廣州熔煉設備可行性研究報告

投資分析/實施方案

報告摘要說明半導體設備按生產工藝流程可分為前端設備（晶圓加工設備、晶圓制造設備）和后道設備（封裝及測試設備），占總體設備投資的比例分別為70%和30%。我們進一步梳理了各環節主要設備的龍頭企業，其中應用材料作為全球最大的半導體設備供應商，在晶圓制造設備的幾個核心環節熱處理、鍍膜設備、離子注入設備等領先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設備、涂膠機、顯影機、測試設備等產品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機領域處于領先地位。在泛半導體行業，國內廠商已接近國外先進水平。半導體和光伏等行業均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛半導體產業的晶圓生長設備適當提高精度即可實現一定程度上的互相替代。在泛半導體行業，單晶硅生長爐技術水平的指標有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標準。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產成本越低，技術難度也越大。目前國內市場單晶硅生長爐的投料量一般在60~150kg，尺寸一般在6~8英寸。當前只有少量幾家公司能夠生產150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機電為代表的國內廠商，其設備技術水平已經接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優勢，占據了國內光伏市場的絕大部分份額。未來，國產晶圓生長設備有望提高在半導體行業的滲透率。該中高頻熔煉設備項目計劃總投資8813.51萬元，其中：固定資產投資6258.05萬元，占項目總投資的71.01%；流動資金2555.46萬元，占項目總投資的28.99%。本期項目達產年營業收入18028.00萬元，總成本費用13556.95萬元，稅金及附加158.77萬元，利潤總額4471.05萬元，利稅總額5246.52萬元，稅后凈利潤3353.29萬元，達產年納稅總額1893.23萬元；達產年投資利潤率50.73%，投資利稅率59.53%，投資回報率38.05%，全部投資回收期4.13年，提供就業職位259個。中國晶圓廠建設加速。預估在2017-2020年間，全球將有62座新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產能的擴張帶來設備需求的彈性。據江蘇省半導體行業協會的統計，2016年中國大陸已進入連年國產階段的晶圓生產線有近100條，其中12英寸晶圓生產線共有9條，8英寸晶圓生產線共有16條，6英寸晶圓生產線共有40條，5英寸晶圓生產線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產的12英寸晶圓廠，經過幾次技術改進工藝水平達到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產線，技術節點達到了28nm，領先國內水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產企業擁有量產的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設了8英寸晶圓產線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉型生產3DNANDFlash。目前國內已經量產的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產能42.9萬片/月。半導體產業與面板產業相似，都是重資產投入，設備投資占總投資規模的比例達到60%以上，其中一些關鍵的制程環節需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術，具有技術含量高、制造難度大、設備價值高等特點。因此下游產業的發展衍生出了巨大的設備投資市場。

廣州熔煉設備可行性研究報告目錄

第一章項目總論第二章項目市場分析第三章主要建設內容與建設方案第五章土建工程第六章公用工程第七章原輔材料供應第八章工藝技術方案第九章項目平面布置第十章環境保護第十一章項目職業安全第十二章風險防范措施第十三章節能第十四章實施進度第十五章投資計劃第十六章項目經濟收益分析第十七章項目招投標方案附表1：主要經濟指標一覽表附表2：土建工程投資一覽表附表3：節能分析一覽表附表4：項目建設進度一覽表附表5：人力資源配置一覽表附表6：固定資產投資估算表附表7：流動資金投資估算表附表8：總投資構成估算表附表9：營業收入稅金及附加和增值稅估算表附表10：折舊及攤銷一覽表附表11：總成本費用估算一覽表附表12：利潤及利潤分配表附表13：盈利能力分析一覽表

