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文檔簡介
TrainingMaterialForPCBProcessFlow印制電路板流程培訓(xùn)教材-PTH/PanelPlating課堂守則請將手機(jī)、BP機(jī)等通訊工具調(diào)到震動(dòng)狀態(tài)。請勿在上課期間,隨意進(jìn)出,以免影響其他同事請勿交頭接耳、大聲喧嘩。如有特殊事情,在征得培訓(xùn)導(dǎo)師的同意的情況下,方可離場。以上守則,各位學(xué)員共同遵守PTH-鍍通孔7.1制程目的
雙面板以上完成鉆孔后即進(jìn)行鍍通孔(PlatedThroughHole,PTH)步驟,其目的使孔壁上之非導(dǎo)體部份之樹脂及玻纖束進(jìn)行金屬化(metalization),以進(jìn)行后來之電鍍銅制程,完成足夠?qū)щ娂昂附又饘倏妆凇?/p>
1986年,美國有一家化學(xué)公司Hunt宣布PTH不再需要傳統(tǒng)的貴金屬及無電銅的金屬化制程,可用碳粉的涂布成為通電的媒介,商名為"Blackhole"。之后陸續(xù)有其它不同base產(chǎn)品上市,國內(nèi)使用者非常多.除傳統(tǒng)PTH外,直接電鍍(directplating)本章節(jié)也會(huì)述及.7.2制造流程
去毛頭→除膠渣→PTH→一次銅
7.2.1.去披鋒(deburr)
鉆完孔后,若是鉆孔條件不適當(dāng),孔邊緣有 1.未切斷銅絲2.未切斷玻纖的殘留,稱為burr. 因其要斷不斷,而且粗糙,若不將之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此鉆孔后會(huì)有de-burr制程.也有de-burr是放在Desmear之后才作業(yè). 一般de-burr是用機(jī)器刷磨,且會(huì)加入超音波及高壓沖洗的應(yīng)用.可參考表4.1
PTH-鍍通孔PTH-鍍通孔刷輪材質(zhì)Mesh數(shù)控制方式其他特殊設(shè)計(jì)Deburr去巴里Bristle鬃毛刷#180or#240電壓、電流板厚高壓后噴水洗前超音波水洗內(nèi)層壓膜前處理BristleNylon#600Grids電壓、電流板厚后面可加去脂或微蝕處理外層壓膜前處理BristleNylon#320Grits電壓、電流板厚后面可加去脂或微蝕處理S/M前表面處理Nylon#600Grits~#1200Grits電壓、電流板厚有刷磨而以氧化處理的7.2.2.除膠渣(Desmear)
A.目的:
a.Desmear
b.CreateMicro-rough增加adhesionB.Smear產(chǎn)生的原因:
由于鉆孔時(shí)造成的高溫Resin超過Tg值,而形成融熔狀,終致產(chǎn)生膠渣
此膠渣產(chǎn)生于內(nèi)層銅邊緣及孔壁區(qū),會(huì)造成P.I.(Poorlnterconnection)C.Desmear的四種方法:
硫酸法(SulfericAcid)、電漿法(Plasma)、鉻酸法(CromicAcid)、高錳酸鉀法(Permanganate).
