知識產權公共服務機構信息服務成果共享報告集信息技術產業分冊2024年1本報告集由國家知識產權局公共服務司組織編寫。相果報告由各省知識產權局收集和推薦。經項目組發布報告。報告集分為信息技術、新能源、新材料、生物醫藥、化學、創新研究6個分冊，共14項成果報告。報告集充分考慮了信息的安全性與適宜性，主要內容為縮編后的精簡成果，并對部分章節內容進行了必要的刪減本次成果匯集和發布，旨在推廣知識產權信息利用成戰略價值，進一步強化知識產權信息服務對科技創新和產業優化升級的支撐作用。衷加強知識產權公共服務機構之間專業交流與互鑒，能夠有力化、協同化，促進知識產權信息利用和服務規范化發展，編輯組2半導體光刻膠專利分析研究報告 1集成電路產業碳化硅技術專利分析研究報告 陜西省傳感器產業專利導航報告 半導體光刻膠專利分析研究報告江蘇省知識產權保護中心(江蘇省專利信息服務中心)南京工業大學原報告定稿時間：2024年4月12王亞利江蘇省知識產權保護中心主任正高工程師趙乃瑄南京工業大學館長研究館員鮑志彥南京工業大學科長副研究館員李杉杉南京工業大學副研究館員許思嫻南京工業大學館員沈玲玲南京工業大學館員程琳南京工業大學館員王凱南京工業大學館員龔躍鵬江蘇省知識產權保護中心知識產權高級工程師孟彥娟江蘇省知識產權保護中心知識產權高級工程師張靜文江蘇省知識產權保護中心341.1半導體光刻膠產業發展現狀g線)、深紫外光刻膠(ArF,193nm、KrF,248nm)、極紫外光刻膠(EUV,1.2國內半導體光刻膠產業政策5日期發改委指出要發展高端專用化學品，包括KrF(248納米)光刻膠和ArF光刻膠(193納米),為大型技術領域科技創新專項規劃》明確將深紫外光刻膠列為極大規模集成電路制造技術創新生態體系建設與發展。規劃(2016-2020工信部指出要發展集成電路用電子化學品，重點發展KrF(248納米)和ArF(193納米)光刻膠，推進中國電子化學品行業發展。明確將高分辨率光刻膠及配套化學品列入“精細國務院發光刻膠、大尺寸硅片等關鍵材料，加強集成電元器件“十一五”專項規劃》工信部指出要重點支持國內6英寸及以上集成電路生產所有的248納米及以下光刻膠、引線框架等1.3半導體光刻膠產業鏈構成(1)上游分析67中游圖1-1中國光刻膠行業的產業鏈1.4半導體光刻膠技術發展現狀與趨勢技術熱點。目前，193nm浸沒式光刻與多重圖形曝光技術已經被證明可用于89第2章半導體光刻膠全球專利宏觀分析年進行統計，梳理從1947年至今全球半導體光刻膠專利技術的申請年度變化趨勢 第一階段(1947年-1979年)為萌芽期。該階段屬于半導體光刻膠技術積累階第二階段(1980年-1994年)為成長期。在全球集成電路行業集成度不斷提高線光刻技術進入開發期，并逐步取代了g線光刻膠。此外，隨著KrF(248nm)、ArF(193nm)等稀有氣體鹵化物準分子激發態激光光源技術的發展，20世紀80年年間專利申請回落的主要原因。第三階段(1995年至今)為快速發展期。隨著21世紀的到來，集成電路產業提高，迫切需要新一代替代技術的出現。2010年來，以極紫外(EUV)光刻膠為代動全球光刻膠技術專利申請又出現了進一步的回升。0圖2-1半導體光刻膠全球專利申請趨勢(1947-2024)2.1.1.2全球專利申請區域分析對半導體光刻膠全球專利申請區域進行分析(如表2-1),排名前10的國家/地交的專利申請總量的97.35%。專利申請數(件)1日本2美國3韓國4中國56中國臺灣7德國8英國9法國其他國家和地區2.1.2半導體光刻膠全球專利技術來源國與目標市場分析 (4751件),韓國申請量為1345項(2225件),分別占全球總申請量的18.51%和10.13%。中國專利申請為570項(617件),排名第四，占全球總申請量的法國0.47%_荷蘭0.32%_其他國家和地區中國臺灣1.48%英國126%法國0.47%_荷蘭0.32%_其他國家和地區中國4.30%韓國10.13%日本57.86%美國18.51%2.1.2.2技術目標市場分析關聯分析圖2-3為半導體光刻膠技術來源排名前5的國家/地區，即日本、美國、韓國、中國和德國在全球十大主要技術目標國的專利分布氣泡圖?？梢钥闯觯毡咀鳛樵擃I域專利申請第一的國家，非常重視在本土的布局，本土布局數量達到5967件。除本土以外，依次在韓國、美國、中國臺灣、歐洲、中國都有相當數量的布局，專利布局數量分別為1665件、1311件、930件、651件和608件。這說明，日本的專利申請人在扎根于本土的專利布局外，也相當重視對于全球其他區域的技術占領。美國作為第二大技術來源國，主要在美國本土和日本進行布局，布局數量分別為693件和797件，其次是韓國(514件)、歐洲(557件)和中國(346件)。相對于日本和美國，韓國、中國、德國則更加側重于本土的專利布局。韓國除了在本土申請的1108件專利外，在美國、日本和中國均進行了一定程度的布局，布局數量分比為254件、249件和219件，這說明美國、日本和中國是韓國企業的主要海外技術目標市場。中國在本土的專利公開數量為564件，而與此相對的是來源于中國的專利在美國公開數量僅為17件，在其他國家該數量則更低，這一方面說明中國的專利申請人更加側重于在本國布局，對于海外市場的重要性的認識偏低，另一方面也說明目前中國的專利申請人在該領域的技術相對落后，暫時不具備向發達國家輻射技術影響力的能力。因此，在半導體產業創新日益白熱化的浪潮中，中國的專利申請人一方面要提高全球布局的意識，另一方面更要增強自身的技術實力，縮小與全球領主要技術來源國圖2-3半導體光刻膠領域主要技術來源國/技術目標國專利申請數量分布2.1.3半導體光刻膠全球專利技術分析圖2-4展示了全球半導體光刻膠各主要技術分支的專利申請占比，如圖所示，產業成熟技術的專利申請7386件，占全球半導體光刻膠專利集合的33.78%,由于成熟技術研發歷程較長，專利積累數量較多，所以專利占比較多。產業主流技術的專利申請6760件，占全球半導體光刻膠領域專利集合的30.91%,主要包括KrF、ArF等深紫外光刻膠技術。主流技術是目前半導體光刻膠中市場需求最為旺盛的，但發展歷程較成熟技術短，因此專利占比略低于成熟技術占比。