第一章項目總論

一、項目建設背景中國晶圓廠建設加速。預估在2017-2020年間，全球將有62座新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產能的擴張帶來設備需求的彈性。據江蘇省半導體行業協會的統計，2016年中國大陸已進入連年國產階段的晶圓生產線有近100條，其中12英寸晶圓生產線共有9條，8英寸晶圓生產線共有16條，6英寸晶圓生產線共有40條，5英寸晶圓生產線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產的12英寸晶圓廠，經過幾次技術改進工藝水平達到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產線，技術節點達到了28nm，領先國內水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產企業擁有量產的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設了8英寸晶圓產線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉型生產3DNANDFlash。目前國內已經量產的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產能42.9萬片/月。在政策和資本的雙重驅動下，中國大陸晶圓生產線建設進入了新一輪發展浪潮。除了已經量產的9條12英寸產線外，從2014下半年至2017上半年，中國大陸正在興建或宣布計劃興建的12英寸晶圓生產線共有20條（包括擴產升級的產線），大大超越了已有數量，這在史上也是絕無僅有的集建設時期。中國大陸正在興建的12英寸晶圓產線，按主流產品和工藝技術來分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲器（Memory）芯片和專用芯片生產線3類。目前興建中技術水平最高的廠商依然是中芯國際，其在北京投資40億美元的B3產線已達到14nm制程；同時還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發10/7nm工藝，預計2018年正式投產。而作為臺灣地區晶圓代工龍頭臺積電，也于2017年宣布在南京建設12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產。除了新建產線，原有的外資12英寸產線也開始了技術升級、產能擴建的進程。其中包括SK海力士（無錫）進行第5期擴建工程，以及三星（西安）進行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設。根據目前的規劃，若這些晶圓廠全部量產，可達到的理論產能約為125萬片/月。疊加現有產能，則未來中國12英寸晶圓產能將超過160萬片/月，將大大拉動對半導體設備的需求。從2016年下半年起，國內外8英寸晶圓產能日趨緊張，現有的8英寸產線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴建12英寸產線的同時，8英寸晶圓生產線的新建和擴建也隨勢展開。至今，新建的8英寸晶圓生產線主要有大連宇宙半導體和淮安德克瑪等，擴建的8英寸產線主要是中芯國際（天津）Fab7?？傮w來說，國內的8英寸產線共計21條，其中量產16條，在建或擴建5條，共計產能115萬片/月。中國晶圓廠投資迎來爆發期。我們統計了國內所有8英寸及12英寸產線的投資數據，從未來的投資軌跡來看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內，將有20條產線12英寸晶圓產線實現量產，其中包括紫光集團兩條、中芯國際四條、長江存儲三條，臺積電、三星、美國AOS、聯華電子、力晶、華力微電子、合肥長鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計投資金額約6827億元（去除紫光成都產線和中芯國際寧波產線，因為其只與政府簽訂合作意向，項目并未實際動工）。全部投產后，中國的12英寸晶圓產能將領先臺灣與韓國。同時，未來國內新增的8英寸晶圓產能45.5萬片/月，相比目前的量產規模增長65%，新增投資247億元。來國內半導體設備市場空間測算：根據我們人工統計的晶圓產線數據，按照產線的投資額進行4年的平滑，可以計算出未來每年晶圓廠投資數據。在過去的十年中，全球半導體設備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產線的全部資本投資中，2/3的資金用于購買設備，剩下的1/3用于廠房建設，包括人員開支、設計、材料等費用。我們以一條15億美元的產線為例，其中10億美元用于設備支出，主要的設備包括以下幾種：i.光刻機：最高端的ASML光刻機售價高達1億美元，整條產線根據產能大小只需要幾臺光刻機即可；ii.等離子刻蝕機：一條產線需要30-50臺，單臺價格在200-250萬美元左右。iii.CVD設備：一個晶圓廠至少需要30臺，單臺價格200-300萬美元。iv.檢測設備：最貴的美國檢測機單價約為100萬-120萬美元，其中前道工序需要50臺，而后道工序則需要上百臺。約70%的市場為前端晶圓制造設備，而封裝設備、測試設備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產過程中不斷循環往復，對于設備穩定性和精度的要求極高，這部分設備價值體量也最高，其中最核心裝備光刻機、鍍膜沉積設備、刻蝕設備分別占晶圓廠設備總投資的20%、15%和14%左右。中國晶圓廠設備未來幾年的投資額將達到千億級別，對應的設備投資額也為585億-1210億元不等，我們預計2019年設備投資額將達到近期峰值水平，其中晶圓制造的設備投資額將達到847億元。由于前道設備技術難度極高，同時國外實施技術封鎖，國產企業無法掌握核心技術而較難切入該領域。后道的封裝測試環節技術難度相對較低，尤其是測試設備，大陸憑借著技術引進和較低的勞動力成本優勢已經在該領域有所建樹，2017年測試設備市場規模有望達到59億元。持續的產能轉移不僅帶動了國內集成電路整體產業規模和技術水平的提高，也為裝備制造業提供了巨大的市場空間。二、報告編制依據1、《產業結構調整指導目錄》。2、《建設項目經濟評價方法與參數》（第三版）。3、《建設項目經濟評價細則》（2010年本）。4、國家現行和有關政策、法規和標準等。5、項目承辦單位現場勘察及市場調查收集的有關資料。6、其他有關資料。三、項目名稱廣州熔煉設備四、項目承辦單位xxx有限公司五、項目選址及用地綜述（一）項目選址方案項目選址位于某出口加工區,地理位置優越，交通便利，規劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，建設條件良好。廣州，簡稱穗，別稱羊城、花城，是廣東省省會、副省級市、國家中心城市、超大城市，國務院批復確定的中國重要的中心城市、國際商貿中心和綜合交通樞紐。截至2018年，全市下轄11個區，總面積7434平方千米，建成區面積1249.11平方千米，常住人口1530.59萬人，城鎮化率86.46%。廣州地處中國南部、珠江下游、瀕臨南海，是中國南部戰區司令部駐地，國家物流樞紐，國家綜合性門戶城市，首批沿海開放城市，是中國通往世界的南大門，粵港澳大灣區、泛珠江三角洲經濟區的中心城市以及一帶一路的樞紐城市。廣州是首批國家歷史文化名城，廣府文化的發祥地，從秦朝開始一直是郡治、州治、府治的所在地，華南地區的政治、軍事、經濟、文化和科教中心。從公元三世紀起成為海上絲綢之路的主港，唐宋時成為中國第一大港，是世界著名的東方港市，明清時是中國唯一的對外貿易大港，也是世界唯一兩千多年長盛不衰的大港。廣州被全球權威機構GaWC評為世界一線城市，每年舉辦的中國進出口商品交易會吸引了大量客商以及大量外資企業、世界500強企業的投資，國家高新技術企業達8700多家，總量居全國前三，集結了全省80%的高校、70%的科技人員，在校大學生總量居全國第一。廣州人均住戶存款均居全國前三位，人均可支配收入居全省第一位。廣州人類發展指數居中國第一位，國家中心城市指數居中國第三位。福布斯2017年中國大陸最佳商業城市排行榜居第二位；中國百強城市排行榜居第三位。（二）項目用地規模項目總用地面積21190.59平方米（折合約31.77畝），土地綜合利用率100.00%；項目建設遵循“合理和集約用地”的原則，按照中高頻熔煉設備行業生產規范和要求進行科學設計、合理布局，符合規劃建設要求。六、土建工程建設指標項目凈用地面積21190.59平方米，建筑物基底占地面積14977.51平方米，總建筑面積35600.19平方米，其中：規劃建設主體工程23787.23平方米，項目規劃綠化面積2142.28平方米。七、產品規劃方案根據項目建設規劃，達產年產品規劃設計方案為：中高頻熔煉設備xxx單位/年。綜合考xxx有限公司企業發展戰略、產品市場定位、資金籌措能力、產能發展需要、技術條件、銷售渠道和策略、管理經驗以及相應配套設備、人員素質以及項目所在地建設條件與運輸條件、xxx有限公司的投資能力和原輔材料的供應保障能力等諸多因素，項目按照規模化、流水線生產方式布局，本著“循序漸進、量入而出”原則提出產能發展目標。八、投資估算及經濟效益分析（一）項目總投資及資金構成項目預計總投資8813.51萬元，其中：固定資產投資6258.05萬元，占項目總投資的71.01%；流動資金2555.46萬元，占項目總投資的28.99%。（二）資金籌措該項目現階段投資均由企業自籌。（三）項目預期經濟效益規劃目標項目預期達產年營業收入18028.00萬元，總成本費用13556.95萬元，稅金及附加158.77萬元，利潤總額4471.05萬元，利稅總額5246.52萬元，稅后凈利潤3353.29萬元，達產年納稅總額1893.23萬元；達產年投資利潤率50.73%，投資利稅率59.53%，投資回報率38.05%，全部投資回收期4.13年，提供就業職位259個。九、項目建設單位基本情況（一）公司概況公司滿懷信心，發揚“正直、誠信、務實、創新”的企業精神和“追求卓越，回報社會”的企業宗旨，以優良的產品、可靠的質量、一流的服務為客戶提供更多更好的優質產品。公司始終堅持“服務為先、品質為本、創新為魄、共贏為道”的經營理念，遵循“以客戶需求為中心，堅持高端精品戰略，提高最高的服務價值”的服務理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于為客戶量身定制出完美解決方案，滿足高端市場高品質的需求。公司將“以運營服務業帶動制造業，以制造業支持運營服務業”經營模式，樹立起雙向融合的新格局，全面系統化擴展經營領域。公司為以適應本土化需求為導向，高度整合全球供應鏈。公司通過了GB/ISO9001-2008質量體系、GB/24001-2004環境管理體系、GB/T28001-2011職業健康安全管理體系和信息安全管理體系認證，并獲得CCIA信息系統業務安全服務資質證書以及計算機信息系統集成三級資質。公司致力于創新求發展，近年來不斷加大研發投入，建立企業技術研發中心，并與國內多所大專院校、科研院所長期合作，產學研相結合，不斷提高公司產品的技術水平，同時，為客戶提供可靠的技術后盾和保障，在新產品開發能力、生產技術水平方面，已處于國內同行業領先水平。公司秉承“科技創新、誠信為本”的企業核心價值觀，培養出一支成熟的售后服務、技術支持等方面的專業人才隊伍，建立了完善的售后服務體系。快速的售后服務，有效地提高了客戶的滿意度，提升了客戶對公司的認知度和信任度。公司堅持精益化、規模化、品牌化、國際化的戰略，充分發揮渠道優勢、技術優勢、品牌優勢、產品質量優勢、規模化生產優勢，為客戶提供高附加值、高質量的產品。公司將不斷改善治理結構，持續提高公司的自主研發能力，積極開拓國內外市場。（二）公司經濟效益分析上一年度，xxx科技發展公司實現營業收入18148.07萬元，同比增長22.08%（3282.67萬元）。其中，主營業業務中高頻熔煉設備生產及銷售收入為16697.13萬元，占營業總收入的92.01%。根據初步統計測算，公司實現利潤總額4387.72萬元，較去年同期相比增長945.95萬元，增長率27.48%；實現凈利潤3290.79萬元，較去年同期相比增長517.01萬元，增長率18.64%。十、主要經濟指標

主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米21190.5931.77畝1.1容積率1.681.2建筑系數70.68%1.3投資強度萬元/畝196.981.4基底面積平方米14977.511.5總建筑面積平方米35600.191.6綠化面積平方米2142.28綠化率6.02%2總投資萬元8813.512.1固定資產投資萬元6258.052.1.1土建工程投資萬元2964.902.1.1.1土建工程投資占比萬元33.64%2.1.2設備投資萬元1713.882.1.2.1設備投資占比19.45%2.1.3其它投資萬元1579.272.1.3.1其它投資占比17.92%2.1.4固定資產投資占比71.01%2.2流動資金萬元2555.462.2.1流動資金占比28.99%3收入萬元18028.004總成本萬元13556.955利潤總額萬元4471.056凈利潤萬元3353.297所得稅萬元1.688增值稅萬元616.709稅金及附加萬元158.7710納稅總額萬元1893.2311利稅總額萬元5246.5212投資利潤率50.73%13投資利稅率59.53%14投資回報率38.05%15回收期年4.1316設備數量臺（套）6417年用電量千瓦時994536.6218年用水量立方米8011.0619總能耗噸標準煤122.9120節能率28.21%21節能量噸標準煤32.6722員工數量人259