PTH-鍍通孔C.Desmear的四種方法:
硫酸法(SulfericAcid)、電漿法(Plasma)、鉻酸法(CromicAcid)、高錳酸鉀法(Permanganate).硫酸法必須保持高濃度,但硫酸本身為脫水劑很難保持高濃度,且咬蝕出的孔面光滑無微孔,并不適用。電漿法效率慢且多為批次生產(chǎn),而處理后大多仍必須配合其它濕制程處理,因此除非生產(chǎn)特殊板大多不予采用。鉻酸法咬蝕速度快,但微孔的產(chǎn)生并不理想,且廢水不易處理又有致癌的潛在風(fēng)險(xiǎn),故漸被淘汰。高錳酸鉀法因配合溶劑制程,可以產(chǎn)生微孔。同時(shí)由于還原電極的推出,使槽液安定性獲得較佳控制,因此目前較被普遍使用。PTH-鍍通孔7.2.2.1高錳酸鉀法(KMnO4Process):膨松劑(Sweller):
a.功能:軟化膨松Epoxy,降低Polymer間的鍵結(jié)能,使KMnO4
更易咬蝕形成Micro-rough。 b.影響因素:見圖7.1PTH-鍍通孔7.2.2.1高錳酸鉀法安全:不可和KMnO4
直接混合,以免產(chǎn)生強(qiáng)烈氧化還原,發(fā)生火災(zāi)。
d.原理解釋:(1)見圖7.2PTH-鍍通孔
7.2.2.1高錳酸鉀法初期溶出可降低較弱的鍵結(jié),使其鍵結(jié)間有了明顯的差異。若浸泡過長,強(qiáng)的鏈接也漸次降低,終致整塊成為低鏈接能的表面。如果達(dá)到如此狀態(tài),將無法形成不同強(qiáng)度結(jié)面。若浸泡過短,則無法形成低鍵結(jié)及鍵結(jié)差異,如此將使KMnO4咬蝕難以形成蜂窩面,終致影響到PTH的效果。
PTH-鍍通孔(2)SurfaceTension的問題:
無論大小孔皆有可能有氣泡殘留,而表面張力對孔內(nèi)Wetting也影響頗大。故采用較高溫操作有助于降低SurfaceTension及去除氣泡。至于濃度的問題,為使Dragout降低減少消耗而使用略低濃度,事實(shí)上較高濃度也可操作且速度較快。
在制程中必須先Wetting孔內(nèi)壁,以后才能使藥液進(jìn)入作用,否則有空氣殘留后續(xù)制程更不易進(jìn)入孔內(nèi),其Smear將不可能去除。PTH-鍍通孔
B.除膠劑(KMnO4):使用KMnO4的原因:選KMnO4而未選NaMnO4是因?yàn)镵MnO4溶解度較佳,單價(jià)也較低。反應(yīng)原理:
4MnO4-+C+4OH-→MnO4=+CO2+2H2O(此為主反應(yīng)式)2MnO4-+2OH-→2MnO4=+1/2O2+H2O(此為高PH值時(shí)自發(fā)性分解反應(yīng))MnO4-+H2O→MnO2+2OH-+1/2O2(此為自然反應(yīng)會(huì)造成Mn+4沉淀)
PTH-鍍通孔B.除膠劑(KMnO4):c.作業(yè)方式:早期采用氧化添加劑的方式,目前多用電極還原的方式操作,不穩(wěn)定的問題已獲解決。
d.過程中其化學(xué)成份狀況皆以分析得知,但Mn+7為紫色,Mn+6為綠色,Mn+4為黑色,可由直觀的色度來直接判斷大略狀態(tài)。若有不正常發(fā)生,則可能是電極效率出了問題須注意。
PTH-鍍通孔B.除膠劑(KMnO4):e.咬蝕速率的影響因素:見圖7.3PTH-鍍通孔B.除膠劑(KMnO4):f.電極的好處:(1).使槽液壽命增長(2).品質(zhì)穩(wěn)定且無By-product,其兩者比較如圖7.4
PTH-鍍通孔B.除膠劑(KMnO4):g.KMnO4形成Micro-rough的原因:由于Sweller造成膨松,且有結(jié)合力之強(qiáng)弱,如此使咬蝕時(shí)產(chǎn)生選擇性,而形成所謂的Micro-rough。但如因過度咬蝕,將再度平滑。h.咬蝕能力也會(huì)隨基材之不同而有所改變。PTH-鍍通孔B.除膠劑(KMnO4):i.電極必須留心保養(yǎng),電極效率較難定出絕對標(biāo)準(zhǔn),且也很難確認(rèn)是否足夠應(yīng)付實(shí)際需要。故平時(shí)所得經(jīng)驗(yàn)及廠商所提供資料,可加一系數(shù)做計(jì)算,以為電極需求參考。
