化劑。
(1)基態保原子的價電子排布式為,能量最高的電子所占能級的原子軌道有個伸展
方向。
(2)鎮能形成多種配合物,如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的[Ni(CN)4肝一、正八面體形的[Ni
(NH3)才+等。下列說法正確的有(填標號)。
A.CO分子內◎鍵和兀鍵的數目之比為1:2
B.NH3的空間結構為平面三角形
C.Ni2+在形成配合物時,其配位數只能為4
D.Ni(CO)4和[Ni(CN)4產一中,Ni均采取sp3雜化
(3)丁二酮月虧常用于檢驗Ni2+:在稀氨水中,丁二酮月虧與Ni2+反應生成鮮紅色沉淀,其結構如圖所
示。該結構中,除共價鍵外還存在配位鍵和氫鍵,請在圖中用“一”和“…”分別表示出配位鍵和氫鍵。
HSC'C,N、/N'c/CHa
「/Ni、I
H『C邙/
0/0
ir
(4)NiO的晶體結構類型與氯化鈉的相同,相關離子半徑如表所示。
Na+102pmcr181pm
Ni2+69pmo2140pm
NiO晶胞中Ni?+的配位數為,NiO的熔點比NaCl高的原因是
II.利用CuSCU和NaOH制備的Cu(OH)2檢驗醛基時,生成紅色的Cu?。,其立方晶胞的結構如圖所
zj\O
(5)該晶胞原子坐標參數A為(0,0,0);B為(1,0,0);C為&則D原子的坐標參
數為,它代表(填元素符號)原子。
(6)若CU2O晶體密度為dgcmr,晶胞參數為qpm,則阿伏加德羅常數的值NA=
【答案】(1)3d84s25(2)A
/H..
O0
II
HaC,/N、/N、/C%
II
H3C/C、,/'ye、%
o./O
(3)H-
(4)6NiO中離子所帶電荷數較多,離子半徑較小,則離子鍵較強,熔點較高
【解析】(2)NH3中N原子形成3個◎鍵,孤電子對數為:x(5-3)=1,則空間結構為三角錐形,
B錯誤;[Ni(CN)4獰和[Ni(NH3)6產中Ni的化合價均為+2,其配位數分別是4和6,C錯誤;Ni(CO)
4為正四面體形結構,Ni原子采取sp3雜化,而[Ni(CN)才一是正方形結構,不是sp3雜化方式,D錯誤。
10.按要求回答下列問題:
(l)Fe單質的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,分別如圖1、圖2所示。面心立方晶胞和體心立方晶
胞的邊長分別為a、b,則鐵單質的面心立方晶胞和體心立方晶胞的密度之比為,鐵原子的配位數
之比為
?Fe
°Mg
體心立方面心立方
圖1圖2圖5
(2)Mg為六方最密堆積,其晶胞結構如圖3所示,若在晶胞中建立如圖4所示的坐標系,以A為坐標
原點,把晶胞的底邊邊長視作單位長度1,則C點的坐標:O
(3)鐵鎂合金是目前已發現的儲氫密度最高的儲氫材料之一,其晶胞結構如圖5所示,則鐵鎂合金的化
學式為。若該晶胞的邊長為dnm,則該合金的密度為g?cnT3(列出計算式即可,用NA表
示阿伏加德羅常數的值)。
【答案】(獷:a33:嘩滔
1)22(2)(0,0,(3)Mg2Fe蒸::于
【解析】(1)面心立方晶胞邊長為體積丫=。3,含有Fe原子數目為8xf+6x;=4,故m=〃3,(面心)
=4x普g(NA為阿伏加德羅常數的值),體心立方晶胞邊長為。,體積丫=序,含有Fe原子數目為8乂打1=
2,故。3"(體心)=2x^g,故"(面心):"(體心)=2/:a3o面心立方晶胞中每個Fe原子周圍有12個Fe原
子,體心立方晶胞中每個Fe原子周圍有8個Fe原子,故Fe原子配位數之比為12:8=3:2。(2)若建立如
圖4所示的坐標系,x軸與y軸的夾角為120。,以A為坐標原點,把晶胞的底邊邊長視作單位長度1,則D
點與A點、B點以及F點構成一個正四面體,D點位于其頂點,其高度為晶胞高度的一半。由D點向底面
作垂線,垂足到底面三角形各點的距離為平,D點到垂足的距離為坐,則C點的坐標為(0,0,坐。(3)根
據均攤法可知晶胞中鐵原子數為8X\+6XT=4,鎂原子數為8,則鐵鎂合金的化學式是MgzFe。由題給條件
知,1個晶胞的體積為(dxl0-7)3切3,1個晶胞的質量為4x56j24x2根據夕=?可得合金的密度是小喘五
[VAyVAXIU
g-cm—3°。
國練真題
1.(2019?全國I卷,35節選)圖(a)是MgCuz的拉維斯結構,Mg以金剛石方式堆積,八面體空隙和半數
的四面體空隙中,填入以四面體方式排列的Cu。圖(b)是沿立方格子對角面取得的截圖。可見,Cu原子之
間最短距離x=pm,Mg原子之間最短距離尸pmo設阿伏加德羅常數的值為NA,則MgCu2
