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文檔簡介
專題十四物質結構與性質(講義)——高考化學二輪復習講練測合集
核心素養宏觀辨識與微觀探析
預計2025年高考仍會借助新科技、新能源為背景,圍繞
某一主題考查原子核外電子排布式(圖)、電離能、電負性、O
鍵、兀鍵、雜化方式、分子或離子的空間構型(價層電子對互
考情預測
斥理論)、化學鍵及氫鍵、晶體結構特點及微粒間作用力、晶
體的熔、沸點比較及晶胞的計算,特別是對空間想象能力和
計算能力的考查,是近幾年的考查重點,復習時加以重視!
考法1、基態原子的核外電子排布
1、排布規律
能量最低原理原子核外電子先占有能量最低的原子軌道
泡利原理每個原子軌道中最多只能容納2個自旋狀態不同的電子
原子核外電子在能量相同的各個軌道上排布時,電子盡可
洪特規則
能分占不同的原子軌道,且自旋狀態相同
【注意】能量相同的原子軌道在全充滿、半充滿和全空狀態時,體系能量較低,原子較穩定。
2、表示形式
(1)核外電子排布式,如Cr:Is22s22P63s23P63d54sI可簡化為[Ar]3d§4sI
(2)價層電子排布式:如Fe:3d64s2。
(3)電子排布圖又稱軌道表示式:如O:2號2號
3、基態原子核外電子排布表示方法中的常見誤區
(1)在寫基態原子的電子排布圖時,常出現以下錯誤:
①奉AA(違反能量最低原理)
②AA(違反泡利原理)
③什」(違反洪特規則)
④I十III|(違反洪特規則)
(2)當出現d軌道時,雖然電子按“s、(?-l)d>硬的順序填充,但在書寫電子排布式時,仍把
(〃-l)d放在〃s前,如Fe:Is22s22P63s23P63d64s2正確,Fe:Is22s22P63s23P64s23d,錯誤。
(3)注意元素電子排布式、簡化電子排布式、元素價電子排布式的區別與聯系。如Fe的電子
排布式:Is22s22P63s23P63d64s2;簡化電子排布式:[Ar]3d64s2;價電子排布式:3d64s2。
考法2、原子結構與元素性質
(1)各區元素分布及價電子排布與性質特點
分區元素分布價電子排布元素性質特點
除氫外都是活潑金屬元素;
S區IA、IIA族叔?2
通常是最外層電子參與反應
IIIA族?VHB族、0
P區ns2npl~6(He除外)通常是最外層電子參與反應
族
niB族?VHB族、VM(儂1)于?加1?2(Pd除d軌道可以不同程度地參與
d區
族外)化學鍵的形成
ds區IB、nB族(〃-?2金屬元素
f區錮系、鋼系(n-2)f°~14(n-l)d°~2ns2
f區
(2)第一電離能的遞變規律
①每個周期的第一種元素(氫和堿金屬)第一電離能最小,稀有氣體元素原子的第一電離能最
大,同周期中從左到右元素的第一電離能呈增大的趨勢。
②同主族元素原子的第一電離能從上到下逐漸減小。
③同一周期中,第HA族元素的第一電離能比第HIA族元素的第一電離能要大,第VA族元
素的第一電離能比第VIA族元素的第一電離能要大,這是因為第nA族元素的最外層p軌道全
空,第VA族元素的最外層p軌道半滿,全空和半滿狀態相對穩定。
(3)電負性變化規律
同一周期:從左到右,元素的電負性逐漸增大。
同一主族:從上到下,元素的電負性逐漸減小。
考法3、共價鍵
電——方式.”健知“鍵
(1)共價?------訓電子?對數?電雙修和三幄
.龍電f對—熱小極性犍和極性怩
(2)配位鍵:形成配位鍵的條件是成鍵原子一方(A)能夠提供孤電子對,另一方
(B)具有能夠接受孤電子對的空軌道,可表示為A-B。
--|+
H—0—H
【配合物的組成特點】
配位原子(提供孤電子對)
中心原子、I配位體