PTH-鍍通孔
C.中和劑(Neutralizer):a.NaHSO3是可用的Neutralizer之一,其原理皆類似Mn+7orMm+6orMn+4(Neutralizer)->Mn+2(Soluable)b.為免于PinkRing,在選擇Acidbase必須考慮。HCl及H2SO4系列都有,但Cl易攻擊OxideLayer,所以用H2SO4為Base的酸較佳。c.藥液使用消耗分別以H2SO4及Neutralizer,用Auto-dosing來補(bǔ)充,維護(hù)。
PTH-鍍通孔7.2.2.2.整條生產(chǎn)線的考慮:A.Cycletime:每Rack(Basket)進(jìn)出某類槽的頻率(時(shí)間)。B.產(chǎn)能計(jì)算:(Workinghours/Cycletime)*(FIightBar/Hoist)*(Racks/FlightBar)*(SF/Rack)=SF/Mon
PTH-鍍通孔7.2.2.2.整條生產(chǎn)線的考慮:C.除膠渣前Pre-baking對板子的影響:見下圖
a.由于2.在壓合后己經(jīng)過兩次Cure,結(jié)構(gòu)會(huì)比1,3Cure
更完全,故Baking會(huì)使結(jié)構(gòu)均一,壓板不足處得以補(bǔ)償。b.多量的氧,氧化了Resin間的Bonding,使咬蝕速率加劇2~3倍。且使1,2,3區(qū)較均一。
c.釋放Stress,減少產(chǎn)生Void的機(jī)會(huì).PTH-鍍通孔7.2.弱2.3.制程內(nèi)裕主要反暢應(yīng)及化含學(xué)名稱賀:A.化學(xué)反校應(yīng):a.主要反異應(yīng)封4MnO4-+4O訂H-+Ep診oxy→侮4Mn你O4=+演CO2↑+葵2H2Ob.副反應(yīng):戚2MnO4-+2催OH-←→饑2Mn煙O4=+杠1/2O2+H2O(S于ide慢rea太ctio引n)粱MnO4=+說H2O(下CI-/SO4=/C享atal峽yze帽Rx.)坑→M品nO2↓+薯2OH-+1/昆2O2PTH津-鍍通孔7.2茶.2.呀3.制程內(nèi)主棉要反應(yīng)及棉化學(xué)名稱遞:(Pre鋼cipi饅tati植onf派orma燙tion厭)2MnO4=+壓Na牧OCl侵+H2O→宴2M周nO4-+2增OH-+N尋aCl4Mn絮O4=+尊Na翁S2O8+H2SO4→4M淡nO4-+2O設(shè)H-+2盒Na2SO44Mn必O4=+歐K2S2O8+H2SO4→4M燃nO4-+2O權(quán)H-+2K2SO4(For船Che謝mica武lre版gene套rati綿ont貌ype慌proc喬ess肯reac筐tion照)2Mn繳O4=+惡1/坦2O2+H2O←茂→2M挨nO4-+2寬OH-(Ele箏ctro麻lyti派cre劍acti輔on:訪Need運(yùn)rep桑leni傾sha抗irf陵orO切xyen騙con綁sump肺tion芹)PTH辯-鍍通孔B.化學(xué)品袍名稱:MnO4-Per刷man曉gan銷ate叫NaS2O8Sodi通um杏Pers全ulfa頃teMnO4=Man江gana俗te適S2O4-Sul膝fat刑eOH-Hyd邁rox偵ide少(Ca蒸ust容ic)汽CO2Car再bon眼Di藝oxi愚deNaOC填lSo饅dium每Hyd手roch械lori脾deM危nO2Man硬gan梁ese區(qū)Di碌oxi辣dePTH補(bǔ)-鍍通孔7.2種.2.踢4.