第二章項目市場分析

一、中高頻熔煉設備行業發展概況在泛半導體行業，國內廠商已接近國外先進水平。半導體和光伏等行業均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛半導體產業的晶圓生長設備適當提高精度即可實現一定程度上的互相替代。在泛半導體行業，單晶硅生長爐技術水平的指標有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標準。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產成本越低，技術難度也越大。目前國內市場單晶硅生長爐的投料量一般在60~150kg，尺寸一般在6~8英寸。當前只有少量幾家公司能夠生產150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機電為代表的國內廠商，其設備技術水平已經接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優勢，占據了國內光伏市場的絕大部分份額。未來，國產晶圓生長設備有望提高在半導體行業的滲透率。光刻工藝及設備：光刻是在一片平整的硅片上構建半導體MOS管和電路的基礎，利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細加工技術。由于晶圓表面上的電路設計圖案直接由光刻技術決定，因此光刻也是IC制造最核心的環節。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區和漏區）光刻膠發生變質，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會被刻蝕液影響。光刻工藝價值巨大，ASML獨領風騷。即使是微米級的光刻工藝，也需要重復循環5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費時間約占40%-60%。而光刻機則是IC制造中最核心的設備，價值量占到設備總投資的比例約為20%。全球半導體設備龍頭ASML在光刻機領域優勢巨大，其EUV光刻機工藝水平已經達到10nm的級別，單臺設備售價超過1億美元。公司的市場份額超過60%，甩開了兩個老對手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實現10nm以下工藝制程的最經濟手段，并且只有ASML一家供應商具備開發EUV光刻機的能力。因此半導體三巨頭英特爾、臺積電、三星均爭相投資ASML開發EUV技術，助其快速實現量產，以及獲得EUV設備的優先購買權。雖然我國上海微電子也研發出光刻機，但由于中國半導體起步較晚，技術上與外資品牌差距巨大。刻蝕工藝：按照掩模圖形對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術工藝，是與光刻相聯系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進行薄膜刻蝕的技術工藝，通過電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，更快地與材料進行反應，從而利用物理上的能量轉移實現刻蝕目的。中微半導體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設備領域，美國的泛林半導體憑借著先發優勢和大量研發投入保持行業龍頭地位，但中國廠商中微半導體在近十年迅速崛起，并開始打入國際市場。中微半導體的16nm刻蝕機實現商業化量產，目前已經進入臺積電的5個半導體生產線，7-10nm刻蝕機設備可以與世界最前沿技術比肩。隨著中微的崛起，2015年美國商業部的工業安全局特別發布公告，承認中國已經擁有制造具備國際競爭力刻蝕機的能力，且等離子刻蝕機已經進入量產階段，因而決定將等離子刻蝕機從美國對中國控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設備：是人為地將所需雜質以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達到規定的數量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫熱擴散法是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐，將雜質擴散到硅片內一種方法；離子注入法是通過注入機的加速和引導，將能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發生一系列理化反應，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結構和性能發生變化，最后停留在材料中，從而優化材料表面性能，或獲得某些新的優異性能。在離子注入機領域，美國應用材料占據了70%以上的市場份額。成膜工藝及設備：主要運用CVD技術（ChemicalVaporDeposition，化學氣相沉積），是把含有構成薄膜元素的反應劑蒸氣引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。CVD技術具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點，膜厚與淀積時間成正比，均勻性和重復性好，其中應用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強化學氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強的化學活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積），是以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統中的晶體生長都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應室中進行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應加熱石墨基座，氫氣通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區。薄膜工藝也是IC制造的一個基礎工藝，加工難度較高。該環節設備投資占整體設備的14%-15%。在CVD設備領域，中國與世界先進水平差距較大。美國應用材料幾乎涵蓋了除光刻機以外的前制程設備，并在CVD及PVD設備領域位居全球市占率第一，而中國企業近年來在“02”專項的支持下也實現了技術突破，其中北方華創的CVD設備已經進入中芯國際28nm生產線，14nm設備正處于驗證階段。二、中高頻熔煉設備市場分析預測半導體設備按生產工藝流程可分為前端設備（晶圓加工設備、晶圓制造設備）和后道設備（封裝及測試設備），占總體設備投資的比例分別為70%和30%。我們進一步梳理了各環節主要設備的龍頭企業，其中應用材料作為全球最大的半導體設備供應商，在晶圓制造設備的幾個核心環節熱處理、鍍膜設備、離子注入設備等領先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設備、涂膠機、顯影機、測試設備等產品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機領域處于領先地位。半導體設備的上游為電子元器件和機械加工行業，原材料包括機械零件、視覺系統、繼電器、傳感器、計算機和PCB板等，優質的上游產品或服務有助于設備產品的可靠性和穩定性。行業的下游主要為封裝測試、晶圓制造、芯片設計。集成電路產品技術含量高、工藝復雜，技術更新和工藝升級依托于裝備的發展；反之，下游信息產業不斷開發的新產品和新工藝，為設備行業提供了新需求和市場空間。以晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設備無法運用于其他尺寸的加工，因此當半導體行業進入12英寸時代后，8英寸產品需要全部更新換代，由此也帶來了設備行業的增量空間，促進了其持續發展?？傮w設備市場恢復性增長，接近歷史最高水平。設備行業與半導體行業整體景氣程度密切相關，且波動較大。2008、2009年受到金融危機的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強勢回升，并于次年達到歷史最高點435億美元，隨后受到周期性影響設備支出有所下降。而2016年全球集成電路設備市場規模為412億美元，同比增長13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設，將帶動上游設備銷售，2017年全球半導體新設備銷售額將達494億美元，同比增長19.8%，突破歷史最高水平。分產品來看，SEMI預計2017年晶圓加工設備達到398億美元，同比增長21.7%；光罩等其他前端設備23億美元，增長25.6%；而封裝測試裝備總計約73億美元。下游企業競爭日趨激烈，產業預期持續向好。中國設備占比逐步提升。分地區來看，全球半導體設備主要銷售區域為中國、日本、韓國、北美和臺灣地區，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導體設備、服務、材料等廠商提供了寶貴的機遇。2016年中國大陸設備銷售收入64.6億美元，同比增長32%，并首次超過日本，成為全球第三大半導體設備銷售地區。同時，SEMI預計韓國設備銷售將在2017年達到129.7億美元，超過臺灣成為全球第一大市場。晶圓產能集中度提高，12英寸是當前主流。遵循摩爾定律的半導體行業曾經實現了快速增長，在較低成本的基礎上帶來了強大的計算能力。為了保持成本，既有通過技術進步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導體行業每十年升級fab架構來增加晶圓直徑，而同時技術進步則是每兩年一個節點。隨著納米尺度逼近物理極限，技術進步已經放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。目前全球12英寸晶圓產能約為每月11.5百萬片，占總體產能的65%左右，未來12英寸產能預計會繼續擴張。但是，更大晶圓尺寸的資本投入也會大幅增長，這為更弱小的玩家設置了進入壁壘。設備行業在12英寸平臺開發上投入了116億美元，幾乎是開發8英寸平臺的9倍。由于這樣的尺寸遷移會產生進入壁壘，領先的設備供應商的擴張速度會遠優于行業平均水平，促進集中度的提升。行業前十企業的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行業發展的驅動力是技術進步和晶圓尺寸增加帶來的多樣化新應用和成本降低，這給設備供應商帶來了更大的增量空間。二、中高頻熔煉設備行業發展趨勢分析半導體產業與面板產業相似，都是重資產投入，設備投資占總投資規模的比例達到60%以上，其中一些關鍵的制程環節需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術，具有技術含量高、制造難度大、設備價值高等特點。因此下游產業的發展衍生出了巨大的設備投資市場。IC產品生產附加值極高，工藝進步依托于設備提升。目前的集成電路技術大多基于元素硅，并在晶片上構建各種復雜電路。硅元素在地殼中的含量達到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經提煉獲得。由價格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產過程就是硅元素附加值大量增長的過程。從最初的設計，到最終的下線檢測，生產過程需經過幾十步甚至幾百步的工藝，整個制造過程工藝復雜，其中任何一步的錯誤都可能是最后導致產品失效的原因，因此對設備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設備支付技術溢價，這也是半導體投資中設備投資占比較高的原因之一。從生產工藝來看，半導體制造過程可以分為IC設計（電路與邏輯設計）、制造（前道工序）和封裝與測試環節（后道工序）。設備主要針對制造及測封環節，設計部分的占比較少。IC設計：是一個將系統、邏輯與性能的設計要求轉化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設計、電路設計和圖形設計等。將最終設計出的電路圖制作成光罩，進入下一個制造環節。由于設計環節主要通過計算機完成，所需的設備占比較少。IC制造：制造環節又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化->多晶硅制造->拉晶->切割、研磨等，對應的設備分別是熔煉爐、CVD設備、單晶爐和切片機等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構建完整的集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機，對半導體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術，加工的晶體管數量和密度都會隨著制程工藝的升級而不斷加強；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機，對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機或擴散爐為材料加入特殊元素，從而優化材料表面性能，或獲得某些新的優異性能。IC測封：封裝是半導體設備制造過程中的最后一個環節，主要包含減薄/切割、貼裝/互聯、封裝、測試等過程，分別對應切割減薄設備、引線機、鍵合機、分選測試機等。將半導體材料模塊集中于一個保護殼內，防止物理損壞或化學腐蝕，最后通過測試的產品將作為最終成品投入到下游的應用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉移到晶圓上的過程，這段時期硅晶片附加值增長最快。該環節的制造難度相較后端的封裝測試要高很多，對于設備穩定性和精度的要求極高，該部分設備投資體量巨大，占整體設備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環節。晶圓制造工藝及設備：硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進行化學反應得到冶金級硅，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.9999999%（7個9以上），成為電子級硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉，同時緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片。