(提供空軌道I/
[CU(NH3)4JSO4
內’界蒜—配位數
(3)o鍵和兀鍵的判斷方法
共價單鍵全為o鍵,雙鍵中有一個。鍵和一個兀鍵,三鍵中有一個。鍵和兩個兀鍵。
考法4、雜化軌道理論
1.雜化軌道
方法:判斷分子或離子中心原子的雜化軌道類型
①看中心原子有沒有形成雙鍵或三鍵。如果有1個三鍵,則其中有2個兀鍵,用去了2
個p軌道,則為sp雜化;如果有1個雙鍵則其中有1個兀鍵,則為sp2雜化;如果全部是單鍵,
則為Sp3雜化。
②由分子的空間構型結合價層電子對互斥理論判斷。沒有填充電子的空軌道一般不參與雜
化,1對孤電子對占據1個雜化軌道。如NH3為三角錐形,且有一對孤電子對,即4條雜化軌
道應呈四面體形,為sp3雜化。
2.雜化軌道類型與分子構型的關系
雜化軌雜化軌
分子構型實例
道類型道數目
直線形
sp2C02、BeCl2
sp23平面三角形BF3、BCb、CH2O
等性雜化:正四面體CH4、CCI4
3
sp4NH3(三角錐形)、H2S,H2O(V
不等性雜化:具體情況不同
形)
考法5、分子間作用力與物質的性質
范德華力氫鍵共價鍵
作用微粒分子H與N、0、F原子
強度比較共價鍵〉氫鍵〉范德華力
組成和結構相似的物
形成氫鍵元素的電負
影響因素質,相對分子質量越原子半徑
性
大,范德華力越大
對性質
影響物質的熔、沸點、分子間氫鍵使熔、沸點鍵能越大,穩定
溶解度等物理性質升高,溶解度增大性越強
的影響
考法6、晶體結構與性質
分子晶體原子晶體離子晶體金屬晶體
構成粒金屬陽離子、
分子原子陰、陽離子
子自由電子
粒子間
的相互范德華力共價鍵離子鍵金屬鍵
作用
硬度較小很大較大有大,有小
熔、沸
較低很高一般較高有高,有低
點
難溶于水,有
不溶于常大多易溶于水
溶解性相似相溶些可與水發生
見溶劑等極性溶劑
反應
導電性晶體不導電,
一般不導電。溶于水一般不具電和熱的良導
或導熱水溶液或熔融
后有的導電有導電性體
性狀態下導電
大多數非金屬單質、
部分非金
物質類氣態氫化物、酸、非金屬氧化物、
屬單質,部金屬單質與合
別及實金屬氧化物(除強堿、絕大多
分非金屬金
例SiO2)、絕大多數有數鹽
化合物
機物
【晶體類別的判斷方法】
(1)依據構成晶體的微粒和微粒間作用力判斷
由陰、陽離子形成離子鍵構成的晶體為離子晶體;由原子形成的共價鍵構成的晶體為原子
晶體;由分子依靠分子間作用力形成的晶體為分子晶體;由金屬陽離子、自由電子以金屬鍵形
成的晶體為金屬晶體。
(2)依據物質的分類判斷
①活潑金屬氧化物和過氧化物(如K2O、Na2O2等),強堿(如NaOH、KOH等),絕大多數的
鹽是離子晶體。
②部分非金屬單質、所有非金屬氫化物、部分非金屬氧化物、幾乎所有的酸、絕大多數有
機物的晶體是分子晶體。
③常見的單質類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等,常見的化合物類原子晶體有SiC、
SiO2>A1N等。
④金屬單質、合金是金屬晶體。
(3)依據晶體的熔點判斷
不同類型晶體熔點大小的一般規律:原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。金屬晶體的熔點差
別很大,如鴇、伯等熔點很高,葩等熔點很低。
(4)依據導電性判斷
①離子晶體溶于水及熔融狀態時均能導電。
②原子晶體一般為非導體。
③分子晶體為非導體,但分子晶體中的電解質(主要是酸和強極性非金屬氫化物)溶于水時,
分子內的化學鍵斷裂形成自由移動的離子,也能導電。
④金屬晶體是電的良導體。
考法7、晶胞及組成微粒計算
1.晶胞中微粒數目的計算方法——均攤法
同為2個晶胞所共仃.