典型的Desm苦ear充Proc斥ess:見表SequenceSolutionMakeUpControlrangeOperationTemp.AnalysisDump1SwellerSweller55%D.I.Water45%Solvent40-70%76±23T/W2Rinse*3CTwater45±1stStepRT2ndStepRT3rdStep1T/2D1T/2D1T/2D3KMnO4101:85g/l102:6%D.I.Water101:70-100g/lN:1-1.376±23T/W4Rinse*3CTwater45±1stStepRT2ndStepRT3rdStep2T/D2T/D2T/D5Reducer*2Reducer10%H2SO45%D.I.WaterReducer8-12%H2SO44-7%RT1stStep35±32ndStep2T/W1T/3D1T/W6Rinse*2CTWaterRT7HotAir100±157.2鈔.2.鵲5.數(shù)Poc弄ket遲Vo修id的解釋恩:A.說法一蹦:Swel新ler殘留在Gla膀ss去fib謊er中,在The舊rma點(diǎn)lc船ycl飽e時(shí)爆開。B.說法二妹:見英下圖。PTH往-鍍通孔7.2印.2.頌5.腥Poc逝ket接Vo痰id的解釋:a.壓板過堂程不良綁,Str變ess積存,上炊錫過程中碑力量釋出臨所致。b.在膨漲釣中如果緩銅結(jié)合焦力強(qiáng),短而Res堡in釋出Str慕ess方向呈Z軸方向尚,當(dāng)Cur場ing不良而Stre供ss過大時(shí)懇則易形砌成a之?dāng)嗔眩萑绻淄煦~結(jié)合面力弱則貿(mào)易形成b之Resi頂nre算cess菜ion結(jié)合力盈好而內(nèi)苗部樹脂雙不夠強(qiáng)頁軔則出黎現(xiàn)c之Poc竿ket酒vo動(dòng)id。C﹒如果爆夢開而形訪成銅凸膏出者稱匆為Pul殘la蘭way買。PTH-鍍通孔7.2.蚊3化學(xué)銅晶(PTH)PTH系統(tǒng)概念剃分為酸性粘及堿性系仍統(tǒng),特性坦依基本觀腫念而有不勇同。7.2吉.3.么1酸菊性系統(tǒng)峰:A.基本制程藝:Cond琴itio湖ner撿→Mi朱croe趙tch→籍Cat尊alpr耽etre粒atme麥nt→江Cata冰ldep幟osit必→Ac息cele績r(jià)ato烈r→E漫lect役role喉ssD粱epos基itPTH原-鍍通孔B.單一步唱驟功能鏡說明:整孔Con符dit注ion桿er:1.表Des筆mea給r后孔內(nèi)趴呈現(xiàn)Bipo僵lar現(xiàn)象,其船中Cu呈現(xiàn)高電工位正電Gla原ss焰fib四er、木Epo復(fù)xy呈負(fù)電。2.為正使孔內(nèi)呈見現(xiàn)適當(dāng)狀賀態(tài),Cond卻itio渴ner具有兩痰種基本燭功能。(1)Clea餐ner:清潔表面(2)Con縮慧dit衡ion倚er:使孔壁挖呈正電乞性,以親利Pd/S椅nCo芳lloi婦d負(fù)電離子團(tuán)吸附。PTH木-鍍通孔B.單一步驟喝功能說明:3.一般而言宗粒子間作惜用力大小促如表PTH-鍍通孔因而此類冬藥液系統(tǒng)嫩會(huì)有吸附塔過多或Col鳥loi性d過多的吸烘附是否可居洗去之顧歡慮。VenderWaltsHydrogenBondIonicBondCovalentForce110100~300300Ads.Thickness<10A30~50A50~200AUndefinedB.單一步依驟功能寫說明:4.Con能dit粘ion減er若Dra測gI寨n至Acti壺vato黎r槽,會(huì)使Pd+離子團(tuán)降田低.b.微蝕Mic登roe向tch1.印Mic歷roe遠(yuǎn)tch灑ing旨在清除弄表面之Con顛dit責(zé)ion借er所形成車的Film需。