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文檔簡介
./上海交通大學考研最后三套模擬題——827材料科學基礎目錄上海交通大學2014碩士研究生入學考試模擬試題〔一1上海交通大學2014碩士研究生入學考試模擬試題〔二6上海交通大學2014碩士研究生入學考試模擬試題〔三10模擬試題〔一參考答案13模擬試題〔二參考答案15模擬試題〔三參考答案17.上海交通大學2014碩士研究生入學考試模擬試題〔一考試科目:材料科學基礎科目代碼:827適用專業:材料學院所有專業〔不含塑性學院,具體以20XX招生簡章為準〔答案必須寫在答題紙上單選題〔每題3分,共75分1、高分子鏈的幾何形態是由所決定的。A、主鏈結構B、單體分子的官能度C、交聯度2、在四方晶體中[100]晶向是。A、2次對稱軸B、4次對稱軸C、3次對稱軸3、下列都屬于面心立方點陣結構的是。A、CaF2、閃鋅礦B、NaCl、纖鋅礦C、CsCl、金紅石4、若在MgF2中溶入LiF則在晶體中最可能出現的缺陷是。A、間隙Li+離子B、Mg2+離子空位C、F-離子空位5、晶體宏觀對稱元素6等同于。A、3+iB、3C、3+m6、兩個互相平行的螺型位錯和刃型位錯之間。A、引力作用B、斥力作用C、不發生作用7、對于菲克第一定律,下列描述正確的是。A、描述了一種非穩態擴散B、質量濃度不隨距離而變化C、質量濃度不隨時間而變化8、下列擴散機制中,擴散激活能最小的是。A、置換擴散B、自擴散C、間隙擴散9、體心立方有滑移系。A、12B、24C、4810、對于層錯能較高的的金屬和合金,在其變形過程中,更容易出現。A、胞狀結構B、位錯塞積群C、位錯較為均勻分布的復雜網絡11、變形金屬中儲能絕大部分用于形成。A、宏觀殘余應力B、微觀殘余應力C、點陣畸變12、在晶粒長大過程中,下列描述正確的是。A、平均晶粒直徑隨保溫時間的平方而增大B、第二項粒子尺寸越小,極限的晶粒平均直徑越大C、第二項粒子所占體積分數越大,極限的晶粒平均直徑越小13、蠕變壽命和總的伸長主要決定于蠕變曲線的。A、瞬態或減速蠕變階段B、穩態蠕變階段C、加速蠕變階段14、在單元相圖的P-T相圖內,當低溫相向高溫相轉變時體積膨脹,則根據Clausius-Clapeyron方程dP/dT。A、大于0B、小于0C、等于015、均勻形核過程中,相變驅動力是。A、體積應變能變化B、表面自由能變化C、體積自由能變化16、鑄錠凝固過程中,結晶潛熱只能通過固相而散出,則界面生長形態不可能是。A、臺階狀B、平面狀C、樹枝晶17、下列不能達到細化晶粒效果的是。A、增加過冷度B、靜置C、加入形核劑18、高分子熔融過程中,熔點。A、隨晶片厚度的增大而增大B、隨晶片厚度的增大而減小C、與晶片厚度無關19、發生調幅分解必須滿足的條件是。A、dG/dx>0B、dG/dx<0C、d2G/dx2>0D、d2G/dx2<020、關于區域熔煉的說法錯誤的是。A、區域熔煉提純效果優于正常凝固B、區域熔煉方程可用于多次熔煉后的溶質分布C、區域熔煉方程不能用于最后一個熔區21、關于G、R和w0對固溶體晶體生長形態影響正確的是。A、G越大,越傾向于平滑界面B、R越小,越傾向于等軸樹枝晶C、w0越大,越傾向于平滑界面22、鑄件凝固時,表面"冒汗"是的明顯征兆A、正常偏析B、反偏析C、比重偏析23、關于三元相圖的垂直截面圖說法正確的是。A、可以表示相濃度隨時間變化的關系B、可以了解冷凝過程中的相變溫度C、可以通過直線法來確定兩相的質量分數24、對于二級相變的描述正確的是。A、二級相變時,熵不變B、二級相變時,必定壓熱容不變C、二級相變時,壓縮系數不變25、導帶中的電子數目遠超過價帶中的空穴數,這種半導體是。A、本征半導體B、n-型非本征半導體C、p-型非本征半導體二、綜合題〔每題3分,共75分1.