第三章主要建設內容與建設方案

一、主要建設內容與規模（一）主要建設內容1、該項目總征地面積21190.59平方米（折合約31.77畝），其中：凈用地面積21190.59平方米（紅線范圍折合約31.77畝）。項目規劃總建筑面積35600.19平方米，其中：規劃建設主體工程23787.23平方米，計容建筑面積35600.19平方米；預計建筑工程投資2964.90萬元。2、配套建設相應的公用輔助工程設施。3、購置主要生產工藝設備，組建相關的生產車間及生產經營管理部門。4、對生產過程中產生的廢氣、廢水、噪聲、固廢等進行有效治理。（二）項目土建工程方案1、該項目主要土建工程包括：生產工程、輔助生產工程、公用工程、總圖工程、服務性工程（辦公及生活）和其他工程六部分組成。主要建設內容包括：生產車間、輔助車間、倉儲設施（原料倉庫和成品倉庫）等配套工程和辦公室、職工宿舍、圍墻、廠區道路及綠化等。2、本期工程項目預計總建筑面積35600.19平方米，其中：計容建筑面積35600.19平方米，計劃建筑工程投資2964.90萬元，占項目總投資的33.64%。3、本期工程項目建設規劃建筑系數70.68%，建筑容積率1.68，建設區域綠化覆蓋率6.02%，固定資產投資強度196.98萬元/畝。（三）設備購置方案1、該項目需購進先進的生產設備、檢測設備、環保設備、安全設施及相關配套設備，設備選型遵循“性能先進、質量可靠、價格合理”的原則，需要購置生產專用設備和檢測設備等先進的工藝裝備，確保項目的生產及產品檢驗的需要。2、項目擬選購國內先進的關鍵工藝設備和國內外先進的檢測設備，預計購置安裝主要設備共計64臺（套），設備購置費1713.88萬元。二、產品規劃方案（一）產品放方案1、該項目主要從事中高頻熔煉設備的生產和銷售業務，根據國家有關產業政策和國內外市場對中高頻熔煉設備需求預測分析，綜合考慮產品市場定位、產能發展需要、資金狀況、技術條件、銷售渠道、銷售策略、管理經驗以及相應配套設備、人員素質以及項目所在地建設條件與運輸條件、公司的投資能力和原輔材料的供應保障能力等諸多因素，項目按照規模化、流水線生產方式布局，本著“循序漸進、量入而出”的原則提出產能發展規劃。2、項目產品主要從國家及地方產業發展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業資金籌措能力、生產工藝技術水平的先進程度、項目經濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。該項目主要產品為中高頻熔煉設備，具體品種將根據市場需求狀況進行必要的調整，各年生產綱領是根據人員及裝備生產能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產量和銷量視為一致，本報告將按照初步產品方案進行測算，根據確定的產品方案和建設規模及預測的中高頻熔煉設備產品價格根據市場情況，確定年產量為xxx，預計年產值18028.00萬元。（二）營銷策略項目產品的市場需求是投資項目存在和發展的基礎，市場需要量是根據分析項目產品市場容量、產品產量及其技術發展來進行預測；目前，我國各行業及各個領域對項目產品需求量很大，由于此類產品具有市場需求多樣化、升級換代快的特點，所以項目產品的生產量滿足不了市場要求，每年還需大量從外埠調入或國外進口，商品市場需求高于產品制造發展速度，因此，項目產品具有廣闊的潛在市場。項目產品的市場需求是投資項目存在和發展的基礎，市場需要量是根據分析項目產品市場容量、產品產量及其技術發展來進行預測；目前，我國各行業及各個領域對項目產品需求量很大，由于此類產品具有市場需求多樣化、升級換代快的特點，所以項目產品的生產量滿足不了市場要求，每年還需大量從外埠調入或國外進口，商品市場需求高于產品制造發展速度，因此，項目產品具有廣闊的潛在市場。通過對國內外市場需求預測可以看出，我國項目產品將以內銷為主并擴大外銷，隨著產品宣傳力度的加大，產品價格的降低，產品質量的提高和產品的多樣化，項目產品必將更受歡迎；通過對市場需求預測分析，國內外市場對項目產品的需求量均呈逐年增加的趨勢，市場銷售前景非常看好。在今后的生產經營過程中，根據國內外市場的供求形勢，積極拓寬產品營銷范圍，隨著銷售市場的不斷擴大，相應擴大其生產能力，同時，適時研制開發符合市場需求的新產品，滿足國內外不同市場應用領域的需要。

產品方案一覽表序號產品名稱單位年產量年產值1中高頻熔煉設備A單位xx8112.602中高頻熔煉設備B單位xx4507.003中高頻熔煉設備C單位xx2704.204中高頻熔煉設備D單位xx1442.245中高頻熔煉設備E單位xx901.406中高頻熔煉設備F單位xx360.56合計單位xxx18028.00