2.銜此同時(shí)宇亦可清蝴洗銅面蹦殘留的壤氧化物葛。PTH-鍍通孔c.預(yù)活化Cata啟lpre爹trea間tmen狐t1.為避免Micr筒oetc辭h形成的銅惱離子帶入Pd/S某n槽,她預(yù)浸以董減少帶尾入。2.降均低孔壁的Sur異fac糊eT怖ens緊ion胖。d.活化Cat籠ald扛epo幅sitPTH束-鍍通孔1.一般Pd膠體皆些以以下波結(jié)構(gòu)存葡在:拋見下圖槳。2.Pd2+:Sn2+:Cl-=1:極6:12較安定PTH磁-鍍通孔3.一榆般膠體的罩架構(gòu)方式六是以以下蛇方式結(jié)合年:見下圖蜘當(dāng)吸附時(shí)敗由于Cl會(huì)產(chǎn)生謠架橋作先用,且市其半徑框較大使涼其吸附而不易良績好,尤前其如果精孔內(nèi)的Roug鵝hnes象s不適當(dāng)更段可能造成冬問題。PTH袋-鍍通孔4、孔壁吸附衫了負(fù)離子換團(tuán),即中埋和形成中悲和電性。PTH鑒-鍍通孔e.速化Acce捷lera青torPd膠體吸附偏后必須去林除Sn,使Pd2村+曝露,曠如此才閱能在未炭來無電蜜解銅中氧產(chǎn)生催躍化作用浴形成化泥學(xué)銅閉。基本化包學(xué)反應(yīng)哲為:Pd+2稱/Sn+嗚2(H倡F)→P政d+2(爛ad)溉+Sn送+2(區(qū)aq)透P詞d+2(叼ad)旬(HCH譯O)→P錢d(s)PTH荒-鍍通孔3.一般而小言Sn與Pd特性不誰同,Pd為貴金膝屬而Sn則不然因此其舌主反應(yīng)逢可如下扯:Sn+2育S浴n+4記+6F銀-→斑SnF6勒-2o鳴rSn亮+2+享4F-另→Sn沸F4-2而Pd則有兩種毯情形:PH>殺=4坐Pd吉+2幟+2駱(OH柄)-→Pd每(OH)荒2成PH<劃4燥Pd+2住+6證F-→洪PdF枝6-4PTH-鍍通孔Pd吸附在牽本系統(tǒng)痕中本身悉就不易冷均勻,梯故速化揪所能發(fā)懷揮的效果就極青受限制。袖除去不足幸時(shí)會(huì)產(chǎn)生P.I.誼,而過長表時(shí)則可顆能因?yàn)閷O過份去活除產(chǎn)生沒破洞,題這也是尚何以Back甜_lig休ht觀察時(shí)會(huì)形有缺點(diǎn)的崖原因。5.落活化后水往洗不足或委浸泡太久祥會(huì)形成Sn+鈴2投S鐘n(O畏H)2或Sn(O藍(lán)H)4,此易形成撲膠體膜.濁而Sn+4過高也會(huì)參形成Sn(O摔H)4,尤其在Pd吸太多殺時(shí)易呈PTH粗糙。6.鄉(xiāng)豐液中扛懸浮粒殼子多,義易形成PTH粗糙。PTH糧-鍍通孔f.化學(xué)銅沉柴積Ele盛ctr兄ole肺ss佛Dep補(bǔ)osi騾t利用孔內(nèi)鹽沉積的Pd催化無恒電解銅球與HCH洲O作用,貢使化窮學(xué)銅沉廢積。Pd在化學(xué)銅不槽的功能班有二:待(1)阿作為Cat眉aly梁st吸附OH-之主體稻,加速HCH匯O的反應(yīng)遺。扮(2)悼作為Cond鍵ucto濾r,以利e-轉(zhuǎn)移至Cu+2上形成Cu沉積副。其基本反澇應(yīng)及Mec鋼han粥ism見下圖曠。PTH禍-鍍通孔PTH揚(yáng)-鍍通孔f.化學(xué)銅喉沉積Elec希trol懶ess衡Depo曠sit4.由于槽增液在操飯作開始節(jié)時(shí)缺少H2含量,端故其活酸性可能山不夠而勇且改變釀溫度也轟易使槽杰液不穩(wěn)腦定。故麗在操作動(dòng)前一般弱先以Dumm棟ybo閥ards先行提書升活性園再作生胸產(chǎn),才雖能達(dá)到堅(jiān)操作要糧求。5.Bath皆loa負(fù)ding也因上述慚要求而有王極大的影斬響,太高召的Bat責(zé)hl晨oad勵(lì)ing會(huì)造成過濃度的活化聯(lián)而使槽液相不安定。陽相反若太忠低則會(huì)因H2的流失而旅形成沉積露速率過低更。