前沿替代技術專利申請7722件，占全球半導體光刻膠領域專利集合的35.31%,主要涉及EUV光刻膠、電子束光刻膠等前沿技術，這些前沿技術是未來尖端光刻膠的發展趨勢，近年來的研究熱度急劇上升，三者的專利申請總和甚至超越了成熟技術和主流技術，需要引起足夠的重視。2.1.4半導體光刻膠全球主要創新主體分析對全球半導體光刻膠領域的前10位申請人進行了專利族申請統計(圖2-5),專利族申請量排前10的依次是富士膠片、信越化學、東京應化、住友化學、JSR、三菱公司、日立公司、三星電子、IBM和陶氏化學。申請量排名前10公司的申請量總和占全球總申請量的42.51%,在該領域呈現明顯的巨頭化態勢。其中，全球專利申請量排名前7的巨頭富士膠片、信越化學、東京應化、住友化學和JSR、三菱公司、日立公司均為日本企業，日本在該領域的壟斷地位可見一斑。富士膠片是該領域專利申請數量最多的公司，達到了1244項(1963件),其次為信越化學、東京應化、住友(1063件)、577項(891件)、485項(698件)。值得注意的是，美國的陶氏化日立2.97%東京應化468%信越化學585%2.2.1半導體光刻膠中國專利申請態勢分析截止2024年4月30日，半導體光刻膠領域中國專利申請總量為2037件，其中中國本土專利申請705件，占比34.61%,國外來華專利1332件，占比第一階段為萌芽期(1990年-1996年):這一階段專利申請總量為15件，年申第三階段為波動發展期(2007年-2015年):進入21世紀，半導體光刻膠的目 圖2-7半導體光刻膠中國專利申請趨勢北京專利申請量為100項，居于全國首位，占國內專利申請980總量北京江蘇廣東上海浙江山東安徽四川河南湖北2.2.3半導體光刻膠中國技術分析前沿替代技術相關的專利申請量在半導體光刻膠領域占的比例最小，產業成熟技術占比最大，說明我國生產能力主要集中于g線、i線光刻膠等中低端產品。雖然EUV光刻、嵌段聚合物大分子自組裝及電子束等高端光刻膠2.2.4半導體光刻膠中國專利主要創新主體分析由圖2-10可見，中國本土專利申請量的前5名分別為京東方、中科院化學所、蘇州瑞紅、常州強力、華星光電。國內本土專利前10的申請人中，有7家來自企業，這表明國內半導體光刻膠企業在國內具有一定的研發實力和技術儲備，且目前我國半在中國本土申請人方面，隨著國家對半導體產業的大力投入，國內企業也開始加大對半導體光刻膠技術的研發并取得了一些成果，尤其涌現了一批優秀的光刻膠公司及科研院所，旨在突破國內高端光刻膠受制于人的局面，使光刻膠國產化由低端走向高端。中國本土專利申請人中，排名第一的是京東方，近年來京東方大力發展光刻膠有限公司作為京東方全資子公司，是國內較早涉足光刻膠的企業，實力強勁，國內面板用光刻膠的主要供應商之一。排名第二的是中科院化學所，中國科學院化學研究所是以基礎研究為主，有重點地開展國家急需的、有重大戰略目標的高新技術創新研究，其參與了(02專項)“極的主營光刻膠產品及其配套試劑的公司，生產光刻膠20多年。于2013年驗收了公司，并且在2019年成為TCL的子公司，華星光電擁有LCD和AMOLED等產業，北師大(14項)、中科院理化所(14項)、北京科華(14項)、西迪光電(13項)、南大光電(11項),排名相對靠后，申請量相差較小?？梢缘?章半導體光刻膠產業成熟技術——近紫外光刻膠專利分析3.1g線光刻膠全球專利態勢分析3.1.1g線光刻膠全球專利申請趨勢及區域分析趨勢。1952年-1983年間，g線光刻膠技術共有316件專利申請，1952年至70圖3-1g線光刻膠全球專利申請趨勢來，集成電路產業獲得快速發展，g線光刻膠技術開發已較為成熟，技術創新空間已十分狹小，更先進的i線、ArF、KrF以及EU對g線光刻膠全球專利申請的目標國/地區進行分析(圖3-2),排名前5的國家/地區依次為日本、美國、韓國、中國、歐洲專利局(EPO),占全球專利申請總量的90.38%。其中在日本布局的專利為1520件，占全球專利申請總量的比例38.87%,排名第二和第三的國家分別為美國和韓國，布局在美國的專利數為704件，占比為18.01%,布局韓國的專利數為575件，占比為14.71%。在中國布局的專利數為371件，占比為9.5%。在歐洲布局的專利數為364件，占比為9.31%。3.1.2g線光刻膠全球專利技術來源國及目標市場分析主要技術目標國主要技術目標國從技術來源國的角度進行分析(圖3-3),來源于日本的專利申請最多，申請專利達為17.91%,韓國申請專利數為217項，占比為7.59%。中國專利申請為125項，中國德國歐洲英國日本韓國中國臺灣美國日本美國韓國中國美國作為全球第二大技術來源國，非常重視海外專利市場，除了在美國本土申請了和美國的IBM。而前10名的申請人中，沒有來自中國的企業，可見中國本土企業與國別專利族(項)專利申請數(件)1日本2東京應化日本3日立公司日本4富士膠片日本5富士通日本國別專利族(項)專利申請數(件)韓國7日本8日本9日本美國利，占比28.57%,其余均為國外來華申請專利。對371件中國g線光刻內專利申請總量的13.21%,蘇州瑞紅申請專利6項，占比5.66%,中科院化學所申請專利5項，占比4.72%,北京科華申請專利4項，占比3.77%,華星光電申圖3-8為g線光刻膠領域國內排名前5的申請人2004年至2024年的年度申但在2011年之后沒有專利申請；京東方于2007年開始進入該領域，并在2015甲請量/件甲請量/件1952年至今全球i線光刻膠技術的專利申請趨勢圖(圖3-9)。件專利，于1987年突破100件，1990年出現第一個申請高峰，高達191件。在性組織提交的申請專利量共計4090件，占到全球范圍內提交的專利申請總量的比為17.41%;布局韓國的專利為687件，占比為17.33%;在中國布局的專利為465件，占比為9.70%;布局歐專局的專利有419件，占比為8.74%。專利申請數(件)1日本2美國3韓國4中國5歐專利局6中國臺灣7德國8英國93.2.2i線光刻膠全球技術來源及目標市場分析從技術來源國的角度進行分析(表3-3)可以看出，日本在全球占據了絕對的地位，來源于日本的專利申請最多，申請量達1966項專利，占全球申請總量的公司，包括東京應化、JSR、富士膠片、信越化學等光刻膠龍頭企業。