第四章項目選址科學性分析

為了認真貫徹落實國家“十分珍惜，合理利用土地和切實保護耕地”的基本國策，促進建設用地的集約利用優化配置，提高工業項目建設用地的管理水平，中華人民共和國國土資源部制定了《工業項目建設用地控制指標》?？刂浦笜耸菍σ粋€工業項目（或單項工程）及其配套工程在土地利用上進行控制的標準，是國土資源管理部門在建設用地預審和審批階段核定項目用地規模的重要標準，是項目承辦單位和設計部門編制項目可研報告和初步設計文件的重要依據。一、選址要求1、項目選址應符合城鄉建設總體規劃和工業項目占地使用規劃的要求，同時具備便捷的陸路交通和方便的施工場址，并且與大氣污染防治、水資源和自然生態資源保護相一致。2、所選廠址應避開自然保護區、風景名勝區、生活飲用水源地和其它特別需要保護的環境敏感性目標。3、節約土地資源，充分利用空閑地、非耕地或荒地，盡可能不占良田或少占耕地。應充分利用天然地形，選擇土地利用率高征地費用少的場址。4、廠址選擇應提供足夠的場地以滿足工藝及輔助生產設施的建設需要。廠址應具備良好的生產基礎條件，水源、電力、運輸等生產要素供應充裕，能源供應有可靠的保障。5、廠址應靠近交通主干道，具備便利的交通條件，有利于原料和產成品的運輸。通訊便捷有利于及時反饋市場信息。6、對周圍環境不應產生污染或對周圍環境污染不超過國家有關法律和現行標準允許范圍，不會引起當地居民的不滿，不會造成不良的社會影響。7、項目建設方案力求在滿足生產工藝、防火安全、環保衛生等要求的前提下，盡量合并建筑充分利用自然空間，堅決貫徹執行“十分珍惜和合理利用土地”的基本國策，因地制宜合理布置。對各種設施用地進行統籌安排，提高土地綜合利用效率，同時，采用先進的工藝技術和設備，達到“節約能源、節約土地資源”的目的。二、項目選址及用地方案廣州，簡稱穗，別稱羊城、花城，是廣東省省會、副省級市、國家中心城市、超大城市，國務院批復確定的中國重要的中心城市、國際商貿中心和綜合交通樞紐。截至2018年，全市下轄11個區，總面積7434平方千米，建成區面積1249.11平方千米，常住人口1530.59萬人，城鎮化率86.46%。廣州地處中國南部、珠江下游、瀕臨南海，是中國南部戰區司令部駐地，國家物流樞紐，國家綜合性門戶城市，首批沿海開放城市，是中國通往世界的南大門，粵港澳大灣區、泛珠江三角洲經濟區的中心城市以及一帶一路的樞紐城市。廣州是首批國家歷史文化名城，廣府文化的發祥地，從秦朝開始一直是郡治、州治、府治的所在地，華南地區的政治、軍事、經濟、文化和科教中心。從公元三世紀起成為海上絲綢之路的主港，唐宋時成為中國第一大港，是世界著名的東方港市，明清時是中國唯一的對外貿易大港，也是世界唯一兩千多年長盛不衰的大港。廣州被全球權威機構GaWC評為世界一線城市，每年舉辦的中國進出口商品交易會吸引了大量客商以及大量外資企業、世界500強企業的投資，國家高新技術企業達8700多家，總量居全國前三，集結了全省80%的高校、70%的科技人員，在校大學生總量居全國第一。廣州人均住戶存款均居全國前三位，人均可支配收入居全省第一位。廣州人類發展指數居中國第一位，國家中心城市指數居中國第三位。福布斯2017年中國大陸最佳商業城市排行榜居第二位；中國百強城市排行榜居第三位。通過對可供選擇的建設地區進行比選后，綜合考慮交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，選擇某出口加工區為建廠地址。園區不斷完善產業園區環保設施。優化產業園區垃圾處理、污水處理等專項規劃，推進產業園區環?；A設施一體化建設。實施產業園區污水集中治理、廢氣專項治理、固廢綜合利用三大專項行動，入園企業符合產業園區產業政策和規劃要求，各項目環評執行率及三同時執行率達到100%，產業園區各類污染物實現達標排放，污水處理率達到95%以上，處理達標率100%；工業固體廢物處置利用率達到85%以上，水泥、鋼鐵等重點企業二氧化硫、氮氧化物均滿足達標排放和總量控制要求。2000年園區通過驗收，正式晉升為市級園區，區位優勢明顯。自2008年園區累計投入近3億元打造硬件環境。幾年來，園區通過不斷加強產業發展規劃和功能定位研究，確定以高端制造業為園區主導產業，重點打造高端生物醫藥、高端裝備制造和汽車零部件基地“兩園一基地”發展格局。園區不斷堅持全面深化改革和政策創新，體制機制改革取得重大進展。國家高新區始終站在國家和社會的改革潮頭，在科技和經濟結合、科技和金融融合、知識產權保護和運用、人才吸引和培育，以及產城融合、國際化發展等方面開展了全方位的改革探索。大力培育各類創新創業促進組織，建設公共服務平臺，形成了結構合理、功能完善、特色鮮明的科技服務體系，促進了科技資源的開放共享。進一步深化“小政府，大服務”的理念，部分國家高新區探索實施了“負面清單”管理模式。加大簡政放權力度，簡化創業企業注冊手續，持續優化大眾創業、萬眾創新的制度環境。持續創新管理體制和社會治理模式，廣泛匯聚利用各類社會力量，積極向產業組織者轉變。國家自創區作為我國改革創新的先鋒引領，開展了一系列體制機制和政策創新，成效顯著。先后研究出臺“6+4”、“新四條”、“黃金十條”、“科技新九條”等政策措施，極大程度解放和發展了科技生產力。所選區域土地資源充裕，而且地理位置優越，地形平坦、土地平整、交通條件便利、配套設施條件具備，符合項目選址要求。項目建設遵循“合理和集約用地”的原則，按照行業生產規范和要求，進行科學設計、合理布局，符合中高頻熔煉設備生產經營的需要。三、項目節約用地措施按照節約用地的基本國策，該項目設計中采取了以下幾個方面的措施：1、項目選址在某出口加工區，符合城市總體規劃和土地使用控制要求。依托當地生活設施、公共設施、交通運輸設施，項目建設區域少建非生產性設施，以利節約用地。2、認真貫徹執行專業化生產原則，除了主要生產過程和關鍵工序由該項目實施外，其他附屬部件采取外協（外購）方式，從而減少了重復建設，節約了資金、能源和土地。3、采用大跨度連跨廠房，方便生產設備的布置，提高廠房的面積利用率，有利于節約土地資源。4、倉庫采用簡易貨架，提高了庫房的面積和空間利用率節約了土地。四、項目選址評價1、擬建項目用地位置周圍5km以內沒有地下礦藏、文物和歷史文化遺址，項目建設不影響周圍軍事設施的建設和使用，也不影響河道的防洪和排澇。項目建設選址周圍無粉塵、有害氣體、放射性物質和其他擴散性污染源，而且建設區域地形平坦、土地平整、交通便捷、配套設施條件齊備，符合項目選址的根本要求。2、項目選址所處位置交通便利、地理位置優越，有利于項目生產所需原料、輔助材料和成品的運輸。通訊便捷、水資源豐富、能源供應充裕，適合于中高頻熔煉設備生產經營活動，為此，該區域是發展化工行業的理想場所。3、廠址周圍沒有自然保護區、風景名勝區、生活飲用水水源地等環境敏感目標，自然環境條件良好。擬建工程地勢開闊，有利于大氣污染物的擴散，區域大氣環境質量良好。4、擬建廠址具備良好的原料供應、供水、供電條件，生產、生活用水全部由某出口加工區提供，完全可以保障供應。5、綜上所述，項目選址位于某出口加工區工業項目占地規劃區，該區域地勢平坦開闊，四周無污染源、自然景觀及保護文物，供電、供水可靠，給、排水方便，而且，交通便利、通訊便捷、遠離居民區，所以，從廠址周圍環境概況、資源和能源的利用情況以及對周圍環境的影響分析，擬建工程的廠址選擇是科學合理的。