故其Max與Min值應(yīng)與糞廠商確某認(rèn)做出糊建議值膚。6.捆如果溫沙度過高蹤蝶,[NaO憐H],書[H省CHO劫]濃度不當(dāng)駁或者Pd+逐2累積過田高都可狹能造成P.I.或PTH粗糙的鍋問題康。PTH溪-鍍通孔g.整個(gè)反費(fèi)應(yīng)狀態(tài)妨見圖7機(jī).10凍所示PTH-鍍通孔7.2.慮3.2、堿性系統(tǒng)些:基本制程:Con伸dit束ion異er→艙Et悄ch索Cle后ane床r→省Cat品alp困ret色rea煩tme隸nt→飄Ac探tiv清ato咸r→緣瑞Red墻uce艷r→青Ele軟ctr遲ole孩ss宣Cop熟perB.單一步驟屢功能說明a.斤Con場dit戶ion吧er:泥Wet惠tin礎(chǔ)ga哥gen省t+頑10的g/貝lN堤aOH說(A滔)PTH多-鍍通孔a.寧Con預(yù)dit氧ion帥er:以Wett卵ing鏡agen英t的觀念占,而非媽電性中劣和,如抗此可形蠶成較薄沾的Film約30況0A,且均勻而面不致有附仆著不上或漆太厚之虞街。2.伸基本方滑式系以活親水基四與疏水饒基之特拴有Dipo鄰le特性使Wet鉤tin縣ga計(jì)gen位t被水排峰擠,快母速吸附婦至孔壁更。因其控形成之諒單層膜傷不易再投附上其從它Con堆dit抱ion毒er而與Cle線ane萬r共同作勵(lì)用洗去別多余雜稀質(zhì)。PTH-鍍通孔a.C出ondi姑tion夜er:3.其設(shè)計(jì)棉是一道別酸一道初堿的藥畜液浸泡額,使各葬種不同暑來源的楊板子皆恐有良好芒的wett疫ing作用,其For判mul楊a:W殼ett濟(jì)ing手ag紹ent僅+販10飛ml/稈lH2SO4。4.若水質(zhì)不畫潔而含M+2仍(如:Ca+匠2、M權(quán)g+2菠、Fe暮+2等)則Amin醒e及Wett鐵ing紐奉agen掃t易與之正結(jié)合而哪形成沉泄淀,故差水質(zhì)硬恐度應(yīng)特爐別留意傻。PTH-鍍通孔Con具dit蛛ion鞏er:5.當(dāng)傍板子浸入雪水中,Cu正電迅速董與OH-中和而呈隙負(fù)電。而Dip商ole靜電力有伐限,不致僻形成多層皆覆蓋,故任無Over攝con例diti太on的顧慮。b.E脹tch誦clea醬ner:紅(SPS與H2SO4/H2O2兩種啦)牙基本功愿能與酸綱性系列川相似(SPS:限10g/開l)c.C桐atal披pret電reat陪men):同Act裂iva逃tor但少Com負(fù)ple楊x。PTH恭-鍍通孔d.落Act舍iva妻tor:Ac柔t(yī)iv馳ato羊r+械Pd善(Am良ine溝)c恰omp約lex1.基本上撞此系列煮的Pd,是由Amin患e類形成的Comp禍lex,2.其特點(diǎn)如殲下:(1)Pd(A業(yè)mine屋)+2呈正電荷動(dòng),可吸附牲在Con匠dit眠ion序er上而甚少采吸附在銅匯上,少有P.I.問題(2)歸沒柔有Sn形成的Coll認(rèn)oid,其粒子較秤小,結(jié)晶僚較密且少胖有Sn(識(shí)OH)2、Sn洋(OH漢)4析出問題吧。也沒有Sn+2茄+F葛e+2厭Sn至+4+勞Cu作用。(3)時(shí)無Cl-在外圍告,由于Cl-會(huì)與Poly數(shù)imid獲e材料產(chǎn)生葬作用,故新無Cl-會(huì)有較武廣的適通用性蠟。PTH云-鍍通孔d.放Act氣iva刮tor:Ac招tiv艘ato跟r+憤Pd稠(Am請ine頓)c稀omp客lex由于Pd(A品mine休)+2懲Pd+濫2+Am兆ine為一平槽衡反應(yīng)跨,吸附解反應(yīng)十暫分快,槐且由于晶粒子小許空隙低夕因而致伴密性佳貸。(5)Imp夠uri獸ty少有殘茫留,且沉吸附Pd+2少,故椅能有較淡少P.I消.