美國申請了601項專利，韓國申請了235項專利，分別占全球申請總量的18.5%和7.24%,美、韓存在較大差距。德國申請了103項專利，占全球申請的3.18%,位列第五。專利族數(項)專利申請數(件)1日本2美國3韓國4中國5德國67英國8英屬維爾京群島9中國臺灣盧森堡7請以外，在美國、韓國、中國、歐專局和中國臺灣等國家和地區的專利布局均超過局之外，在歐專局、日本、韓國和中國分別布局了163件、151件、106件和64具備向發達國家輻射技術影響力的能力。中國臺灣主要目標市場主要技術來源國圖3-10i線光刻膠主要技術來源國/地區技術目標國的專利布局對全球i線光刻膠領域的前10位申請人進行了專利族申請統計(表3-4),專利國別專利族數(項)專利申請數(件)日本2日本東京應化3日本日立公司4日本富士膠片5日本6日本富士通7科萊恩8日本瑞翁9韓國美國業1家，韓國企業1家，瑞士企業1家，說明日本企業該領域占據主導地位。全球為198項、174項、157項和96項。來源于瑞士的科萊恩申請了78項專利，來3.2.4i線光刻膠中國專利態勢分析北京是我國i線光刻膠專利申請量最多的省份，共申請了30項專利，占國內本申請量項申請量項對106件中國本土專利申請進行申請人分析(圖3-13),專利申請量排名前5知識產權公共服務機構信息服務成果共享報圖3-14顯示了i線光刻膠中國專利本土申請排名前5位的國內申請人從2004年至今的專利申請趨勢。從圖中看出，中科院理化所是最早開始研發i線光刻膠技術的機構，但目前其技術研發主要方向是針對極紫外光刻膠的研發，在i線光刻膠技術領域只有零星申請，且不連貫。北京科華和蘇州瑞紅幾乎于同期開始涉足該領域，兩家企業的專利申請趨勢較為一致，這兩家企業都是國內領先光刻膠企業，特別是在中高端光刻膠技術領域同樣具備較強的研發實力。常州強力進入該領域較晚，2018年開始出現專利申請。第4章半導體光刻膠產業主流技術一深紫外光刻膠專利分析由于i線光刻膠的主要成分酚醛樹脂在248nm的曝光光源處不透明，與產酸劑存在競爭吸收關系，光敏性較差，無法應用于248nm光刻工藝中，人們開始了適用于248nmKrF光源光刻膠的相關研究。經檢索，KrF光刻膠全球專利申請共計3239件，其中日本專利申請883件，占比27.26%,排名第一；韓國、美國專利申請分別為752件(占比23.22%)和604件(占比18.65%),分列第二和第三(如圖4-1所示),中國專利申請302件，中國臺灣專利申請291件，分列第四第五，與日本、韓國和美國相比，還是存在較大的差距。對檢索到的3239件專利申請按照申請年進行統計，梳理從1983年至今KrF光刻膠全球專利申請年度變化趨勢(見圖4-2)、中、美、日、韓四國專利申請趨勢 (見圖4-3),大致分為四個階段：第一階段(1983年-1986年)為萌芽期，KrF光刻膠行業起步于1983年，從1983年起到1986年屬于零星申請階段，年均申請量不超過5件且申請不連貫，說明該時期的KrF技術尚處于前期探索、積累階段，整體技術發展速度緩慢。結合圖美國IBM公司是KrF光刻膠的開創者，于1983年首先研發出使用KrF激光器產生第二階段(1987年-1997年)為初步發展期，光刻膠作為半導體制造環節中的上漲。但由于該時期半導體行業龍頭英特爾公司的制程僅僅從3μm深入到了第三階段(1998年-2006年)為快速發展期，隨著半導體工藝制程進入請量幾乎全部在150件以上，在2003年更是達到了巔峰的225件。從圖4-3中第四階段(2007年至今)為成熟期，這個階段KrF光刻膠相關專利年度申請量04.1.2KrF光刻膠技術來源國及目標市場分析于日本的專利申請最多，達到了1992件申請(985項專利族),占全球總申請量的四，與日韓美還存在著相當的差距。中國臺灣申請的專利族為27項，排名第五。此專利族數(項)(件)1日本2韓國3美國4中國5中國臺灣6德國7盧森堡58英國799日本作為該領域專利申請第一大國，其第一專利布局目標國是日本本土，數量達到目標市場目標市場技術來源國/地區對全球KrF光刻膠領域的前10位申請人進行了專利族統計(表4-2),專利族韓國企業2家，美國企業1家。全球專利族申請量排名前5的公司中SK海力士來松下電器，分別為213項、138項、102項和89項，僅這五大公司的專利族申請應化以及韓國的三星電子，均超過40項。前10名的申請人中沒有來自中國的申請國別(項)(件)1日本2韓國3富士膠片日本4陶氏化學美國5日本6日本7三菱公司日本8日本9韓國東京應化日本4.1.4KrF光刻膠核心專利分析公開號12フォトレジスト下層膜形成材料おょびパターン形成方法3Resistcompositionwithpol4A遠紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン56Maleimideoralicyclicolefin-bamonomersandphotore78Chemicallyamplifiedpositiveresist91Monomersforphotoresist,polymersthereof,andphotoresistフォトレジスト単量體、フォトレジスト共重び、半導體素子0品化的248nm光刻膠中普遍使用的光致產酸劑為碘鹽和硫鹽。248nm光刻膠成不溶的表皮層或出現剖面為T型的圖形(俗稱T-top圖形公開號被引1スルホニウム塩化合物富士膠片2polymercompound,and錦湖石化3信越化學4スルホ二ウム塩及びその用途住友化學5ランク、並びにパターン形成方法信越化學6陶氏化學7信越化學8AMPLIFIEDRESISTCOMPOSITI信越化學9スルホニウム塢住友化學酸発生剤用の塩及びレジスト組成物住友化學4.2ArF光刻膠專利全球態勢分析4.2.1ArF光刻膠全球專利申請趨勢分析及區域分析和818件(占比18.50%),分列第二和第三(如圖4-7所示)。