第五章土建工程

一、標準規范1、《建筑結構可靠度設計統一標準》2、《建筑抗震設防分類標準》3、《建筑結構荷載規范》4、《建筑抗震設計規范》5、《混凝土結構設計規范》6、《高層建筑混凝土結構技術規范》7、《建筑地基基礎設計規范》8、《建筑樁基技術規范》9、《鋼筋混凝土結構設計規范》10、《鋼結構設計規范》11、《民用建筑設計通則》二、土建工程設計要求1、本項目中所有建、構筑物均按永久性建構筑物設計。建筑物設計正常使用年限為50年。2、砌體結構應按規范設置地圈梁及構造柱，建筑物耐火等級均為二級。3、建筑建設地抗震設防烈度為9度。設計基本地震加速度為0.05g，設計地震分組為第一組。本項目建筑物結構設計應符合9度抗震設防的要求，抗震設防類別為乙類，采取相應抗震構造措施。三、建筑結構設計1、擬建廠區場地地勢較平坦，無不良工程地質現象，適宜建廠。2、基礎工程：根據工程地質條件，荷載較小的建（構）筑物采用天然地基，荷載較大的建（構）筑物采用天然地基或人工挖孔灌注樁。3、車間廠房：采用鋼屋架結構，屋面采用彩鋼板，墻體采用彩鋼夾芯板，基礎采用鋼筋混凝土基礎。4、辦公樓：采用現澆鋼筋混凝土框架結構，多孔磚非承重墻體，屋面為現澆鋼筋混凝土框架結構，基礎為鋼筋混凝土基礎。5、其他用房：采用磚混結構，承重型墻體，基礎采用墻下條形基礎。四、主要材料選用標準要求1、建筑鋼筋選用標準要求：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構件為HPB300。2、焊條選用標準要求：對于HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，對于HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。3、鋼材及螺栓：一般鋼構件采用Q235B。地腳螺栓一般采用Q235鋼。4、水泥選用標準：水泥品種一般采用普通硅酸鹽水泥，并根據建、構筑物的特點和所處的環境條件合理選用添加劑，5、混凝土：根據《混凝土結構耐久性設計規范》GB/T50476之規定確定構筑物結構構件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環境類別為一類，含設備基礎混凝土強度等級采用C30，基礎混凝土墊層為C15。6、混凝土保護層：結構構件受力鋼筋的混凝土保護層厚度根據《混凝土結構耐久性設計規范》GB/T50476規定執行。五、土建工程指標項目凈用地面積21190.59平方米，建筑物基底占地面積14977.51平方米，總建筑面積35600.19平方米，其中：規劃建設主體工程23787.23平方米，項目規劃綠化面積2142.28平方米。本期工程項目建設規劃建筑系數70.68%，建筑容積率1.68，建設區域綠化覆蓋率6.02%，固定資產投資強度196.98萬元/畝。

土建工程投資一覽表序號項目占地面積（㎡）基底面積（㎡）建筑面積（㎡）計容面積（㎡）投資（萬元）1主體生產工程10589.1010589.1023787.2323787.232179.191.1主要生產車間6353.466353.4614272.3414272.341351.101.2輔助生產車間3388.513388.517611.917611.91697.341.3其他生產車間847.13847.131379.661379.66130.752倉儲工程2246.632246.637678.427678.42511.592.1成品貯存561.66561.661919.611919.61127.902.2原料倉儲1168.251168.253992.783992.78266.032.3輔助材料倉庫516.72516.721766.041766.04117.673供配電工程119.82119.82119.82119.828.983.1供配電室119.82119.82119.82119.828.984給排水工程137.79137.79137.79137.798.034.1給排水137.79137.79137.79137.798.035服務性工程1422.861422.861422.861422.8694.805.1辦公用房793.01793.01793.01793.0155.935.2生活服務629.85629.85629.85629.8545.206消防及環保工程401.40401.40401.40401.4030.096.1消防環保工程401.40401.40401.40401.4030.097項目總圖工程59.9159.9159.9159.9177.597.1場地及道路硬化3830.04686.18686.187.2場區圍墻686.183830.043830.047.3安全保衛室59.9159.9159.9159.918綠化工程1560.9154.63合計14977.5135600.1935600.192964.90