該粒子?的g屬于該晶袍
同為8個品跑所共行.
該粒子的士帆于該晶脆
迂臉A整個粒子都屬于該晶胞
正一\^同為$個晶跑所共有.
電士巴o該粒子的:屬于該晶胞
熟記幾種常見的晶胞結構及晶胞含有的粒子數目
A.NaCl(含4個Na+,4個C「)B.干冰(含4個CO2)
C.CaF2(含4個Ca2+,8個『)D.金剛石(含8個C)
E.體心立方(含2個原子)F.面心立方(含4個原子)
2.晶胞求算
(1)晶胞密度的計算
[一個晶胞所含的粒子數目義1
(摩爾質量M1一一個晶胞的
田
質量97n二_N曠M
|阿伏加德羅常數狗卜小節[晶胞的密
度的敞
[立方晶胞的邊長----[晶胞的體積丫=。3)---____________A
(2)晶體微粒與M、p之間的關系
若1個晶胞中含有x個微粒,則1mol晶胞中含有xmol微粒,其質量為xMg(M為微粒的相
對原子質量);又1個晶胞的質量為p〃g(a3為晶胞的體積,。為晶胞邊長或微粒間距離),則1
mol晶胞的質量為pa3NAg,因此有xM=pa3NA。
真題賞析1:[2024.6浙江卷】氧是構建化合物的重要元素。請回答:
(1)某化合物的晶胞如圖1,Cr的配位數(緊鄰的陽離子數)為;寫出該化合物的
化學式,寫出該化合物與足量NH4C1溶液反應的化學方程
式
oo
(2)下列有關單核微粒的描述正確的是
A.Ar的基態原子電子排布方式只有一種
B.Na的第二電離能>Ne的第一電離能
C.Ge的基態原子簡化電子排布式為[Ar]4s24P2
D.Fe原子變成Fe+,優先失去3d軌道上的電子
(3)化合物HA、HB、HC和HD的結構如圖2。
RO-6-OHRO-C-OH?
RO-C-SH
HAHBHD
圖2
①HA、HB和HC中羥基與水均可形成氫鍵(-0-H…。H?),按照氫鍵由強到弱對三種酸排
序,請說明理由________________________
②已知HC、HD鈉鹽的堿性NaONaD,請從結構角度說明理由
答案:(1)12;K3C10;K3C10+2NH4C1+H20-3KC1+2NH3-H20
(2)AB
(3)①HC>HB>HA;O、S、Se的電負性逐漸減小,鍵的極性:C=O>C=S>C=Se,使得HA、
HB、HC中羥基的極性逐漸增大,其中羥基與H?。形成的氫鍵逐漸增強;②S的原子半徑大
于O的原子半徑,S—H鍵的鍵長大于O—H鍵,S—H鍵的鍵能小于O—H鍵,同時HC可
形成分子間氫鍵,使得HD比HC更易電離出H+,酸性HD>HC,CT的水解能力大于D,堿
性NaONaD
解析:(1)由晶胞結構知,C1位于8個頂點,0位于體心,K位于面心,1個晶胞中含Cl:8x
:=1個、含0:1個、含K:6xg=3個,該化合物的化學式為K3CIO;由圖可知,C「的配位
82
數為三=12;該化合物可看成KCLK?。,故該化合物與足量NH4cl溶液反應生成KC1和
NH3.H2O,反應的化學方程式為K3C10+2NH4C1+H2o-3KC1+2NH3H200
(2)根據原子核外電子排布規律,基態Ar原子的電子排布方式只有Is22s22P63s23P$一種,A
正確;Na的第二電離能指氣態基態Na+失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需的最低能量,
Na+和Ne具有相同的電子層結構,Na卡的核電荷數大于Ne,Na+的原子核對外層電子的引力