指出下面四個圖中A、B、C、D所代表的晶向和晶面xxyzABCD1/21/23/4xyz3/41/43/21/21/2ABC1/2a1a2a3ABca1a2a3cACCB2/32、wc=0.1%的鐵碳合金在拉伸中,一種情況是在拉伸出現塑性變形后去載,立即再加載;另一種情況是去載后時效再加載。試解釋前者無屈服現象后者有屈服現象的原因。3、欲將一批齒輪進行滲碳,每爐裝500件,在900℃滲碳10h可以達到規定深度。假定在900℃滲碳每爐每小時成本1000元,而在1000℃滲碳為1500元,請問在哪一個溫度下滲碳成本更低?〔已知Q=32900cal/mol,R=1.987cal/mol,1cal=4.1868J4、推導液相中均勻形成邊長為a的立方晶核的臨界形核功△G*和臨界尺寸a*的表達式。5、組元A和B在液態完全互溶,但在固態互不溶解,當組元B質量分數為63%時合金在1040℃形成中間化合物。<1>試寫出中間化合物的分子式;<2>試求w<B>為20%的合金在750℃共晶反應后先共晶組織〔初生相和共晶組織的相對量、組成相的相對量。〔已知原子量:A=28,B=24上海交通大學2014碩士研究生入學考試模擬試題〔二考試科目:材料科學基礎科目代碼:827適用專業:材料學院所有專業〔不含塑性學院,具體以20XX招生簡章為準〔答案必須寫在答題紙上一、單選題〔每題3分,共75分1、高分子鏈產生不同構像的根本原因是。A、氫鍵的內旋B、σ鍵的內旋C、π鍵的內旋2、體心立方一個晶胞中有個八面體間隙。A、4B、6C、83、是高分子中熱力學上最穩定的一種聚態結構。A、折疊鏈結構B、伸直鏈結構C、球晶結構4、刃型位錯的扭折為。A、螺型位錯B、刃型位錯C、不一定5、位錯運動時割階段受到的晶格阻力。A、螺型位錯的割階更小B、刃型位錯的割階更小C、不一定6、肖克利不全位錯。A、一定是純刃型位錯B、一定是純螺型位錯C、螺型、刃型或混合型位錯都有可能7、從理論上講,相界能包括兩部分,即彈性畸變能和化學交互作用能,對于非共格相界界面能。A、以彈性畸變能為主B、以化學交互作用能為主C、A、B均有可能8、大多數情況下,原子擴散是借助。A、交換機制B、間隙機制C、空位機制9、下列關于P-N力說法正確的是。A、位錯寬度越大,P-N力越大B、滑移面間距越大,P-N力越大C、滑移方向上原子間距越大,P-N力越大10、體心立方金屬的孿生方向是。A、<111>B、<112>C、<110>11、金屬單晶體發生形變硬化時,沒有典型的三階段加工硬化情況的是。A、體心立方B、面心立方C、密排六方12、對于變形程度較小〔一般小于20%的金屬,再結晶形核的主要方式是。A、晶界弓出形核B、亞晶合并機制C、亞晶遷移機制13、再結晶過程的驅動力是。A、界面能的下降B、未釋放的應變儲能C、以上都不正確14、形成退火孿晶必須滿足能量條件,較易形成退火孿晶的是。A、AlB、α-FeC、Cu15、對于低層錯能的金屬,發生的傾向更大。A、動態回復B、動態再結晶C、靜態回復16、擴散蠕變過程中,。A、空位向垂直于力軸方向的晶界移動,原子向平行于力軸方向的晶界移動B、空位向平行于力軸方向的晶界移動,原子向垂直于力軸方向的晶界移動C、空位和晶界均向垂直于力軸方向的晶界移動17、固-液相變過程中,液、固之間的體積自由能差是臨界晶核表面所需能量的。A、1/3B、2/3C、3/218、薄膜生長方式中,不存在共格外延生長的是。A、三維生長B、二維生長C、層核生長19、關于離異共晶描述正確的是。A、離異共晶只能通過非平衡凝固得到B、離異共晶只能通過平衡凝固得到C、A、B均可得到離異共晶20、鑄造合金宜選用。A、共晶合金B、單相固溶體C、兩相混合物21、下列難以用擴散退火消除的是。A、枝晶偏析B、非平衡共晶組織C、正偏析22、關于三元相圖的水平截面圖說法錯誤的是。A、遵循相接觸法則B、可以了解某點各成分含量C、每個相界線交點上必有四條相界線相交23、非晶體快速凝固進入玻璃態的轉變溫度Tg。