第六章公用工程

一、供電工程（一）供電電源1、本項目供電負荷等級為三級。廠區降壓站電源取自國家電網，電源符合國家標準《供配電系統設計規范》（GB50052-1995）的規定。2、項目建設單位內設配電室，電源進戶采用電纜直接埋地敷設引入配電室。廠內供電電壓等級380V、TN-C-S系統供電。選擇節能型變壓器。廠內配電室操作環境，按國標GB50058-92《爆炸及火災危險環境電力裝置設計規范》的要求設計，3、電源設備選用隔爆型dIIBT4級防爆電器，照明導線穿鋼管敷設。其它環境按一般建筑物設計。進入易燃易爆區域的各類電纜采用防火性能較高的阻燃電纜。廠內配電采用放射式配電方式，室外電纜直埋或電纜溝敷設，直埋埋深-1.0m，過路及穿墻穿鋼管保護。4、室外電源采用三相四線制380/220V，室內三相五線制，照明燈具電壓為220V。廠內動力、照明負荷按“三類”用電負荷設計。自10KV電網引一路架空線作為主電源引入廠內10KV終端桿，經避雷器保護后，以電纜方式引入廠內配電室高壓配電室。5、為保證儀表、自動控制系統、通信及應急照明等局部重要負荷的不間斷供電，有效提高系統的利用率，廠內設置一套在線式不間斷電源裝置UPS，為PLC系統、報警系統、檢測儀表、控制設備和應急照明等負荷供電，UPS不間斷電源后備供電時間不小于4小時。（二）低壓配電方案1、車間低壓配電回路采用放射式、樹干式混合配電。車間配電干線采用插接母線和電力電纜在電纜橋架內沿柱、沿梁敷設方式。各變壓器之間設低壓聯絡。2、車間照明線路選用絕緣線，配電照明箱引出部分沿電纜橋架敷至燈具，部分線路穿管沿梁明敷。車間照明采用金屬鹵化物燈，工位照明采用高效熒光燈。在生產廠房，辦公區及動力站房設置應急照明及疏散照明。3、配電室變壓器中性點直接接地，高壓設備采用保護接地，高低壓系統共用接地裝置，接地電阻不大于1Ω。配電系統采用TN-S接地型式，設專用PE線，插座回路裝設漏電保護裝置。較高的建筑物按Ⅲ類防雷建筑物設計防雷裝置。4、配電系統根據負荷大小用單相（共三線：L線，N線，PE線）220V配電或三相（五線：L1、L2、L3線、N線、PE線）380V配電。建筑的垂直干線宜采用電力電纜，分支電纜或母線槽配電、干線應在電氣豎井內敷設，而電纜截面應按發熱條件選用，再校驗電壓損和機械強度。5、配電方式采用放射式和樹干式相混合的方式。應急照明及疏散指示照明采用帶蓄電池燈具，其它如普通照明，采用從配電房引出可靠的專用的單回路供電。照明配電采用電纜樹干式供電，樓梯燈、疏散指示燈、走廊應急燈燈具帶30分鐘蓄電池，當市政電源斷電時蓄電池繼續供電。（三）照明設計在保證照度的前提下優先采用高效節能燈具和使用壽命長且顯色性好的光源。易燃易爆區域內的照明燈具以高壓鈉燈或金屬鹵素燈為光源的防爆等為主，適當輔以防爆熒光燈。非易燃易爆區域以高效熒光燈為主，適當輔以部分裝飾燈具。1、車間照明分為普通照明、值班照明、事故照明和局部照明。普通照明是整個照明系統應用最多的系統，根據不同廠房對照度的要求，對燈具按照合理、美觀、有效和節能的原則進行布置。高大空間的生產車間頂燈采用金屬鹵化物燈，車間沿生產線吊架上設置雙管熒光燈。檢測室采用熒光燈。車間生活間采用熒光燈，局部采用節能燈。金屬鹵化物燈燈具為塊板式節能燈具，并帶電容補償。熒光燈采用高效反射燈具。2、廠區照明采用透露性強的高壓鈉燈，路燈專用燈具。各車間通道的上方裝設平時作為工作照明一部分的金屬鹵化物燈作為值班照明。各車間的工作照明分片集中控制。值班照明為常明燈，常年不斷電單獨控制。車間生活和辦公室等場所的照明均采用分散控制。3、各車間的照明按車間放射加樹干混合式配電，照明干線采用ZR-YJV-1000型電纜沿配電用電纜橋架敷設或采用BV塑料線穿焊接鋼管埋地暗敷。車間內照明支線采用BV型銅芯塑料線穿薄電線管沿屋架梁或屋頂金屬檁條敷設。（四）電能計量及節能措施1、工廠采用高壓計度方式結算電費，低壓出成回路裝有電度表，便于各車間成本核算，在10kv電源進線處設總計量。每路10kv出線柜均裝設有功和無功電度表。變壓器低壓總進線設有功計量和無功計量。照明用電和動力用電分開計量。動力用電每個配出回路根據需要裝設有功電度表。2、用電設備單臺電機容量在75kW及以上，電熱設備單臺容量50kW及以上的設備均單獨裝設計度表。3、為節約電能，設計中選用節能型電器產品，照明選用光效高的光源和燈具，采用低壓靜電電容補償以降低無功損耗。4、合理安排生產，加強用電監督管理，對計量儀表定期校驗。（五）電氣安全與接地低壓配電系統采用TN接地型式。有車間配電室的建筑采用TN-S型，三相五線。變壓器中性點直接接地，所有電氣設備外殼及外露可導電的金屬部分需與PE線可靠連接為一體。保護接地、過電壓保護接地和防雷接地共用，構成共用接地系統，接地電阻應≤1Ω。無變電所的建筑物的低壓配電系統采用TN-C-S接地型式，電源中性線在進戶處作重復接地。接地裝置均利用建筑物基礎，重復接地后PE線和N線完全分開。二、供水工程（一）供水方案廠區水源為市政自來水，廠區給水系統采用生產、生活、消防合一給水系統，項目用水由某出口加工區市政管網給水干管統一提供，年用水約2280.0立方米。供水管網水壓大于0.40Mpa可以滿足項目需求。進廠總管選用DN200，各車間分管選用DN50~DN100，給水管道在廠區內形成環狀給水管網，各單體用水從廠區環網上分別接出支管，以滿足各單體的生產、生活、消防用水的需要。室外給水主管道采用PE給水管，室內生活給水管道采用PP-R給水管，消防管道采用熱鍍鋅鋼管。項目擬安裝使用節水型設施或器具，不使用國家明令淘汰的用水器具。對供水、用水的設施、設備、器具進行維修、保養。對泵房、水池、水箱安裝液位控制系統，以防溢水跑水造成浪費。（二）消防給水1、消防水源：消防用水采用城市供水，合理設置室內外消火栓給水系統，其進水管可由市政給水干管引入，經消防水池加壓泵送至各單體的管網系統。室內消火栓應沿道路設置，其間距不應超過120米。2、消防水量：本項目各建筑室內消防水量為40升/秒，室外消防水量為20升/秒，火災延續時間為2小時。3、消防儲水設施：廠區內適當位置設置消防水池和泵房，保證消防前10分鐘用水量，水池容量滿足火災延續時間內室內外消防用水量的總和。三、排水工程本項目排水采用雨污分流、清污分流制。廠區室外排水分為雨水（含潔凈生產廢水）和生活、生產廢水兩個系統。雨水和潔凈廢水直接排入廠區雨水系統，廠內生活污水經化糞池處理、食堂廢水經隔油池處理后與生活廢水一起排入廠區廢水管網。廢水經管道收集后排入某出口加工區市政污水管網，再排入污水處理廠。廠區雨水主管采用混凝土管件，支管采用水泥管或塑料管材。生活污水管材采用PVC管。生產廢水采用不銹鋼管或PVC管。四、空調與通風（一）空調1、采暖：冬季室內計算溫度：各生產車間14~16℃，需采暖的庫房5~8℃，公用站房14℃，辦公室、生活間18℃，衛生間15℃。采暖熱媒為95~70℃采暖熱水，由市政外網集中供應，供水壓力0.4Mpa。車間采用傳統的熱水循環取暖形式，其他廠房及辦公室采用燃氣輻射采暖的采暖形式。根據行業統計數字顯示，采暖設施投資按水循環為96元/平方米，燃氣輻射采暖為120元/平方米計算。2、制冷：有空調要求的辦公室和生活間夏季設置空調，空調溫度范圍要求為24-28℃，空調采用分體空調。（二）通風1、廠房為全封閉廠房，采用機械通風方式進行廠房通風換氣。送風系統利用空氣處理機組，空氣處理機組置于車間平臺上，室外空氣經初、中效過濾后經風機及風管送至車間各生產區。排風系統可采用屋頂風機和局部機械排風系統，車間換氣次數為4~5次/小時。2、廠房內局部有害物或散發較大熱量的生產設備區域，采用局部封閉，進行機械送排風。當排出廢氣不能達到排放標準時須設置凈化設備。衛生間均設排氣扇，將濕氣和臭氣經排風機排至室外，全室通風換氣次數大于10次/小時。五、通信及信息系統設計方案（一）信息通信需求根據本項目生產經營、管理及調度要求，信息通信業務需求如下：1、話音通信：滿足項目建設單位與廠區的生產調度、與相關上級部門及地方部門的行政管理聯系暢通可靠。2、工業電視監控：對廠區監視管理。以本地監視為主，預留圖像可遠傳至調度控制中心?？刂浦行膶Ω鲝S區監視圖像可隨機調看或自動輪詢。（二）信息通信設計方案1、話音通信部分：根據廠區通信業務需求及廠區周圍情況，行政調度電話均為安裝市話，其中綜合值班室安裝調度電話和行政電話。2、工業電視部分：在廠內主要場所進行重點監視，適時錄像并存儲圖像，不僅可以了解工作人員及廠內來往人員的情況，還可通過查詢錄像資料，為事故鑒定、責任劃分提供法律認可的視頻圖像證據。3、通信信息系統電源由項目建設單位UPS不間斷電源提供，現場設備電源由值班室內相關設備提供。4、設計提供監控系統的基本要求和配置，選用系統設備時，各配套設備的性能及技術要求應協調一致，系統配置的詳細清單及安裝、輔助材料待確定系統成套供貨商后，按技術要求由成套廠商提供。系統應由資信地位可靠，具有相關資質、有一定業績、服務良好，具有現場安裝調試、開車投運經驗，能做到交鑰匙工程的成套廠商配套供貨，并應對項目建設單位操作人員進行相關的技術培訓。5、數據通信：數據傳輸通道主要采用中國電信ADSL構建VPN虛擬專用通信網，可同時解決廠區數據、lP數據及計算機上網需求。也可采用GPRS數據傳輸通信。本項目數據利用中國電信ADSL構建VPN虛擬專用通信網，上傳至項目建設單位調度中心。6、綜合布線：在監控室、控制室設置綜合布線系統一套，采用超5類綜合布線系統，包括語音點兩點，數據信息點兩點，由廠家配套提供。通信網絡接入設備由網絡運營商提供。