大于Ne的,故Na的第二電離能>Ne的第一電離能,B正確;Ge的原子序數為32,基態Ge
原子的簡化電子排布式為[Ar]34。4s24P2,C錯誤;基態Fe原子的價層電子排布式為3d64s?,
Fe原子變成Fe+,優先失去4s軌道上的電子,D錯誤。
(3)①O、S、Se的電負性逐漸減小,鍵的極性:C=O>C=S>C=Se,使得HA、HB、HC中羥
基的極性逐漸增大,從而其中羥基與水形成的氫鍵由強到弱的順序為HOHB>HA;
②HC、HD鈉鹽的堿性NaONaD,說明酸性HC<HD,原因是:S的原子半徑大于0的原子
半徑,S—H鍵的鍵長大于0—H鍵,S—H鍵的鍵能小于0—H鍵,同時HC可形成分子間氫
鍵,使得HD比HC更易電離出H+,酸性HD>HC,C的水解能力大于D-,鈉鹽的堿性NaONaD。
真題賞析2:[2024?山東卷】鎰氧化物具有較大應用價值,回答下列問題:
(1)Mn在元素周期表中位于第周期族;同周期中,基態原子未成對電子
數比Mn多的元素是(填元素符號)。
(2)Mn如某種氧化物MnO,的四方晶胞及其在個平面的投影如圖所示,該氧化物化學式為
當MnO、晶體有。原子脫出時,出現0空位,Mn的化合價(填“升高”“降低”或“不
變”),。空位的產生使晶體具有半導體性質。下列氧化物晶體難以通過該方式獲有半導體性質
的是(填標號)。
A.CaOB.V2O5C.Fe2O3D.CuO
++
(3)[BMIM]BF4(見下圖)是MnO、晶型轉變的誘導劑。BF4的空間構型為;[BMIM]
中咪唾環存在武大兀鍵,則N原子采取的軌道雜化方式為o
[BMIM]+BF;
(4)MnC\可作HMF轉化為FDCA的催化劑(見下圖)。FDCA的熔點遠大于HMF,除相對
分子質量存在差異外,另一重要原因是o
答案:(1)四;VHB;Cr
(2)MnO2;降低;A
(3)正四面體形;sp2
(4)FDCA形成的分子間氫鍵更多
解析:(l)Mn的原子序數為25,位于元素周期表第四周期VDB族;基態Mn的電子排布式為:
[Ar]3d54s2,未成對電子數有5個,同周期中,基態原子未成對電子數比Mn多的元素是Cr,
基態Cr的電子排布式為[Ar]3d54sl,有6個未成對電子。
(2)由均攤法得,晶胞中Mn的數目為1+8%:=2,。的數目為2+4義〈=4,即該氧化物的
化學式為Mn。?;MnO,晶體有O原子脫出時,出現O空位,即x減小,Mn的化合價為+2x,
即Mn的化合價降低;CaO中Ca的化合價為+2價、V2O5中V的化合價為+5價、Fe2()3中Fe
的化合價為+3、CuO中Cu的化合價為+2,其中CaO中Ca的化合價下降只能為0,其余可下
降得到比0大的價態,說明CaO不能通過這種方式獲得半導體性質。
3+1-4
(3)根據價電子對互斥理論可知,BF’中孤電子對=^^=0,價電子對數為4,則BF,的
空間構型為正四面體形。由題意可知,中咪理環存在兀;大兀鍵,形成大兀鍵的原子
軌道是未雜化的軌道,垂直于雜化軌道,則N原子的雜化方式為sp?。
(4)由HMF和FDCA的結構可知,HMF和FDCA均能形成分子間氫鍵,但FDCA形成的分
子間氫鍵更多,使得FDCA的熔點遠大于HMFO
1.某鎂鐵合金是目前儲氫密度最高的材料之一,其晶體的立方晶胞如圖所示,晶胞邊長為apm。
Mg原子占據Fe原子形成的所有四面體空隙。儲氫后,凡分子占據Fe原子形成的八面體空隙,
化學式為Mg2Fe(H23下列說法正確的是()
A.氫氣儲滿后晶體的化學式為MgzFeH?