中國專利申請395其他570B00光刻膠全球專利申請年度變化趨勢(見圖4-8)、中、美、日、韓四國專利申請趨勢 第一階段(1982年-1994年)為萌芽期，ArF光刻膠起步于1982年，從1982年到1994年屬于ArF光刻膠技術積累階段，申請零星年IBM設計出甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸丁酯(TBMA)和甲基丙烯酸 半導體工業制程尚未進入KrF光刻領域，較之更先進的ArF光刻膠自然也沒有用武第二階段(1995年-1997年)為初步發展期。隨著集成電路的發展，這一時期第三階段(1998年-2006年)為快速發展期，這一時期半導體行業飛速發展，1.5倍以上，足可見光刻膠行業對于ArF光刻膠技術的重視程度。尤其是2002年第四階段(2007年至今)為成熟期，這個階段ArF光刻膠專利年度申請量維持0初展期達到了2594件(1305項專利族),占全球總申請量的58.25%,再次證實了日本四，中國臺灣申請的專利族為31項，排名第五。此外瑞士、英國、德國等國家在專利族數(項)專利申請數(件)1日本2韓國3美國4中國5中國臺灣67英國8德國9目標市場目標市場對全球ArF光刻膠領域的前10位申請人進行了專利族統計(表4-6),專利族片、陶氏化學和三星電子，分別為236項、227項、144項和102項，僅這五大公國別專利族數(項)專利申請數(件)1信越化學日本2SK海力士韓國3富士膠片日本4陶氏化學美國5韓國6日本7日本8美國9日本電氣日本日本和美國在該領域具有較高的技術認可度，相比KrF光刻膠成膜樹脂的研發更加多頭化，業內公司都在積極開發成膜樹脂材料。這些專利的申請時間主要集中在初步發展期和快速發展期，橫向上比KrF光刻膠成膜樹脂研發的平均時間晚兩年，但從被引證次數來看，ArF光刻膠的關注度遠超KrF光刻膠。目前ArF光刻膠主要的成膜樹脂有三種，分別是聚(甲基)丙烯酸酯類、脂環聚合物(聚環烯烴)以及環烯烴-馬來酸酐共聚物(COMA)體系。公開號1ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導體、重合體、フォトレジスト組成物、及び日本電氣2energy-sensitiveresistmaterial美國電報3フッ素含有重合體及び精製方法並びに感放射45ポジ型感光性組成物富士膠片6レジスト材料及びレジストパターンの形成方法富士通7Photoresistcross-linkerandphotoresistSK海力士8新規なポリマー及びそれらを含有してなるフオトレジスト組成物陶氏化學9ネガ型レジスト組成物東京應化Chemicalamplificationtype1.聚(甲基)丙烯酸酯類聚(甲基)丙烯酸酯相對于聚羥基苯乙烯在193nm高度透明因而成為首選材料，但由于其線型結構、抗刻蝕能力很差，無法實用化。直到1992年，人們發現含有多脂環的聚合物如帶有雙環或者三環的脂肪環類聚甲基丙烯酸酯可以像芳香族聚合物一樣耐等離子蝕刻。之后，帶有酸敏脂環側鏈基團的聚(甲基)丙烯酸酯成了193nm光刻膠的設計基礎，常見結構如圖4-11所示。一般而言，聚甲基丙烯酸酯的支鏈至少有三種類型，分別是酸致脫基團-離去基團、內脂基團和極化基團，其中，193nm2.脂環聚合物(聚環烯烴)告了一種用在聚合物長鏈(包括聚冰片烯)的光刻膠，成為環烯烴，該聚合物與常規圖4-12環烯烴-馬來酸酐共聚物體系光刻膠中，PAG的產酸效率比248nm低。193nm光刻膠需要具有高光敏性的PAG,公開號1劑並びにこれを用いたレジスト材料及びパタ信越化學2スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン信越化學3スルホニウム塩化合物富士膠片4剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパタ信越化學5日本電氣6compositions,andpatterningpr信越化學7Photosensitiveresincompositionuseful日本電氣8スルホニウム塩化合物、フォトレジスト組成日本電氣9Fluorine-ContainingSulfonatesPolymerizableAnionsFluorine-ContainingCompositions,andPatternMethodUsingSame中央硝子compound,chemicallyamplifiedcompound,andmethod第5章半導體光刻膠前沿替代技術專利分析5.1EUV光刻膠全球專利態勢分析5.1.1EUV光刻膠全球專利申請趨勢分析及區域分析0圖5-1EUV光刻膠全球專利申請趨勢146件，2011年后專利申請增幅進一步增大，突破230件，2012年專利申請達到布局美國的專利為907件，占比為22.65%。在中國臺灣布局的專利為577件，占比為14.41%。布局中國大陸的專利有279件，占比為6.97%。專利申請數(件)日本2韓國3美國4中國臺灣5中國6歐專局7德國8英國專利申請數(件)9法國從技術來源國的角度進行分析(申請人國別分析，表5-2)可以看出，EUV光刻專利族數(項)專利申請數(件)1日本2美國3韓國4中國臺灣5中國6德國7英國89芬蘭3盧森堡3主要目標國/地區主要目標國/地區了148件專利，在日本、韓國、中國臺灣和中國大陸分別布局了92件、80件、57韓國作為第三大技術來源國，在韓國本土布局了232件專利，占總申請量的分別布局了1件專利。這一方面說明中國專利申請人在EUV光刻膠技術發展初期非日本韓國美國中國臺灣中國德國英國法國新加坡主要技術來源國/地區圖5-2EUV光刻膠主要技術來源國/地區技術目標國的專利數量分布5.1.3EUV光刻膠全球主要創新主體分析來看，申請量排名前10位的申請人中有5家日本企業、2家美國企業、2家韓國企學排名第二，申請了392項(997件)專利；JSR排名第三，申請了110項(173件)專利；東京應化排名第四，申請了90項(203件)專利；韓國的SK海力士排名第五，申請了76項(100件)專利?？梢钥闯觯琶?