【MOOC期末】《固體與半導體物理基礎》(電子科技大學)期末中國大學慕課答案

有些題目順序不一致，下載后按鍵盤ctrl+F進行搜索期末考試固體與半導體物理基礎期末考試客觀題部分1.單選題：在室溫全電離的情況下，P型半導體的摻雜濃度為，有n型雜質（）的摻入，若，在不考慮本征激發的情況下，其電中性條件為（）。

選項：

A、

B、

C、

D、

答案：【】2.單選題：n型半導體費米能級EF不僅隨溫度變化，還隨摻雜的濃度而變化，當n型雜質濃度增加，其費米能級逐漸向（）靠攏

選項：

A、禁帶中線

B、導帶底部

C、價帶頂部

D、導帶頂部

答案：【導帶底部】3.單選題：在布區邊界，布洛赫電子的有效電子質量m*為

選項：

A、負值

B、正值

C、無窮大

D、零

答案：【負值】4.單選題：二維晶體，N個原胞數，每個原胞有5個原子，其格波支數和總振動模式數為

選項：

A、2支聲學波，8支光學波，振動模式數為10N

B、2支聲學波，3支光學波，振動模式數為10N

C、2支聲學波，3支光學波，振動模式數為5N

D、2支聲學波，8支光學波，振動模式數為5N

答案：【2支聲學波，8支光學波，振動模式數為10N】5.單選題：對于n型半導體和金屬的整流接觸中，正向偏壓的描述正確的是

選項：

A、正向偏壓的方向應該與自建場的方向一致

B、金屬接正極，半導體接負極，構成正向偏壓

C、金屬接負極，半導體接正極，構成正向偏壓

D、以上都對

答案：【金屬接正極，半導體接負極，構成正向偏壓】6.單選題：熱平衡狀態下的非均勻半導體不具有統一的費米能級。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【錯誤】7.單選題：是熱平衡狀態下非簡并半導體的標志，與摻雜情況無關。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】8.單選題：非簡并半導體的EF隨著溫度的增加，一直向本征費米能級靠攏。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】9.單選題：不管是聲學波還是光學波，相鄰原子都沿同一方向振動。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【錯誤】[vk-content]10.單選題：布洛赫定理描述的是在周期勢場中運動電子的狀態。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】11.單選題：金剛石的晶體結構是復式格子。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】12.單選題：同一種原子構成的晶格是布拉菲格子。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【錯誤】13.單選題：多數載流子的準費米能級偏離平衡費米能級比少數載流子多。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【錯誤】14.單選題：用費米分布函數描述電子狀態的半導體是非簡并半導體。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【錯誤】15.單選題：直接帶隙半導體就是導帶底和價帶頂在K空間具有相同的波矢。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】16.單選題：受主雜質電離是電子從受主雜質躍遷到價帶。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【錯誤】17.單選題：在絕對零度下，半導體的最高能帶是填滿的。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】18.單選題：禁帶的寬度與周期性勢場有關，禁帶出現的位置與晶體結構有關。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】19.單選題：每個能帶能容納的電子數由晶體的原子數確定。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【錯誤】20.單選題：晶格振動能量的最小單位是“聲子”。

選項：

A、正確

B、錯誤

答案：【正確】21.在考慮表面態的情況下，金-半接觸一般只能形成層。在實際應用中要形成歐姆接觸，一般利用效應來實現。

答案：【阻擋，隧道】22.載流子的漂移運動由產生的，載流子的擴散運動是由產生的，這兩種運動由關系式聯系起來。

答案：【電場，濃度不均勻，愛因斯坦】23.熱平衡狀態的標志是系統具有的費米能級，準費米能級是導帶和價帶的費米能級。

答案：【統一，局部】24.載流子遭到散射的根本原因是，主要的散射機構有和。

答案：【周期勢場遭到破壞，電離雜質，晶格振動/周期勢場遭到破壞，晶格振動，電離雜質】25.能向價帶提供空穴的雜質為雜質，高溫下的雜質半導體呈型。

答案：【受主，本征】26.晶格振動是以的形式在晶體中傳播,一維雙原子晶格振動的色散關系分為兩支，一支為支，另一支為支。

答案：【格波，聲學，光學/格波，光學，聲學】27.密堆積有和兩種結構，其中是復式格子。

答案：【密積立方，密積六方，密積六方/密積六方，密積立方，密積六方】28.氯化鈉是格子，它的布拉菲格子是結構。

答案：【復式，面心立方】29.體心立方晶胞體積為原胞體積的倍。

答案：【2】30.晶格的最小重復單元稱為，它是由平移矢量所構成的六面體。

答案：【原胞，平行】31.原子排列情況完全相同的格子稱為格子，它的基元只有個原子。

答案：【布拉菲，1/布拉菲，一】固體與半導體物理基礎期末考試主觀題部分1.1.晶格常數為a一維晶格，采用緊束縛近似計算（10分）（1）S態電子能量表達式；（2）能帶寬度；（3）電子的速度；（4）能帶頂空穴的有效質量。

（1）S態電子能量表達式；（4分）（2）能帶寬度；（2分）（3）電子的速度；（1分）（4）能帶頂空穴的有效質量。（3分）2.畫出n型半導體表面狀態呈耗盡層和積累層時的能帶圖，標出EF、EC、EV。

耗盡層3分，積累層3分3.畫出平衡p-n結的能帶圖。（4分）注明導帶底、價帶頂、費米能級的位置,以及勢壘高度

導帶底、價帶頂、費米能級的位置（3分）以及勢壘高度(1分）4.2.使用使用上一題的圖，畫出和。（5分）

晶面指數為的晶面為ABCD(2.5分)晶列指數為的晶列為OE(2.5分)5.求圖中晶列AB的晶列指數和晶面ODE的晶面指數（其中A點為所在邊的中點）。（5分）

解：晶列AB的晶列指數(2.5分)晶面ODE的晶面指數(2.5分)6.施主濃度ND=1017/cm3的n型硅，室溫下的功函數是多少？若不考慮表面態的影響，它同Al接觸時，形成阻擋層還是反阻擋層？（7分）[室溫時kBT=0.026ev，（NC）硅=2.8×1019/cm3，硅的親和能為4.05eV，Al的功函數為WAl=4.18eV]

17.設有一長度為L的一維金屬線，試求能量E到E+dE的狀態數。（5分）

設有一長度為L的一維金屬線，試求能量E到E+d