B.該鎂鐵合金中Mg、Fe通過離子鍵結合
C.氫氣儲滿后,H2分子和H2分子之間的最近距離為苴apm
■~2
D.該鎂鐵合金中,與1個Mg配位的Fe和與1個Fe配位的Mg均有4個
2.元素周期表中非金屬元素種類遠少于金屬元素,但非金屬元素能參與形成很多重要的物質,
如離子液體C2H5NH3NO3(熔點僅12℃),CN-作為配體形成的配合物等?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態。原子核外電子有種空間運動狀態。
(2)NO:的空間結構為(用文字描述)。
(3)NH3在水中的溶解度很大,除NH3與H2O反應外,還因為(寫一點即可)。
(4)上述離子液體所含元素的電負性由大到小的順序為,其熔點很低的原因是
(5)干冰晶胞和CO?在IWJ溫IWJ壓下形成晶體的晶胞如圖1、圖2所不。
0c原子
oo除子
高溫總iJR下的CO,晶體品胞
圖2
由圖1可知,干冰晶胞中CC)2的配位數為,圖2所示晶胞的晶體類型為^________
(6)CN-與Zn?+和Au+分別形成配位數為4和2的兩種配離子X和Y,工業上常用丫配離子
與Zn反應制取Au并生成X配離子。配體CN-中。鍵和兀鍵的數目比為,寫出上
述反應的離子方程式。
3.I.H、C、N、0、C1等非金屬元素是構成化合物的常見元素,Zn、Ni是重要的過渡金屬。
回答下列問題:
(1)N、0、C1以原子個數比1:1:1形成的分子,各原子最外層均滿足8}結構,其電子式
為。
(2)化學式為Ni(CN?Zn(NH3)「zC6H$的籠形包合物四方晶胞結構如圖1所示(H原子未
畫出),每個苯環只有一半屬于該晶胞。
①晶胞中Ni?+的配位原子是,%:y:z=
②若對該籠形包合物進行加熱,首先脫離晶胞的組分是,說明推測的依據。
II.Se是人體必需微量元素之一,研究表明硒代蛋氨酸(結構簡式如下圖2)有抗氧化作用,
對腫瘤細胞增殖有顯著抑制作用。
(3)基態硒原子的價電子軌道表示式為0
(4)固態硒代蛋氨酸晶體類型為.0
(5)某種具有氧原子缺陷的超導材料的長方體晶胞結構如圖3所示。晶胞參數分別為及01、
3
opm、bpm,阿伏加德羅常數的值為NA。則該晶體的密度為g-cm_o
,相八OBa
3予。丫
什?
匚]CH3SeCH2CH2CHCOOH0bpm
Q??Ci
NA
Y好工NH,
Q0o0
pm
、Qpm"
Si圖2圖3
答案以及解析
1.答案:A
解析:每個晶胞中含有4個Fe和8個Mg。晶胞中Fe原子形成的八面體空隙在晶胞的棱心和
體心上,所以晶胞中Fe原子形成的八面體空隙的數目為I"\|二4,即每個晶胞中含有4個
4
小分子,故氫氣儲滿后晶體的化學式為Mg,FcHnA正確;
該鎂鐵合金中的元素均為金屬元素,所以該鎂鐵合金中Mg、Fe通過金屬鍵結合,B錯誤;
氫氣儲滿后,IL分子和分子之間的最近距離為面對角線(、2ipm)的二分之一,即
C錯誤;
該鎂鐵合金中,與1個Mg配位的Fe有4個,與1個Fe配位的Mg有8個,D錯誤。
2.答案:(1)5
(2)NO:中N原子價層電子對數為3
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