的巨頭企業的同族專利排名六到十位的企業依次為臺積電92項(70件)、陶氏化學61項(156件)、三菱公司56項(164件)、IBM27項(41件)和三星電子25項(28件),其中陶國別專利族數(項)專利申請數(件)1日本富士膠片2日本信越化學3日本4日本東京應化5韓國SK海力士6中國臺灣臺積電國別專利族數(項)專利申請數(件)7美國陶氏化學8日本三菱公司9美國韓國圖5-3專利CN103304385A中苯多中溶解，具有較高的熔點和玻璃化轉變溫度(熔點均高于100℃),能夠滿足光刻技 于2009年、2010年申請的US20090004596A1和2009申請的專利US20090286180A1中提出一種抗蝕劑組合物，包含至少一個稠合的多環部分、至少一個用酸不穩定保護基團保護的堿可溶性官能團的分子玻璃基底以及光敏產酸劑，該組合物對氧化物反應離子刻蝕(RIE)工藝的刻蝕劑(例如CF?)具有高耐刻蝕性。為獲得同時滿足靈敏度、分辨率和線邊緣粗糙度要求的EUV光刻膠，錦湖石化在2009年申請的專利KR1020110040143A中，提出了聚縮醛樹脂基底的光刻膠組合物，該組合物具有高靈敏度、高分辨率、高抗蝕刻性和低脫氣特性等優點，并且可公開號1三菱公司2其制備方法和應用中科院3康奈爾大學4CalixareneBlendedMolecularGlassPhotoresistsandProces56photoresistcompositioncomp陶氏化學7性光刻膠、正性光刻膠涂層及其應用中科院8Calixareneandphotores陶氏化學9正色調有機溶劑顯像的化學增強抗蝕劑Calixareneandphotores陶氏化學85.2電子束光刻膠專利技術分析5.2.1電子束光刻膠全球專利申請趨勢分析及區域分析(見圖5-5)。及高分子抗蝕劑化合物來刻蝕圖案的方法，1967年IBM公司在其申請專利申請量/件申請量/件對電子束光刻膠全球專利申請區域進行分析(如表5-5),排名前10的國家/地專利申請數(件)1日本2美國3韓國45中國6德國7英國8中國臺灣9法國其他國家和地區5.2.2電子束光刻膠全球專利技術來源國及目標市場分析從技術來源的角度進行分析(表5-6),日本在全球占據了絕對領先的地位，來源于日本的專利族數量達1533項(2021件專利),占全球專利申請總量的76.12%。專利族數(項)專利申請數(件)1日本2美國3德國4韓國5中國6英國7法國889其它9越化學等。美國申請了262項專利族(575件專利),德國申請了62項專利族 (116件),韓國申請了61項專利族(100件專利),分別占全球專利族申請總量的13.01%、3.08%和3.03%,列居第二、三、四位。中國申請的專利族為39項 知識產權公共服務機構信息服務成果共享報告集——信息技術產業分冊美國德國韓國中國英國法國瑞士日本美國EPO中國主要技術目標國日本主要技術來源國綜上所述，日本、美國作為兩大電子束光刻膠技術大國，其專利布局在立足本土對全球電子束光刻膠領域的前10位申請人進行了專利族統計(表5-7),專利族球申請總量的52.68%,可見在該領域呈現明顯的巨頭化態勢。從申請人的國別來看，在專利族申請量排名前10位的申請人中，日本企業9家，束光刻膠領域的壟斷地位。富士膠片是該領域專利申請數量最多的公司，達到了250項(349件),其次為富士通、信越化學、日立公司和三菱公司，分別為170項(192件)、159項(267件)、97項(104件)和83項(112件),五大公司的下集團，美國的IBM、日本的東京應化和日本信話，均超過40項。前10名的申請國別專利族數(項)專利申請數(件)1富士膠片日本2富士通日本3日本4日立公司日本5三菱公司日本6日本7松下集團日本8美國9東京應化日本日本信話日本5.2.4電子束光刻技術核心專利分析表5-8展示了電子束光刻技術領域的高被引專利(按年均被引頻次進行排序),發劑如芳基重氮，二芳基碘或三芳基銃金屬鹵化物混合，制備對電子束輻射敏感與樹脂基材結合，可提升電子束輻射的靈敏度。信越化學于1999年申請的專利JP2000159758A公開了一種含內酯化合物，該化合物由重均分子量為1000-熱點主要是解決以下幾個問題：(1)絕緣襯底電子束曝光的電荷積累問題；(2)高寬公開號年均被引122Ahighpolymericcompou信越化學93A三菱公司54A三菱公司65Aormultipledevelopmentpat富士膠片06Chemicalamplificationtype87Agenerator,resistcom中央硝子88Electricallyconductivepo99Basiccompound,resistmateriala信越化學AA富士膠片6.1主要分析結論6.1.1半導體光刻膠的全球專利概況度持續上升。截止2024年4月30日，共檢索到半導體光刻膠相關專利申請22062件(專利族14704項),其中發明專利授權14794件，其中，從1980年- 6.1.4半導體光刻膠產業主流技術的發展情況當集成電路制造工藝發展到90nm節點時，ArF光刻技術(193nm)逐步發展1982年ArF光刻膠同樣是被美國IBM公司發明，日本的東京應化也在2001年推出了ArF光刻膠產品，1995年開始至1997年間ArF光刻作為可預見的下一代光刻技術，相關研發的熱度也是持續上升，隨后ArF光刻膠進入應化，技術高峰期和布局策略并不相同。1995年后日、韓、美逐步將研發重心從KrF轉移至ArF,三分天下齊頭并進。2004年后日本率先攻克浸沒式ArF光刻，美6.1.5半導體光刻膠前沿替代技術的發展情況 (1984年-2007年)后快速增長趨勢(2008年至今),專利申請原創國家/地區以及專利申請人也呈現出較為集中的狀態，主要來自富士膠本)、SK海力士(韓國)、JSR(日本)、東京應化(日本)、臺積電(中國臺灣)、陶氏化學(美國)、三菱公司(日本)、IBM(美國)和三星電子(韓國)等，日本仍在高3057件，自1996年以來快速發展，尤其是在2001年專利申請達到峰值146件，6.2產業發展建議6.2.1對國家政策的建議6.2.2對半導體光刻膠行業的建議2.