的密度是g-cnT3(列出計算表達式)。
【解析】觀察圖(a)和圖(b)知,4個銅原子相切并與面對角線平行,有(4%>=2a2,x=冬。鎂原子堆積
方式類似金剛石,有尸毛已知lcm=10i°pm,晶胞體積為(辦10-1。)3cm3,代入密度公式計算即可。
近近8x24+16x64
【口案】4a4aNA/XIO』
2.(2018?全國I卷,35節選)Li2。是離子晶體,其晶格能可通過圖(a)的Bom—Haber循環計算得到。
2Li+(g)+C)2一(g)-29()8kJ?mol'Li。晶體)
f1040kJ-mor*f703kJ?mol"
2Li(g)O(g)
f318kJ-mo?1f249kJ-mol-'*Li
2Li(晶體)+,O式g)-598kJ501-,Oo
圖(a)圖⑼
可知Li?。晶格能為kJ.moP'oLizO具有反螢石結構,晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數為0.466
5nm,阿伏加德羅常數的值為NA,則Li2O的密度為g-cnT3(列出計算式)。
【解析】1個氧化鋰晶胞含。的個數為8$+6X]=4,含Li的個數為8,1cm=l()7nm,代入密度公式
oZ
計算可得比。的密度為M(黑公常7)3gem-
…自、8x7+4x16
73
【口案12908(04665X10-)
3.(2018?全國H卷,35節選)FeSz晶體的晶胞如圖所示。晶胞邊長為arnn、FeS?相對式量為M、阿伏加
德羅常數的值為NA,其晶體密度的計算表達式為g-cm-3;晶胞中Fe2+位于Sy所形成的正八面體
的體心,該正八面體的邊長為nmo
【解析】該晶胞中Fe2+位于棱上和體心,個數為12x1+l=4,S歹位于頂點和面心,個數為8x:+6xJ=
4oZ
4,故晶體密度為祟x4g+(axl(F7cm)3=妾r3。根據晶胞結構,S歹所形成的正八面體的邊長為
IVAA。
該晶胞中相鄰面的面心之間的連線之長,即為晶胞邊長的堂,故該正八面體的邊長為坐anm。
【答案】怒x?發
NA。L
4.(1)(2019?全國I卷,35節選)一些氧化物的熔點如下表所示:
氧化物Li2OMgOP4O6SO2
熔點/℃1570280023.8-75.5
解釋表中氧化物之間熔點差異的原因________o
C^NH,r\-CW,
(2)(2017?全國III卷,35節選)苯胺(、=/)的晶體類型是-苯胺與甲苯(―)的
相對分子質量相近,但苯胺的熔點(一5.9℃)、沸點(184.4℃)分別高于甲苯的熔點(一95.0℃)、沸點(110.6℃),
原因是O
(3)(2017?全國I卷,35節選)K和Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構型相同,但金屬K的熔點、
沸點等都比金屬Cr低,原因是。
【解析】(1)由于Li2。、MgO為離子晶體,P4O6,SO2為分子晶體。晶格能MgO>Li2。,分子間作用力
P4O6>SO2,所以熔點大小順序是MgO>Li2O>P4O6>SO2;
(3)金屬鍵的強弱與半徑成反比,與離子所帶的電荷成正比。
【答案】(l)Li2。、MgO為離子晶體,P4O6,SO2為分子晶體。晶格能MgO>Li2。,分子間作用力P4O6
>so2
(2)分子晶體苯胺分子之間存在氫鍵
(3)K原子半徑較大且價電子數較少,金屬鍵較弱
5.[2019?全國卷II,35(4)]近年來我國科學家發現了一系列意義重大的鐵系超導材料,其中一類為
Fe-Sm-As-F-O組成的化合物。一種四方結構的超導化合物的晶胞如圖1所示。晶胞中Sm和As原子的投影
位置如圖2所示。
o。。?
As0或FSmFe
圖中口和。2一共同占據晶胞的上下底面位置,若兩者的比例依次用x和1—x代表,則該化合物的化學
式表示為;通過測定密度〃和晶胞參數,可以計算該物質的尤值,完成它們關系表達式:p=
_____________________g-cm3o
以晶胞參數為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分數坐標,例如圖1中
原子1的坐標為8,則原子2和3的坐標分別為、o
【解析】由晶胞結構中各原子所在位置可知,該晶胞中Sm個數為4xg=2,Fe個數為l+4x(=2,As
個數為4X;=2,0或F個數為8xg+2x;=2,即該晶胞中O和F的個數之和為2,的比例為x,O?一的比
ZoZ
例,,、為,1—x
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