精品文檔-下載后可編輯一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么區別-設計應用本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區別，首先介紹了RAM的類別及特點，其次對SDRAM做了詳細闡述，介紹了RAM和SDRAM的區別是什么。

RAM介紹

Random-AccessMemory（隨機存取存儲器），在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器［或者內存儲器和外存儲器］，主存儲器簡稱內存，內存在電腦中起著舉足輕重的作用，一般采用半導體存儲單元。因為RAM是內存其中重要的存儲器，所以通常我們直接稱之為內存。內存就是存儲程序以及數據的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字符時，它就被存入內存中，當你選擇存盤時，內存中的數據才會被存入硬（磁）盤。

RAM就是既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存于其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場上常見的內存條有128M／條、256M／條、512M／條等。

RAM的類別

根據存儲單元的工作原理不同，RAM分為靜態RAM和動態RAM。

靜態隨機存儲器（SRAM）

靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。

動態隨機存儲器（DRAM）

動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能等于0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為“刷新”或“再生”，因此DRAM內部要有刷新控制電路，其操作也比靜態RAM復雜。盡管如此，由于DRAM存儲單元的結構能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產品。

RAM的特點

1、隨機存取

所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（SequenTIalAccess）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。

2、易失性

當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的區別是RAM在斷電以后保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

3、對靜電敏感

正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

4、訪問速度

現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。

5、需要刷新（再生）

現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然后按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

SDRAM介紹

SDRAM（SynchronousDynamicRandomAccessMemory）同步動態隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。目前的168線64bit帶寬內存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內存快為15ns。并將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDODRAM更快。

SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是：代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM.

代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時鐘信號，第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。

SDRSDRAM的時鐘頻率就是數據存儲的頻率，代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數據讀寫速率也為100或133MHz。

之后的第二，三，四代DDR（DoubleDataRate）內存則采用數據讀寫速率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

很多人將SDRAM錯誤的理解為代也就是SDRSDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導，SDR不等于SDRAM。

Pin：模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。

SIMM：SigleIn-lineMemoryModule，單列內存模組。內存模組就是我們常說的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。

DIMM：DoubleIn-lineMemoryModule，雙列內存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。

RDIMM：registeredDIMM，帶寄存器的雙線內存模塊

SO-DIMM：筆記本常用的內存模組。

工作電壓：

SDR：3.3V

DDR：2.5V

DDR2：1.8V

DDR3：1.5V

ARM里的RAM和SDRAM有什么區別

RAM包括SRAM和DRAM，前者是靜態隨機存儲器，主要是依靠觸發器存儲數據，無需刷新，而后者是動態隨機存儲器，依靠MOSFET中柵電容存儲數據，需不斷刷新以補充釋放的電荷。由于單管就可以實現數據存儲，集成度可以做到更高，功耗也更低，更為主流。需要注意的是由于刷新牽涉電容的充放電過程，DRAM的存取速度不及SRAM。

至于SDRAM，為同步動態隨機存