集智攻關，布局核心技術“專利池”集成電路產業碳化硅技術專利分析研究報告江蘇省知識產權保護中心(江蘇省專利信息服務中心)中國專利技術開發公司原報告定稿時間：2024年6月王亞利江蘇省知識產權保護中心主任正高工程師于家伶中國專利技術開發有限公司室主任副研究員龔躍鵬江蘇省知識產權保護中心知識產權高級工程師鄧博遠江蘇省知識產權保護中心安宇中國專利技術開發有限公司分類員副研究員呼海春中國專利技術開發有限公司分類員副研究員劉華中國專利技術開發有限公司分類員助理知識產權師宋曉中國專利技術開發有限公司分類員助理知識產權師第1章碳化硅產業發展概述536OM5■電動汽車充電基礎設施M■鐵路(包括輔助電源)■風力發電■其他(石油和天然氣、國防、研發)啟動第三代半導體襯底及器件的多個發展計劃和研發項目，推動本國(地區)第三代年就制訂了“國防與科學計劃”,確立了發展寬禁帶半導體的目標；隨后美國又在2002年啟動和實施了寬禁帶半導體技術計劃(WBGSTI),成為加速提升SiC等寬禁帶半導體特性的重要“催化劑”;2014年初美國成立了以SiC為代表的第三代半導體產業聯盟，并宣布將全力支持以SiC為代表的第三代半導體技術的發展，計劃主要針對下一代電子電力制造業。2022年8月，美國《芯片和科學法案》正式成法生效，該法案提出采取給美本土芯片行業提供巨額補貼、給半導體和設備制造提供投資稅收發展計劃計劃美國能源部藝，提高能量密度，加快開關頻率，增強溫度控制，使電力電子技術成本更低，效率更高，降低電NEXT計劃研究項目局研發能夠同時實現極高速度和電壓的氮化鎵器件制歐盟委員會突破碳化硅器件技術，發展下一代碳化硅基電力電耐壓目標1.7kV和10kV以上鎵材料項目歐盟委員會突破高可靠性且高成本效益的技術，使歐洲成為世界高能效功率芯片研究并商業化應用的最前沿歐洲防務局聯合德國、法國、意大利、瑞典和英國，強化歐洲碳化硅襯底和氮化鎵外延片區域內供應能力，降低對歐洲以外國家的依賴性，形成服務于國防工業的實現低碳社會的新一代功率電子項目日本新能源產業技術開發機構研發低成本碳化硅電力電子器件和功率模組，應用于新能源汽車、鐵路列車等領域SiC開關器件德國聯邦研究部技部863計劃2002年啟動的“碳化硅單晶襯底制備”項目、2006年啟動的“2英知識產權公共服務機構信息服務成果共享報告集——信息技術產業分冊中超芯星當5K外延襯底加工器件設計模塊封裝應用CETcCETcInatftute2and55andshantrstemic器寫原科天潤BASic會NIO⑩Loape在器件層面，我國企業相對較晚進入市場。鑒于市場需求強勁，我國多個關于SiC器件廠的項目正在推進，主要以首先生產650VSiC金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為目標，以滿足新能源汽車等領域需求。據集邦化合物半導體不完全統計，2023年國內共有近40項SiC相關擴產項目啟動，其中不乏天科合達、晶盛機電、同光股份、科友半導體天域半導體、中車時代半導體、比亞迪半導體等國內頭部廠商的身影。從擴產內容來在碳化硅襯底方面，碳化硅襯底供應一直緊缺，為此龍頭企業大多與其供應商簽上世紀90年代末，美國CREE公司(Wolfspeed公司前身)已成功研制出4英寸碳化硅晶片，并于2001年成功研制首個商用碳化硅SBD產品。隨著碳化硅襯底和器件制備技術的成熟和不斷完善，以及下游應用的需求增長，國際碳化硅龍頭企業在保持技術和市場占有率的情況下，不斷加強產業布局，主要措施包括：(1)繼續擴大產能。如美國Wolfspeed公司斥資10億美元擴大碳化硅晶片生產能力；(2)加強與上下游產業鏈的聯合，通過合同、聯盟或其他造企業的部分產品在核心參數上已經達到國際先進水平，與海外Wolfspeed、表1-4展示了全球主要N型SiC晶片廠商2021年和(估算)2022年收入情化硅襯底制造商，2021年市場占有率高達47.9%;其次是SiCrystal和Coherent1.2.2碳化硅器件市場概況一定壟斷地位。市場份額由海外巨頭意法半導體(STMicroelectronics)、英飛凌表1-5全球主要SiC功率器件廠商2021年和(估算)2022年收入情況RankCompany20212022123456789第2章產業專利數據分析2.1全球專利態勢分析專利出現，在1975年達到11項，1996年達到81項。這段時期共產出755項業的年專利申請量由90年代末期的114余項躍升到2011年的486項。在技術發展期，日本專利申請總量達到2511項，占比61.0%,占據絕對的技術主導地位；2012年全球專利申請量為602項，2016年增至811項，2019年突破1000達到1003項，2023年躍升至1919項，2012-2023年平均增長率高達11.1%。在2.2中國專利態勢分析分布來看，大部分專利集中在2-9年這個區間，共計2818件，占有效專利總量的65.4%。而超過15年的長壽命專利占比相對較少，僅91件，占比2.1%。展期(2012-2019年)和快速發展期(2020-2023年)。其中，中國碳化硅利申請量由90年代初的1件增至2011年的82件，2012年突破百件，達到194件，2023年達到歷史峰值1958件。中國碳化硅產業專利授權數量，從1992年的2件增至2012年的99件，2013年突破百件達到125件，2023年再創新一一專利授權數量專利申請199019921994199619982000200220042006200820102012201420請量為7067件，占中國專利申請總量的79.2%;國外申請人在華專利申請量為1854件，占中國專利申請總量的20.8%。其中，日本在華專利申請量居首位，達德國，146,8%2.3專利區域分布分析碳化硅產業全球專利申請來源于共計52個國家或地區，主要來源于中國、日本、美國、韓國、德國。由中日美韓德五個國家申請的專利總量達到16648項，約占全球總申請量的96.0%。其中，中國以7039項專利申請排在第一位，占全球申請總量的40.1%。日本作為碳化硅產業的技術強國，其專利申請量達到6755項，占比達到38.5%。美國以1552項排名第三，占比為8.9%。韓國以809項排名第四，占比為4.6%。德國專利申請量為493項，占比為2.8%。整體來看，碳化硅產業全球專利申請國地域分布較為集中，主要來自中國和日本，由中、日兩國申請人提出的專利申請量占全球專利申請總量的78.7%,其他主要專利申請來源國基本都是現代工業強國，如美國、韓國、德國等。圖2-展示了碳化硅產業全球專利主要申請國一中國、日本、美國、韓國、德國的專利申請趨勢。