半導體物理學劉恩科第七版課后習題解第1章習題解_第1頁
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...wd......wd......wd...半導體物理學第一章習題(公式要正確顯示，請安裝字體MTextra)TOC\o"1-3"\h\z1．設晶格常數為a的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量EV(k)分別為：12.晶格常數為0.25nm的一維晶格，當外加102V/m，107V/m的電場時，試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。31．設晶格常數為a的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量EV(k)分別為：〔1〕禁帶寬度;〔2〕導帶底電子有效質量;〔3〕價帶頂電子有效質量;〔4〕價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化解：〔1〕2.晶格常數為0.25nm的一維晶格，當外加102V/m，107V/m的電場時，試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。解：根據：得補充題1分別計算Si〔100〕，〔110〕，〔111〕面每平方厘米內的原子個數，即原子面密度〔提示：先畫出各晶面內原子的位置和分布圖〕Si在〔100〕，〔110〕和〔111〕面上的原子分布如圖1所示：〔a〕(100)晶面〔b〕(110)晶面〔c〕(111)晶面補充題2一維晶體的電子能帶可寫為，式中a為晶格常數，試求〔1〕布里淵區邊界；〔2〕能帶寬度；〔3〕電子在波矢k狀態時的速度；〔4〕能帶底部電子的有效質量；〔5〕能帶頂部空穴的有效質量解：〔1〕由得〔n=0，1，2…〕進一步分析，E〔k〕有極大值，時，E〔k〕有極小值所以布里淵區邊界為(2)能帶寬度為(3〕電子在波矢k狀態的速度

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