機(jī)會(huì)(6)旗由于無Cl-,對Blac情k-Ox彼ide的att逐ack相對減仆少,故Pink抽Rin資g較輕。由于吸附舍較密,將渡來作無電曲解銅時(shí)Cove念rage也會(huì)較密驚較好。PTH-鍍通孔e.整個(gè)反應(yīng)本狀態(tài)見圖先7.11擊所示PTH娃-鍍通孔7.2.種4一次銅蜂(Pane苦l(xiāng)pl處atin樂g)非導(dǎo)體的稿孔壁經(jīng)PTH金屬化礎(chǔ)后,立跳即進(jìn)行望電鍍銅秘制程,愚其目查的是鍍朝上20襯0~5聰00微駐英吋以晴保護(hù)僅憶有20芹~40沖微英寸擴(kuò)厚的化瞞學(xué)銅被調(diào)后制程商破壞而誼造成孔低破(Void耳)。有關(guān)銅石電鍍基恒本理論對及實(shí)際靈作業(yè)請漠參看二穗次銅更須詳細(xì)的日解說.Pan練el態(tài)Pla草tin卷g板面電鍍7.3.厚化銅傳統(tǒng)金屬斷化之化學(xué)熄銅的厚度豎僅約20部~30微為寸,無法狼單獨(dú)存在比于制程中擺,必須再霉做一次全秀板面的電炸鍍銅始能壇進(jìn)行圖形脖的轉(zhuǎn)移如旱印刷或干籌膜。但若信能把化學(xué)漆銅層的厚照度提高到夜100微逐寸左右,摸則自然可纖以直接做取線路轉(zhuǎn)移底的工作首,無需再給一道全板棍的電鍍銅弄步驟而省種卻了設(shè)備個(gè),藥水、借人力、及皂時(shí)間,并射達(dá)到簡化勒制程減少摘問題的良喪好目標(biāo)。因此有厚注化銅制程炭出現(xiàn),此為一方式已影經(jīng)實(shí)際生并產(chǎn)線上進(jìn)忠行十?dāng)?shù)年誕,由于鍍昏液管理困依難分析添獵加之設(shè)備仔需要較高沿層次之技乳術(shù),成礦本居高不魯下等,紐奉此制程已龜經(jīng)勢微。PTH-鍍通孔Pan濫el島Pla呼tin紗g板面電鍍厚化銅閑的領(lǐng)域描又可分茅為:A.“半加成Sem披i-A囑ddi狼tiv蒙e”式是完手全為了爬取代全歌板面電臨鍍銅制猾程.B.“全加成Ful匯ly題Add暖iti攤ve”式則是儉用于制筍造加成晃法線路奪板所用全的。日陶本某些拼商用消千費(fèi)性電委子產(chǎn)品所用24翁小時(shí)以羽上的長窄時(shí)間的割全加成欲鍍銅,隙而且只邊鍍在孔起及線路德部份。逢日本之淹外尚不莖多見,產(chǎn)高雄埋日立化尖成數(shù)年糖前尚有CC-尤41制程,絹目前牲已關(guān)掉雷該生產(chǎn)米線。Pane壟lPl欣atin桐g板面電狀鍍7.3.沒1厚化銅基歷本觀念a.厚化銅障也仍然山采用與流傳統(tǒng)無禽電銅相雜似的配衣方,即歡仍以銅敲離子、額強(qiáng)堿、康及甲醛宅做為反陶應(yīng)的原痰動(dòng)力,支但與溫準(zhǔn)度及其奮所產(chǎn)生激的副產(chǎn)但物關(guān)系竿較大。b.無電銅因構(gòu)厚度很薄駐,內(nèi)應(yīng)底力(Inn賄er尚Str透ess屆)影響不大蹤蝶,故不需厘重視,但扭厚化銅則冷必須考慮史。也就是椅說厚化銅攔與板面銅碌箔間的附風(fēng)著力也為帥關(guān)鍵,嗚應(yīng)特別注歸意其鍍前歇活化之過鴉程如整孔崖及微蝕是供否完美。饅控制不好徹時(shí)可能發(fā)晨生孔壁剝歌離(pul奇la番way揭)及板面棋脫皮。Pane創(chuàng)lPl變atin戚g板面電瘦鍍7.3.榜1厚化銅叫基本觀靠念c.厚化銅芒之外表往能接受穗油墨或伍干膜之旦附著,貢所以印傅刷前盡伍少做磨粘刷或其囑它化學(xué)悠粗化。沃在阻劑裕完成轉(zhuǎn)株移后又覽要能耐神得環(huán)境移的氧化壯,而窯且也要死耐得最諷低起碼袖的活性萬清洗及冬活化。d.厚化銅主嬌要的目的走是既能完守成非導(dǎo)體烤的金屬化迅同時(shí)又可勒取代一次濾鍍銅,傾能夠發(fā)揮框大量的設(shè)廚備、人力評(píng)、物料、眉及操作時(shí)言間的節(jié)省述,但化學(xué)端銅槽本身班比傳統(tǒng)的燃無電銅要煮貴管理不頌易,要利象用特定的解自動(dòng)添加稀設(shè)備。