A、不隨冷卻速度變化而變化B、隨冷卻速度增大而減小C、隨冷卻速度增大而增大24、形成非晶體的臨界冷卻速度Rc與Tg/Tf的值關系。A、Tg/Tf的值越高,Rc越大B、Tg/Tf的值越高,Rc越小C、無關25、被用于做變壓器芯的材料有特點。A、高的初試磁化率、低的矯頑力B、高的剩磁、高的磁滯能損C、高的初試磁化率、高的抗退磁能力二、綜合題1、試畫出立方晶體中的<123>晶面和[346]晶向。2、已知平均晶粒直徑為1mm和0.0625mm的QUOTEα-Fe的屈服強度分別為112.7MPa和196MPa,問平均晶粒直徑為0.0196的純鐵的屈服強度為多少?3、舉例說明材料的基本強化形式有哪幾種,并說明其中兩種強化機制。4、已知純銅的融化熱為1.88×109J/m2,熔點為1089℃,點陣常數為3.4167×10-10m,發生均勻形核的過冷度為230K,σSL=1.44×10-1J/m2。求銅的臨界形核半徑及臨界晶核中所含的原子數。5、根據圖1.1所示的鐵碳平衡相圖,回答以下問題:〔1、寫出在1495℃、1154℃、1148℃、738℃和727℃發生的三相平衡反應的反應式。〔2、畫出含碳量wC=1.2%的過共析鋼在室溫下的平衡組織,并計算其中二次滲碳體的百分數。〔3、含碳量wC=3.5%的亞共晶白口鑄鐵在從液相平衡冷卻到室溫時會發生什么三相平衡反應和兩相平衡反應<可用熱分析曲線表示>?室溫下該成分的鑄鐵中有沒有二次滲碳體?如有的話,計算其百分數。上海交通大學2014碩士研究生入學考試模擬試題〔三考試科目:材料科學基礎科目代碼:827適用專業:材料學院所有專業〔不含塑性學院,具體以20XX招生簡章為準〔答案必須寫在答題紙上一、單選題〔每題3分,共75分1、下列是高分子鏈三次結構的是。A、遠程結構B、聚集態結構C、織態結構2、面心立方中〔111面間距〔110面間距。A、大于B、小于C、等于3、液晶結構類型中,最具有序性的是。A、近晶型B、向列型C、柱狀型4、兩個伯氏矢量互相平行的刃位錯交割,形成的臺階為。A、刃位錯B、螺位錯C、可能是刃位錯,可能是螺位錯5、在A-B二元固溶體中,A-A和B-B的平均能量大于A-B的能量。該固溶體最易形成。A、無序固溶體B、有序固溶體C、偏聚態固溶體6、在三元共晶合金中,最多可以得到平衡。A、二相B、三相C、四相7、離子晶體中,陽離子的擴散速率與陰離子相比。A、陽離子更快B、陰離子更快C、一樣快8、比較下列晶體中個位置的擴散激活能,最大的是。A、晶內B、晶界C、表面9、離子晶體中,形成一個間隙陽離子所需的能量△Gic比形成一個陽離子空位能△Gvc。A、大B、小C、相近10、主鏈結構不同會導致內旋難易差異,最常見的三大主鏈結構中,最難內旋的是。A、C—CB、C—OC、Si—O11、下列最易發生孿晶的點陣結構是。A、bccB、fccC、hcp12、全部或大部分宏觀應力得到消除是在金屬回復再結晶的那個階段A、回復B、再結晶C、晶粒長大13、再結晶過程中,發生在變形程度較大且具有高層錯能的金屬中的形核機制是。A、晶界弓出形核B、亞晶合并機制C、亞晶遷移機制14、異常晶粒長大的驅動力來自。A、界面能的降低B、應變能C、未釋放的儲能15、在氣-固相變過程中,要使蒸發過程得以發生,要求。A、P<PeB、P=PeC、P>Pe16、下列對于偽共晶的形成說法正確的是。A、偽共晶只能經平衡凝固得到B、偽共晶只能經非平衡凝固得到C、A、B均可得到偽共晶17、由鐵碳相圖可知,w〔C=3.0%的鐵合金,其室溫組織為。A、P+Fe3CⅡB、P+Fe3CⅡ+Ld’C、Fe3CⅡ+Ld’18、包晶成分的合金平衡凝固時〔L+αβ。A、高熔點組員由α向β內擴散B、高熔點組員由L向α內擴散C、高熔點組員由L向β內擴散19、下列位錯只能進行攀移不能滑移是。A、肖克利不全位錯B、弗蘭克不全位錯C、擴展位錯20、三元合金經反應擴散的滲層組織中不存在。