第七章原輔材料供應

一、主要原輔材料的供應該項目將以中高頻熔煉設備產品批量規模生產為流程，原材料及輔助材料均在國內市場采購，主要材料是xx、xx、xxx、xxx、xx等，從目前的市場供應情況來看，完全可以滿足項目的生產需要，按照生產規模的要求，所需原輔材料的供應依據“高質量、低價格”的采購原則，確保生產經營活動的正常進行。二、原輔材料采購管理1、該項目所需要的原材料、輔助材料實行統一采購集中供應，并根據所需原材料的質量、價格、運輸條件做到貨比三家。2、按照采購計劃、分輕重緩急，做到無計劃不采購，質量不合格不采購，價格不合理不采購，材料規格性能不清不采購。3、公司物資采購部門根據生產實際需要制定原材料采購計劃，掌握原材料的性能、特點，在不影響產品質量的情況下，對項目所需原輔材料合理地選擇品種，為企業節約使用原材料降低采購成本。4、驗收材料應根據領料單或原始憑證進行清點實測驗收，發現規格、質量、數量不符等問題應及時與有關人員聯系處理。做好原始記錄和資料積累，及時準確的做好月報、季報和年度各種統計報表。

第八章工藝技術方案

一、工藝技術方案選用要求1、對于生產技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩定、節省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統，由計算機統一控制整個生產線的各項工藝參數，使產品質量穩定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴格按行業規范要求組織生產經營活動，有效控制產品質量，為廣大顧客提供優質的產品和良好的服務。2、遵循“高起點、優質量、專業化、經濟規?！钡慕ㄔO原則。積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質量的原輔材料，穩定和提高產品質量，制造高附加值的產品，不斷提高企業的市場競爭能力。3、在工藝設備的配置上，依據節能的原則，選用新型節能型設備，根據有利于環境保護的原則，優先選用環境保護型設備，滿足項目所制訂的產品方案要求，優選具有國際先進水平的生產、試驗及配套等設備，充分顯現龍頭企業專業化水平，選擇高效、合理的生產和物流方式。4、生產工藝設計要滿足規?；a要求，注重生產工藝的總體設計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據該項目的產品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產品制造的要求，同時，加強員工技術培訓，嚴格質量管理，按照工藝流程技術要求進行操作，提高產品合格率，努力追求產品的“零缺陷”，以關鍵生產工序為質量控制點，確保該項目產品質量。6、在項目建設和實施過程中，認真貫徹執行環境保護和安全生產的“三同時”原則，注重環境保護、職業安全衛生、消防及節能等法律法規和各項措施的貫徹落實。7、項目生產裝置和主要系統選用先進且成熟可靠的DCS控制系統，該系統將檢測、監視、控制、操作、數據處理、生產管理等功能集中在一個協調的分散型計算機網絡中，具有能耗低、高智能、高速度、高質量、高環保性、系統危險性分散的特點，可實現生產條件的優化控制。8、建立柔性生產模式。本項目產品具有客戶需求多樣化、產品個性化的特點，因此產品種類多樣，單批生產數量較小。多品種、小批量的制造特點直接影響生產效率、生產成本及交付周期。為此，本項目將建設先進的柔性制造生產線，并將柔性制造技術廣泛引用到產品制造各個環節，因此可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產規模優勢和質量控制水平，降低故障率、提高性價比，使產品性能和質量達到國內領先、國際先進水平。二、質量管理與質量保證項目建設單位視產品質量為企業的生命，從企業的研發階段開始就注重質量控制，引入了DFMEA設計失效模式分析、QC質量檢驗、SPC統計過程方法、GRR量測的再現性、TQM全面質量管理等質量控制方法。在中高頻熔煉設備制造過程中，根據客戶需要直接或間接將產品的生產、檢驗要求轉化為公司內質量控制標準，加強過程控制，確保產品加工質量的穩定。項目建設單位倡導“倡導預防、健康安全、遵紀守法、持續和諧”的質量方針，注重管理體系的建立，實現持續改進。本項目產品制造質量控制將按ISO9000體系標準，從業務流程與組織結構等方面來確保產品各環節處于受控狀態，同時，公司推行精益生產（JIT、LEAN）、供應商庫存管理（VMI）、全面質量管理（TQM）等先進的管理手段和管理技術。三、設備選型方向為適應該項目生產和檢驗的需要，確保產品質量，增強生產工藝的可操作手段，必須完整配置各種技術裝備，該項目生產設備和檢測設備選擇國內外現有的先進、成熟、可靠裝備，在主要設備選型上遵循以下原則：1、以“比質、比價、比先進”為原則。選擇設備時，要著眼高起點、高水平、高質量，最大限度地保證產品質量的需要，不斷提高產品生產過程中的自動化程度，降低勞動強度提高勞動生產率，節約能源降低生產成本和檢測成本。2、主要設備的配置應與產品的生產技術工藝及生產規模相適應，同時應具備“先進、適用、經濟、配套、平衡”的特性，能夠達到節能和清潔生產的各項要求。該項目所選設備必須技術先進、性能可靠，達到目前國內外先進水平，經生產廠家使用證明運轉穩定可靠，能夠滿足生產高質量產品的要求。3、設備性能價格比合理，使投資方能夠以合理的投資獲得生產高質量產品的生產設備。對生產設備進行合理配置，充分發揮各類設備的最佳技術水平。在滿足生產工藝要求的前提下，力求經濟合理。充分考慮設備的正常運轉費用，以保證在生產本行業相同產品時，能夠保持最低的生產成本。4、以甄選優質供應商為原則。選擇設備交貨期應滿足工程進度的需要，售后服務好、安裝調試及時、可靠并能及時提供備品備件的設備生產廠家。根據生產經驗和技術力量，該項目主要工藝設備及儀器基本上采用國產設備，選用生產設備廠家具有國內一流技術裝備，企業管理科學達到國際認證標準要求。四、設備配置方案該項目的生產及檢測設備以工藝需要為依據，滿足工藝要求為原則，并盡量體現其技術先進性、生產安全性和經濟合理性，以及達到或超過國家相關的節能和環保要求。先進的生產技術和裝備是保證產品質量的關鍵。因此，關鍵工藝設備必須選擇國內外著名生產廠商的產品，并且在保證產品質量的前提下，優先選用國產的名牌節能環保型產品。根據生產規模和生產工藝的要求，本著“先進、合理、科學、節能、高效”的原則，該項目對比考察了多個生產設備制造企業，優選了中高頻熔煉設備生產專用設備和檢測儀器等國內先進的環保節能型設備，確保該項目生產及產品檢驗的需要。項目擬選購國內先進的關鍵工藝設備和國內外先進的檢測設備，預計購置安裝主要設備共計64臺（套），設備購置費1713.88萬元。

第九章項目平面布置

一、總圖布置原則該項目廠區總平面布置應符合國家有關規定及要求，結合場地自然條件及現狀，滿足生產運輸、安全衛生、環境保護等方面的需要。同時考慮企業在生產、交通運輸、動力設施、設備維修等方面的協作關系。遵循節約用地的原則，做到生產工藝流程順暢，通道寬度適中，總圖布置合理緊湊協調統一，達到科學規范化的要求。其中：建筑物布置緊湊合理，四周均有綠化帶環繞，廠區道路既能滿足消防要求，又能滿足貨物運輸的要求，項目總平面布置原則如下：1、認真貫徹“十分珍惜和合理利用每一寸土地，保護耕地”的基本國策，切實做到合理用地，節約用地提高土地利用率。因地制宜，結合當地地形條件，選擇合理的豎向布置。節約土石方工程量，節約項目投資。2、根據廠區用地的基本條件和工藝生產流程的要求，從現場實際情況出發，綜合考慮各項輔助設施功能以及防火、環保、貯運等多種因素的要求，同時達到國家及當地規定的投資強度、建筑密度、建筑容積率和綠化率的要求。3、遵循總圖專業布置原則，執行國家頒布的防火、安全、衛生、運輸、安全施工等規范、規定和標準要求。廠區道路和場地的布置充分