總體來看，各國專利申請量均在穩步增長。1952195619601964196819721976198019841988199219962000200420041113095圖2-5全球專利主要申請國/地區二級技術分布大的差距。2.4專利技術主題分析碳化硅器件技術分支下的絕緣柵場效應晶體管技術分表2-6碳化硅產業全球專利技術分布一級專利申請量二級專利申請量三級專利申請量四級專利申請量硅產業襯底晶體生長高溫化學氣相沉積法其他生長工藝及設備襯底加工襯底切割襯底研磨襯底外延化學氣相沉積外延分子束外延液相法外延其他外延工藝及設備肖特基二極管PIN二極管絕緣柵場效應晶體管絕緣柵雙極性晶體管高電子遷移率晶體管關鍵工藝離子注入刻蝕金屬化應用電力變壓器功率放大器7件、肖特基二極管和高電子遷移率晶體管分別以1283件、899件、759件、696件354項、276項、172項，依次位列全球第7、第13和第19。這三家中國企業近申請人申請量排名所在國申請量近五年申請量占比碳化硅襯底應用住友公司1日本6三菱公司2日本電裝公司3日本5富士電機4日本5豐田公司5日本0西安電子科技大學6中國3中國電科7中國3昭工電工8日本0中國科學院9中國2日立公司日本4日本制鐵公司日本10Wolfspeed公司美國中國30東芝公司日本德國5日本2羅姆公司日本7松下集團日本01中國0迪斯科公司日本0值得注意的是，有7位日本申請人近五年申請量占比低于20%,顯示出較低的3.1物理氣相傳輸法技術路線分析生成SiC(US20020020342A1),之后美國的Cree公司利用硅源和烴反應生成改進。山東天岳將其發展為從原料角度增大生長區，將原料承載裝置設置為可升降為籽晶的生長面(DE3915053C2)。1997年，豐田中央研究所將與c軸的夾角為2005年，Cree公司進一步研究晶體的c軸與熱梯度的方向形成0°-2°夾角的同時，將生長方向與熱梯度方向形成70°-89.5°的夾角以提高晶體的質量和尺寸北同光利用小尺寸籽晶進行拼接后黏貼到籽晶托上，最終能夠生長得到直徑為的反應氣體的濃度以控制螺旋位錯的產生區域，由此實現螺旋位錯區域的控制生長變，調控第一階段和第三階段的壓力為0.13kPa-2.6kPa,第二階段的壓力為粉料坩堝結構籽晶設置生長參數生產碳化硅的單晶生產碳化硅的單晶單晶的制造方法用于相控升華的升碳化硅粉末及制造碳化硅單晶的方法一種碳化硅單晶的4H制造方法碳化硅單晶生產方法制備碳化硅單晶用高純度碳化硅粉末的方法和單晶碳化硅單晶制備碳化硅單晶用高純度碳化硅粉末的方法和單晶碳化硅單晶碳化硅單晶生產方法一種高純碳化硅單晶的生長方法碳化硅單晶的制造方法和裝置碳化硅單晶的制造方法和裝置物理氣相傳輸生長碳化硅單晶的方法和裝置碳化硅單晶生產緣碳化硅單晶的生長裝置一種長晶裝置及其應用一種高質量碳化硅晶體生長的方法生長單晶的方法和碳化硅單晶生產方法碳化硅單晶制造方法和裝置大直徑高品質的SiC單晶、方法和設備碳化硅單晶錠，碳化硅單晶的制造方法SiC單晶制造裝置和SiC單晶的制造方法單晶碳化硅的生長單晶的制造方法碳化硅單晶生長用籽晶、單晶錠及制法用于生長高質量碳化硅單晶的籽晶和夾持器碳化硅單晶生產方法籽晶、碳化硅單晶的生產方法和碳化硅單晶錠一種快速制備大尺寸SiC單晶晶棒的方法一種直徑8英寸及以上尺寸高質量SiC籽晶的制備方法低缺陷密度碳化硅的生長方法碳化硅單晶錠的制造方法位錯控制籽晶制備碳化硅單晶的方法碳化硅單晶基板及其制法碳化硅單晶的制備方法一種抑制碳化硅單晶中碳包裹體缺陷的生長方法3.2MOSFET器件技術路線分析SiCMOSFET的發展歷史相當長遠，全球SiC產業龍頭Wolfspeed的前身上生成MOS電容器結構的專利(US4875083A),這項專利后來被視為促成提交的專利申請US5170231A,描述了一種具有不對稱源/漏電導率的SiC2004年，Cree公司申請了涉及垂直碳化硅MO其柵絕緣膜位于4H型SiC的{03-38}晶面上，其相對于{03-38}晶面的偏離角范圍在10°以內，相比于傳統的SiC功率器件所采用的{0001}晶面，{03-38}晶面上絕緣膜位于SiC相對于{11-20}晶面具有偏向{000-1}晶面約10-20°范圍的晶面上，2003年，S.H.Ryu申請的專利US20040119076A1中介紹了一種SiC垂直2009年，三菱公司申請了專利JP2011049267A,其在基區和漂移層之間形成SiC功率器件在實際運用中由于SiC材料的寬禁帶特性，會使得SiCMO同年2016,香港科技大學JinWei等人在專利GB254成垂直溝道與水平溝道的雙溝道MOSFET結構(TP-MOS),相比于傳統的VDMOSFET結構，由于溝道密度的增加，其導通電阻從3.13mQ·cm2降低到了MOS具有比VDMOSFET與UMOSFET都要低的柵漏電容，其高頻優值(high-2018年，美國電力學會KijeongHan,B.JayantBaliga等人在專利US10355132B2中披露了一種緩沖柵VDMOSFET,該結構將傳統結構中的柵極減分的擊穿電壓。在具有內置肖特基二極管的Si11圖3-2絕緣柵場效應晶體管(MOSFET)技術路線圖3.3未來技術發展預測對碳化硅產業各級技術分支，從整體申請趨勢、國家/地區申請熱點、重點申請人研發熱點、協同創新熱點、專利運營熱點(專利訴訟、專利許可、專利轉讓、專利質押)等方面進行進一步分析，綜合評價各個技術分支的發展趨勢，如表3-3所示。地區熱點重點協同熱點專利訴訟專利許可專利轉讓專利質押底晶體★★★★★★★√高溫化學氣★★★★√其他生長工藝及設備★5襯底襯底切割★5襯底研磨★★★★★襯底外延積外延★★★★★5分子束外延★液相法外延★★★√其他外延工藝及設備★肖特基二極管★級技術分支地區熱點重點協同熱點結論專利訴訟專利許可專利轉讓專利質押件★★√★√★√★件★關鍵工藝離子注入★★★★√★★5★★應用器★電力器★★功率器★器★器★整體申請趨勢，反映的是該分支近五年(2019-2023年)全球專利申請量的年增國家/地區申請熱點，反映的是近十年(2014-2023年)中美歐日韓五局在某分第4章發展建議術攻關，提高大尺寸襯底的量產效率和良率，加快推進進度，持續提升6英寸襯底的量產能力，為中下游企業自主創新夯實基礎。