A、三相區B、兩相區C、單項區21、材料強化手段中唯有既能提高材料的強度,又能基本不降低其塑性。A、固溶強化B、細晶強化C、加工強化22、冷變形金屬在回復過程中發生明顯變化的是。A、硬度和強度B、電阻C、儲能釋放23、晶體平均長大速率與過冷度的平方成正比的長大方式是。A、連續長大B、二維形核C、借螺位錯長大24、下列關于提純說法正確的是。A、凝固速度越快,提純效果越好B、凝固速度越慢,提純效果越好C、ke越接近1,提純效果越好25、透明材料的顏色取決于。A、透射束與反射束的頻率分布B、吸收光束與反射束的頻率分布C、透射束與再發射光束的頻率分布二、綜合題1、在立方晶體系的晶胞圖中畫出以下晶面和晶向:〔102、〔11-2、〔-21-3,[110],[11-1],[1-20]和[-321]。2、有一70MPa應力作用在fcc晶體的[001]方向上,求作用在QUOTE和QUOTE滑移系上的分切應力。3、金屬中空位平衡濃度隨溫度的變化規律遵循Nv=Nexp〔-Qv/RT。某金屬在被加熱到1130K時,空位濃度是其在1000K時的5倍,假設在1000K-1130K之間金屬的密度不變,氣體常數為8.31J/<mol·K>,計算空位形成能Qv。4、簡述形變金屬在加熱時的回復和再結晶過程及其組織性能的變化5、鐵的回復激活能為88.9KJ/mol,如果將經冷變形的鐵在400℃下進行回復,使其殘留加工硬化為60%需要160min,問在450℃下回復處理至同樣的效果需要多少時間?模擬試題〔一參考答案一、選擇題1、B2、A3、A4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、A11、C12、C13、B14、A15、C16、C17、B18、A19、D20、B21、A22、B23、B24、A25、B二、綜合題1、〔1A:B:C:D:〔2A:B:C:〔3A:B:C:〔4A:B:C:2、wc=0.1%合金中由于C原子與Fe的彈性交互作用,形成柯氏氣團,柯氏氣團與位錯發生作用導致合金出現屈服現象,在拉伸出現塑性變形后去載,立即加載是已經克服了柯氏氣團對位錯的阻礙作用,故不會出現屈服現象;而卸載后時效再加載會使溶質原子重新聚集,對位錯起釘扎作用,從而使合金在次出現屈服現象。3、900℃=1173K,1000℃=1273K由滲碳解方程可知D1t1=D2t2可得t2=D1t1/D2〔D=D0exp〔-Q/RT帶入數據可得t2=3.299小時900℃時,1000×10=10000元1000℃時,1500×3.299=4948.5元因此,1000℃滲碳成本更低。4、V=a3A=6a2△G=a3△Gv+6a2σ……..<1>d△G/da=0可求得a*=-4σ/△Gv帶入式<1>得△G*=32σ3/△Gv25、〔1設分子式為AxBy則24y/<24y+28x>=63%解得x:y=1:2所以分子式為AB2〔2初生相為A所以初生相:共晶相=〔43%-20%:20%=23:20最后所得組織中A:AB2=〔63%-20%:20%=43:20模擬試題〔二參考答案一、選擇題1、B2、B3、B4、A5、B6、C7、B8、C9、C10、A11、C12、A13、B14、C15、B16、A17、B18、A19、C20、A21、C22、C23、C24、B25、A二、綜合題1、2、解得故σs=84.935+0.878〔0.0196×10-3-1/2=283.255〔Mpa3、基本形式有:固溶強化、形變強化、沉淀強化和彌散強化、細晶強化等〔1固溶強化:無論是置換原子或是間隙原子,在合適的情況下,都能發生原子偏聚形成氣團。對于置換原子來說,當溶質原子比溶劑原子大時,溶質原子有富集在刃位錯受脹區的趨向;反之,富集于受壓區。間隙原子則總是向受脹區富集,這種靠擴散在位錯附近富集的現象稱
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