第第頁模擬電路常見常識1、同相放大電路加在兩輸入端的電壓大小接近相等

2、反相放大電路的重要特征是“虛地”的概念

3、PN結具有一種很好的數學模型：開關模型à二極管誕生了à再來一個PN結，三極管誕生了

4、高頻電路中，必須考慮PN結電容的影響（正向偏置為擴散電容，反相偏置為勢壘電容）

5、點接觸型二極管適用于整流，面接觸型二極管適用于高頻電路

6、硅管正向導通壓降0.7V，鍺管為0.2V

7、齊納二極管（穩壓管）工作于反向擊穿狀態

8、肖特基二極管（Schottky，SBD）適用于高頻開關電路，正向壓降和反相壓降都很低（0.2V）但是反向擊穿電壓較低，漏電流也較大

9、光電二極管（將光信號轉為電信號）

10、二極管的主要參數：最大整流電流，最大反相電壓，漏電流

11、三極管有發射極（濃度最高），集電極，基極（濃度最低）。箭頭寫在發射極上面

12、發射極正偏，集電極反偏是讓BJT工作在放大工作狀態下的前提條件。三種連接方式：共基極，共發射極（最多，因為電流，電壓，功率均可以放大），共集電極。判別三種組態的方法：共發射極，由基極輸入，集電極輸出;共集電極，由基極輸入，發射極輸出;共基極，由發射極輸入，集電極輸出。

13、三極管主要參數：電流放大系數β，極間反向電流，（集電極最大允許電流，集電極最大允許耗散功率，反向擊穿電壓=3個重要極限參數決定BJT工作在安全區域）

14、三極管數學模型：單管電流放大

15、射極偏置電路：用于消除溫度對靜態工作點的影響（雙電源更好）

16、三種BJT放大電路比較：共射級放大電路，電流、電壓均可以放大。共集電極放大電路：只放大電流，跟隨電壓，輸入R大，輸出R小，用作輸入級，輸出級。共基極放大電路：只放大電壓，跟隨電流，高頻特性好

17、去耦電容：輸出信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。旁路電容：輸入信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。交流信號針對這兩種電容處理為短路

18、BJT是一種電流控制電流型器件（雙極型），FET是一中電壓控制電流器件（單極型）

19、主流是從發射極到集電極的IC，偏流就是從發射極到基極的Ib。相對與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。

20、場效應管三個鋁電極：柵極g，源極s，漏極d。分別對應三極管的基極b，發射極e，集電極c。其中P型襯底一般與柵極g相連

21、增強型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用（開啟電壓Vt），耗盡型FET則不需要柵源電壓，在正的Vds作用下，就有較大的漏極電流流向源極（如果加負的Vgs，那么可能出現夾斷，此時的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***：可以在正負的柵源電壓下工作）

22、N溝道的MOS管需要正的Vds（相當于三極管加在集電極的Vcc）和正的Vt（相當于三極管基極和發射極的Vbe），而P溝道的MOS管需要負的Vds和負的Vt

23、MOSFET主要參數：開啟電壓Vt，夾斷電壓Vp。極限參數：最大漏極電流Idm，最大耗散功率Pdm

24、MOSFET三種放大電路：共源極放大電路（共射極），共漏極放大電路（共集電極），共柵極放大電路（共基極）

25、差分式放大電路：差模信號：兩輸入信號之差。共模信號：兩輸入信號之和除以2。由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號可得到一個重要的數學模型：任意一個輸入信號=共模信號±差模信號/2

26、差分式放大電路只放大差模信號，抑制共模信號。利用這個特性，可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對電路性能的影響。具體的性能指標：共模抑制比Kcmr

27、集成運放的溫度漂移是漂移的主要來源

28、集成運放的參數：最大輸出電流，最大輸出電壓

29、VCC是電路的供電電壓，VDD是芯片的工作電壓

30、放大電路的干擾：1、將電源遠離放大電路2、輸入級屏蔽3、直流電源電壓波動（采用穩壓電源，輸入和輸出加上濾波電容）

31、負反饋放大電路的四種組態：電壓串聯負反饋（穩定輸出電壓），電壓并聯負反饋，電流串聯負反饋（穩定輸出電流），電流并聯負反饋

32、電壓、電流反饋判定方法：輸出短路法，設RL=0，如果反饋信號不存在，為電壓反饋，反之，則為電流反饋。

33、串聯、并聯反饋的判定方法：反饋信號與輸入信號的求和方式，若為電壓形式，則為串聯反饋，若為電流形式，則為并聯反饋

34、功率放大電路的類別：甲類（全部）、甲乙類（50%以上）、乙類（50%）（按照輸入信號在整個周期流經器件大于0的百分比）

35、RC振蕩電路適用于低頻，LC振蕩電路適用于高頻電路

36、電壓比較器，時滯比較器，集成電壓比較器，方波產生電路，鋸齒波產生電路

37、直流穩壓電源：電源變壓器à整流電路à濾波電路à穩壓電路

38、濾波電路：利用電抗元件的儲能作用，可以起到很好的濾波作用。電感（串聯，大功率）和電容（并聯，小功率）均可以起到平波的作用。