現(xiàn)場絕緣試驗實施導(dǎo)則介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ試驗國家能源局發(fā)布 262規(guī)范性引用文件 263術(shù)語和定義 264測量儀器及主要技術(shù)參數(shù) 27 6現(xiàn)場測量的干擾影響和消除方法 附錄A(資料性附錄)電場干擾影響的消除方法 40介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ試驗GB/T19749.1—2016耦合電容器及電容分壓器第1部分：總則4.1測量儀器4.1.1西林電橋西林電橋的四個橋臂由四組阻抗元件所組成，其原理接線如圖1所示。圖1西林電橋原理接線圖以上式中符號的含義同圖1。高壓介質(zhì)損耗測試儀是指應(yīng)用數(shù)字測量技術(shù)并用計算機控制和處理，從而實現(xiàn)介質(zhì)損耗和電容量主要測量方法有零值比較法(用變壓器比例臂代替普通阻抗比例臂)、實部和虛部分離法、快速傅里葉變換分析法(FFT)、相位差法等。新型高壓介質(zhì)損耗測試儀一般具有全自動抗干擾功能，抗干擾主要采用異頻法，啟動測量后高壓設(shè)定值送到變頻電源，變頻電源用PID算法將輸出緩速調(diào)整到設(shè)定值，測量電路將實測高壓送到變頻自動選擇輸入并切換量程，測量電路采用傅里葉變換濾掉干擾，分離出信號基波，對標(biāo)準(zhǔn)電流和試品高壓高壓高壓高壓接接地接地在200%干擾(即Ig/Is≤2)下，損耗因數(shù)最大允許誤差：±(1%×讀數(shù)+0.0004);電容量最大允許誤差：±(1%×讀數(shù)+1pF);頻率：±0.01Hz。繞組電壓10kV以下注：用M型試驗器時試驗電壓自行規(guī)定；Ug12高壓中壓3高壓中壓、低壓和外殼4高壓和低壓高壓和中壓5高壓、中壓和低壓注：表中4和5兩項只對16000kVA及以上的電力變壓器進行測定。試驗時，高、中、低三繞組兩端都應(yīng)短a)110kV或16000kVA及以上變壓器的tanδ宜在10℃~40℃范圍內(nèi)測量，測量結(jié)果的比較不宜運行后運行后1電容值1)在額定值的一5%～10%的電容值之比與這兩單元額定電壓值比值的倒數(shù)之差不1)投運1年內(nèi)在出廠值或初始值的一5%～10%內(nèi)；102%時應(yīng)縮短試驗周期；3)一相中任兩節(jié)其值相差的±5%內(nèi)值的5%內(nèi)2定于下列值：油紙絕緣：0.005品技術(shù)條于下列值：油紙絕緣：0.005注：或按GB/T19749.1—2016中2.6的規(guī)定。35kV～110kV級的電流互感器，多數(shù)為油浸鏈?zhǔn)?如LCWD-110型)和串級式(如L-110型)結(jié)電容型電流互感器的結(jié)構(gòu)如圖3所示，最外層有末屏引出。試驗時可采用高壓電橋正接線進行一次繞組對末屏的tanδ及電容的測量。電流互感器進水受潮以后，水分一般沉積在底部，最容易使底部和末屏絕緣受潮。采用反接線測量末屏對地的tanδ和電容，加壓在末屏與油箱座之間，另外將一次繞組接到電橋的“E”端屏蔽，試驗時施加電壓根據(jù)末屏絕緣水平和測量靈敏度選用，一般可取2kV。電容型電流互感器一次繞組對末屏tanδ的試驗結(jié)果判斷標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)不大于表4中的數(shù)值，電容量與初始值或出廠值差別超出±5%范圍時應(yīng)查明原因；當(dāng)末屏絕緣電阻小于1000MQ時應(yīng)測量末屏對地的tanδ。其值不大于2%。電壓等級交接和大修后電壓等級運行中 注：油紙電容型tanδ一般不進行溫度換算，當(dāng)tano值與出廠值或上次試驗比較有明顯增長時，應(yīng)綜超過±0.3%,不應(yīng)繼續(xù)運行。電容式電壓互感器由電容分壓器、電磁單元(包括中間變壓器和電抗器)和接線端子盒組成，其原理接線如圖4所示。有一種電容式電壓互感器是單元式結(jié)構(gòu)，分壓器和電磁單元分別為一單元，可在現(xiàn)場組裝，另有一種電容式電壓互感器為整體式結(jié)構(gòu)，分壓器和電磁單元合裝在一個瓷套內(nèi)，無法T1繞組中的電流值，可能超過其最大熱容量。因此只要求試驗電壓能滿足電橋靈次繞組均短路接地按反接線測量。由于δ點絕緣水平限制，外施交流電壓2kV,其試驗接線和等值電路如圖7所示。電容分壓器的試驗標(biāo)準(zhǔn)見表3的規(guī)定，中間變壓器的試驗標(biāo)準(zhǔn)按DL/T596電磁式電壓互感器規(guī)定判斷。圖7b)中(C?+C?)