ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35306—2023

代替GB/T35306—2017

硅單晶中碳氧含量的測(cè)定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

Determinationofcarbonandoxygencontentinsinglecrystalsilicon—

Lowtemperaturefouriertransforminfraredspectrometrymethod

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35306—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅單晶中碳氧含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法與

GB/T35306—2017《、》,

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

GB/T35306—2017,,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20171);

更改了方法原理見第章年版的第章

b)(4,20174);

更改了干擾因素見第章年版的第章

c)(5,20175);

更改了儀器的波數(shù)范圍見年版的

d)(7.1,20177.1);

更改了樣品及參比樣品要求見第章年版的第章第章

e)(8,20178、9);

更改了樣品厚度要求見年版的

f)(9.2,20178.3);

增加了代位碳間隙氧的基線范圍積分范圍及校準(zhǔn)因子見

g)、、(10.1);

更改了試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理見第章年版的第章

h)(10,201711);

更改了精密度見第章年版的第章

i)(11,201712);

刪除了不同溫度的碳氧紅外光譜吸收峰位置和標(biāo)定因子見年版的附錄

j)、(2017A)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位青海芯測(cè)科技有限公司隆基綠能科技股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院

:、、

有限責(zé)任公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司洛陽(yáng)中硅高科技有限公司布魯克

、、、

北京科技有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司陜西有色天宏瑞科硅

()、()、、

材料有限責(zé)任公司新疆新特新能材料檢測(cè)中心有限公司弘元新材料包頭有限公司高景太陽(yáng)能股

、、()、

份有限公司

。

本文件主要起草人薛心祿秦榕李素青楊曉青鄧浩岳玉芳李明珍趙雄張園園趙躍

:、、、、、、、、、、

雷浩東蔡延國(guó)陳衛(wèi)國(guó)路盛剛徐巖張遵邱艷梅李向宇楊陽(yáng)徐志群汪奇

、、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2017,。

Ⅰ

GB/T35306—2023

硅單晶中碳氧含量的測(cè)定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

1范圍

本文件描述了采用低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)定硅單晶中代位碳間隙氧含量的方法

、。

本文件適用于室溫電阻率大于的型硅單晶和室溫電阻率大于的型硅單晶

1Ω·cmn3Ω·cmp

中代位碳間隙氧含量的測(cè)定測(cè)定范圍以原子數(shù)計(jì)為14-317-3

、,()2.5×10cm~1.5×10cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

分子吸收光譜法術(shù)語(yǔ)

GB/T8322

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T8322GB/T14264。

31

.

背景光譜backgroundspectrum

在紅外光譜儀中無(wú)樣品存在的情況下使用單光束測(cè)量獲得的譜線

,。

注通常包括氮?dú)饪諝獾刃畔?/p>

:、。

32

.

參比光譜referencespectrum

參比樣品的光譜

。

注在用雙光束光譜儀測(cè)試時(shí)將參比樣品置于樣品光路參比光路空著時(shí)獲得在用傅立葉變換紅外光譜儀及單

:,,