參考表熱點/重點技術方向晶體生長昭工電工、電裝公司、山東天岳、三安光電、同光半導體、晶元、通威微電子有限公司、北京晶格領域半導體有限公司襯底外延液相法外延高厚度均勻性日本制鐵公司、東洋炭素、日本關西學院4.3企業培育招商路徑建議陜西省傳感器產業專利導航報告西安市市場監督管理局高新區分局原報告定稿時間：2023年6月樂華西安市市場監督管理局高新區分局知識產權管理科科長康凱西安億諾專利代理有限公司執行董事余芳西安億諾專利代理有限公司項目部經理張青青西安億諾專利代理有限公司專利代理師知識產權公共服務機構信息服務成果共享報告集——信息技術產業分冊第1章傳感器產業整體發展現狀傳感器作為現代科技的前沿技術，是現代信息技術的三大支柱之一，也是國內外公認的最具發展前途的高技術產業。自動化專家指出，傳感器技術直接關系到我國自動化產業的發展，“傳感器技術強，則自動化產業強”,其對推動國民經濟發展具有十分重要的意義。截至2022年2月25日，全球傳感器領域專利申請達600萬以上。其中下游傳感器應用數據達579萬，通過統計主要應用領域專利占比概況，目前傳感器的應用以工業電子(占下游應用的26%)、消費電子(占下游應用的11%)、通訊電子(占下游應用的9%)、汽車電子(占下游應用的8%)、醫療(占下游應用的4%)應用比重較大。傳感器產業相關專利技術的布局自1918年開始，產業的發展為技術研發和專利申請起到巨大的推動作用，全球傳感器產業歷經104年的發展，目前處于快速發展的階段，并將保持其增長態勢，圖1-1為全球傳感器產業上中下游的專利申請趨勢，從專利申請量來看，下游應用涉及產業范圍廣泛，下游應用相關專利申請占據霸主地位，并帶動傳感器制造、上游材料的研發投入，促進中上游的發展。醫療醫療針對上述情況，本項目檢索邊界為產業鏈上游、中游以及下游汽車電子領域應用進行分析，不對下游其他應用領域分析，其原因有兩方面，具體為：第一、由于傳感1.1傳感器產業迅速發展，專利上升趨勢明顯其中發明專利共計506506,占比85.5%,含授權專利211829件，授權率達到第一階段(1918-1958年):萌芽期：這一時期長達40年，該時期的專利申請第四個階段(2009-至今):二次發展期，在該時期中，中國開始走入了人們的視實用新型0圖1-2全球/中國專利申請趨勢圖我國仍保持正向快速增長。知識產權公共服務機構信息服務成果共享報告集信息技術產業分冊對傳感器產業的技術來源國和目標市場國進行分析，了解傳感器產業關鍵技術的圖1-4顯示了傳感器產業全球前十技術來源國和市場國，由圖中可以看出，傳感器產業前十的技術來源國依次為日本、中國、美國、德國、韓國、法國、英國、俄羅斯、瑞典和瑞士，日本作為主要的技術來源國，主要在于日本擁有佳能、豐田、歐姆和利用傳感器技術相當重視并列為國家重點發展6大核心技術之一，20世紀90年代重點科研項目70個課題中有18項是與傳感器密切相關，且研發方面日本約有方面始終處于領先地位，材料領域、傳感器制造領域技術領跑于全球；而日本早在子和汽車電子領域對傳感器的需求也刺激了其在傳感器產業各個領域的全面發展；中國德國材料敏感元件制造測試封裝汽車電子圖1-5傳感器產業強國發展特色本(9家)、德國(7家)、美國(2家)、韓國(2家)。德國的博世集團申請量位居全席位，占比45%,日本申請人中，豐田以8830件專利申請位居首位，電裝公司、日本-豐田日本-電裝公司日本-日產公司日本-本田德國-大陸公司德國-大眾公司全球前30申請人吉利北汽日本-豐田日本-電裝公司東風臺積電上汽制造/汽車電子長安日本-日產公司制造/汽車電子安徽江淮汽車集團股份有限公司電子中國電子科技集團公司日本-本田德淮半導體有限公司中航工業德國-大陸公司制造/汽車電子德國-大眾公司制造/汽車電子制造/汽車電子廣汽制造/汽車電子制造/汽車電子京東方科技集團股份有限公司比亞迪制造/汽車電子濰柴動力公司制造/汽車電子中國重汽北京萬集科技股份有限公司制造/汽車電子百度公司歌爾微電子有限公司制造/汽車電子江蘇多維科技有限公司韓國-萬都公司制造/汽車電子國機集團中芯國際陜汽制造/汽車電子萬向集團制造/汽車電子孝感華工高理電子有限公司制造/汽車電子武漢飛恩微電子有限公司1.5傳感器從全球分工向產業鏈整合趨勢發展1918-19381939-19591960-19801■材料■數感元件■制造■封裝■測試■汽車電子■材料■敏感元件■制造■封裝■測試■汽車電子敏感元件敏感元件1918-19381939-19591960-1980材料材料■美國■德國■日本■韓國■中國1918-19381939-19591960-19801918-19381939-19591960-1980測試1918-19381939-1959196圖1-7傳感器產業主要國家二級技術分支轉移趨勢02.1集群化成為產業發展主趨勢2.2傳感器產業發展呈區域聚集趨勢表2-1全國各省市區二級分支專利申請數量及排名專利專利專利專利專利江蘇1211161廣東412322633833北京354434上海245245山東56967安徽97756湖北78778四川989陜西68611天津999專利專利專利排名專利專利555遼寧893457廣西1江西9山西657云南貴州8984211223614澳門213汽車電子領域的企業數量前4均被江蘇、廣東、浙江和上海省市名江蘇1251111廣東21223225433633上海4334245北京3745754安徽7677566湖北338987山東6936878四川88597天津79重慶19陜西959河南41遼寧3吉林942河北94湖南33江西88廣西21臺灣46黑龍江4山西7貴州77云南4香港2321內蒙古2914515寧夏111222澳門1半導體材料金屬材料敏感材料陶瓷材料有機材料光數元件輻射敏元件氣敏元件力數元件熱敏元件溫數元件結型傳感薄膜類傳感器厚膜類傳感器傳陶瓷類傳國器電極類傳系統封裝晶園級封裝倒裝封裝注塑封裝機械測試電氣測試熱力學測試75873899843223343山東228112562814948陜西348454四川856233355234251214228265335582555422553332116783222383925山西6臺灣32