Pan躺el辟Pla剪tin雁g板面電鍍7.3.魚1厚化銅盛基本觀懇念e.前處理之秒各制程比廟傳統(tǒng)PTH要更謹(jǐn)慎雨,原因是左化學(xué)銅的就沉積是靠段銅離子在擊板子上之咱活化生長菊點(diǎn)(Act柴ive次si喜tes加)還原出銅堅(jiān)金屬并增意厚,當(dāng)此昂等生長點(diǎn)澤被銅覆蓋掌后其它板數(shù)面上又逐趕次出現(xiàn)新圾的生長點(diǎn)波再接受銅牛的沉積,裂電鍍銅的叨沉積則不柴但向上發(fā)膽展,也秒能橫向延杜伸。故萬訂一底材未攪能在前處燒理制程中座完成良好末的活化時(shí)彼則會(huì)造成懷孔破(Hol筑eV輪oid還),而且經(jīng)過予干膜或印綢刷后,肌可能進(jìn)一并步的惡化鬧,終必成改為板子品朽質(zhì)上極大嶺的隱憂。Pan睬el潤Pla勾tin但g板面電鍍7.4直接電鍍粒(Dir帝ect啦pl浩ati緣瑞ng)由于化附學(xué)銅的休制程中受,有很勉多對人物體健康食有害的紛成份(收如甲醛熄會(huì)致癌咸),以緣瑞及廢水幻玉處理(艷如有Chel意ate)有不良奧影響的蚊成份,鍋因此早腳在10弓多年前令就有取禍代傳統(tǒng)PTH所謂Dire任ctP夫lati屠ng(不須靠化該學(xué)銅的銅伐當(dāng)導(dǎo)體)蒼商品出現(xiàn)卻,至今在疑臺(tái)灣量產(chǎn)牽亦有很多脈條線。但放眼翁國外,盲除歐洲遺應(yīng)用者霸很多以陣外,美懲、日(蹲尤其是求美國)殃并不普醫(yī)偏,一淘些大的這電子公擱司(如薄制造計(jì)鏟算機(jī)、廚大哥大性等)并架不App杜rov仍e直接電鍍明制程,這罵也是國內(nèi)鞋此制程普罰及率尚低幫的原因之悼一。Pan貴el察Pla精tin企g板面電鍍7.4壩.1直接電凝鍍種類大致上延可歸為查三種替仁代銅的賀導(dǎo)體A.C悅arbo道n-碳粉(Gra爭phi歐te同)B.企Con菠duc騰tiv把eP倘oly億mer虜-導(dǎo)體高分秩子C.君Pal室lad醋ium杯-鈀金屬7.4.應(yīng)2直窯接電鍍后惹續(xù)制程有朽兩種方式化:A.一次鍍扎銅后,廟再做影住像轉(zhuǎn)移奸及二次勇鍍銅B.直接做厲影像轉(zhuǎn)羨移及線欲路電鍍Pane置lPl圈atin冬g板面電鍍表中歸納抬目前國內(nèi)勁已使用中譜的直接電祥鍍各商品那之分析制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet媒介種類Palladium-Based媒介附著特性半選擇性Cu:50%Re:100%Gf:60%非選擇性Cu:5%Re:100%GF:60%非選擇性Cu:5%Re:60%Gf:100%導(dǎo)電(ohm)0.5~52000~2000010000~80000制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet制程特性Pd-Sn膠體靠Sn+2+Cu+2→Sn+4+Cu反應(yīng)將銅析出附著上銅面。.導(dǎo)電性佳.不須咬銅將Pd-Sn硫化成Pd-SnS-導(dǎo)電性佳以Pd/organiccolloid附著于銅面上,再以酸浸移除銅面有機(jī)物。-僅咬銅0.5~1μm-制程微短-玻璃纖維附著力佳M-Etch量0μm3~6μm0.5~1μm(續(xù))制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet廢水處理性直接外層電鍍可行性(配合特殊二銅前處理藥液)
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