>Cr,因此按圖7試驗接線圖測得的tanδ近似5.6.2電磁式(油浸)全絕緣電壓互感器可以采用將一次繞組短路加壓，各二次繞組均短路，接西林電橋Cx點的正接線方式來測量tanδ及電容值；也可以采用對電橋的E點加壓，將一次繞組短路，接QS?電橋的Cx點，其二次繞組均短路直接接地的反接線方式。電磁式電壓互感器在交接試驗時，35kV油浸式的tanδ可參照DL/T596規(guī)定判斷。35kV以上的，在試驗電壓為10kV時，按制造廠試驗方法測得的tano值不應(yīng)大于出廠試驗值的130%。運行中電磁式電壓互感器的tanδ值按DL/T596規(guī)定判斷。5.6.3串級式(油浸)電壓互感器圖8為220kV串級式電壓互感器原理接線圖。一次繞組分成4段，繞在兩個鐵芯上；兩個鐵芯被支撐在絕緣支架上，鐵芯對地分別處于3/4和1/4的工作電壓，一次繞組最末一個靜電屏(共有4個靜電屏)與末端“X”相連接，“X”點運行中直接接地。末電屏外是二次繞組ax和剩余二次繞組apXp。“X”與ax繞組運行中的電位差僅100/√3V,它們之間的電容量約占整體電容量的80%。110kV級的繞組及結(jié)構(gòu)布置與220kV級類似，一次繞組共分2段，只有一個鐵芯，鐵芯對地電壓為1/2的工作電壓。 圖8220kV串級式電壓互感器原理接線圖5.6.3.2.1測量串級式電壓互感器tanδ和電容的主要方法有：末端加壓法、末端屏蔽法、常規(guī)試驗法和自激法。末端加壓法采用較廣，它的優(yōu)點是電壓互感器A點接地，抗電場干擾能力較強，不足之處是存在二次端子板的影響，且不能測絕緣支架的tanδ值；末端屏蔽法“X”接屏蔽能排除端子板的影響，能測出絕緣支架的tanδ值，電壓互感器的預(yù)防性試驗規(guī)定，必須增加對絕緣支架的介質(zhì)損失值的測試項目，因此DL/T596建議采用末端屏蔽法試驗。自激法抗干擾力差，一般較少5.6.3.2.2試驗接線和方法如圖9～圖14和表5所示。DL/T474.3圖11末端屏蔽法：電壓互感器底座接地測量一次對二次繞組的試驗接線(測出Ca及tanδ?)圖12末端屏蔽法：電壓互感器底座接地測量一次對支架與二次繞組并聯(lián)的試驗接線(測出C?及tanδp)圖13末端屏蔽法直接測量支架tanδ接線表5測量電壓互感器tano和電容的接線方法序號試驗方法結(jié)果C.端的加壓端和繞組間支架二次端子三次端子1末端加電壓圖9線地X加2~A√√√2圖10地√√√3末端屏蔽法圖11線地A加10kV(限于Cn)X√4圖12地X√√5圖13地√6常規(guī)法圖14線地√√√√7地√√√8√√9ax,地√√√ax,apxp地√√線√√√√注2:當(dāng)用末端加壓法和末端屏蔽法試驗時，被試電容C.的計算式為：式中，k是試驗時二次繞組(ax,aD,xD)所在鐵芯的電位與試驗電壓的比值，當(dāng)用5.6.3.2.3絕緣支架tanδ和電容的測量。由于支架的電容量很小(一般為10pF～25量后，用式(3)計算出絕緣支架的電容Ce和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ。,即Ca及tano?——按圖11接線測量的一次對二次繞組的電容及介損值。按圖14測量時，為便于電橋平衡，需要在R?上再并接適當(dāng)電阻，通常，取外并電阻R?=R?/n串級式(分級絕緣)電壓互感器20℃時的tanδ值應(yīng)不大于表6中數(shù)值。電壓等級交接大修后%運行中%按圖9接線按圖10接線本體，按圖11接線絕緣支架，按圖11、12或圖13接線自激法不同部位的耦合電容電流(干擾電流)沿被試品和電橋測量電路(正、反、側(cè)接線)流過，形成電場b)當(dāng)相對濕度較大(如在80%以上)時，正接線使測量結(jié)果偏小，甚至tanδ測值出現(xiàn)負(fù)值；反f)被試品與電橋的連接電纜(屏蔽線)長度超過10m。(資料性附錄)電場干擾影響的消除方法A.1屏蔽在部分停電的現(xiàn)場，對可能受到鄰近帶電物體電場影響的被試品，特別是直接與電橋連接的暴露的被試品電極，在可能條件下用內(nèi)側(cè)有絕緣層的金屬罩、鋁箔等加以屏蔽，屏蔽罩(箔)接地，以減對于干擾電源和試驗電源同頻率時，可以利用選相倒相法，通過計算的方法消除干擾電流的影A.3.1原理當(dāng)干擾源特別強，利用特制的可調(diào)電源加到橋體上，可以達(dá)到消除干擾對電橋平衡和對測量的圖A.1為以反接線為例在R?臂上加反干擾源測量tanδ的原理圖。>>|R?I,反干擾源的并接，不影響干擾電流ig、i、i?的分布。又因為有Cx端和E端(或者是Ca端和E端，或者是Cx端和Cn端)。b)將電橋的R?調(diào)整在估計的測量值位被試品的實際電容值(正比于Icx)為：找出相應(yīng)于夾角為零的移相器位置的方法如下：在圖A.2中將B