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本文格式為Word版,下載可任意編輯——半導體物理其次章PN結習題其次章PN結
2-1.P?N結空間電荷區邊界分別為?xp和xn,利用np?ni2eV/V導出一般狀況下的
Tpn(xn)表達式。給出N區空穴為小注入和大注入兩種狀況下的pn(xn)表達式。
2-2.熱平衡時凈電子電流或凈空穴電流為零,用此方法推導方程
?0??n??p?VTlnNdNan2i。
2-3.根據修正歐姆定律和空穴擴散電流公式證明,在外加正向偏壓V作用下,PN結N側
空穴擴散區準費米能級的改變量為?EFP?qV。
2-4.硅突變結二極管的摻雜濃度為:Nd?1015cm?3,Na?4?1020cm?3,在室溫下計算:
(a)自建電勢(b)耗盡層寬度(c)零偏壓下的最大內建電場。
2–5.若突變結兩邊的摻雜濃度為同一數量級,則自建電勢和耗盡層寬度可用下式表示
12?0?2K?0?0Na?xn????
qN(N?N)2K?0(Na?Nd)aad??qNaNd(xn?xp)2?2K?0?0Nd?xp????qNa(Na?Nd)?
試推導這些表示式。
2–6.推導出線性緩變PN結的以下表示式:(a)電場(b)電勢分布(c)耗盡層寬度(d)
自建電勢。2-7.推導出N?N結(常稱為高低結)內建電勢表達式。
14?32-8.(a)繪出圖2-6a中NBC?10cm的擴散結的雜質分布和耗盡層的草圖。解釋為何耗
盡層的寬度和VR的關系曲線與單邊突變結的狀況相符。
18?3(b)對于Nm?10cm的狀況,重復(a)并證明這樣的結在小VR的行為像線性結,
在
大VR時像突變結。
2-9.對于圖2-6(b)的狀況,重復習題2-8。
2–10.(a)PN結的空穴注射效率定義為在x?0處的Ip/I0,證明此效率可寫成
IpI11??nLp/?pLn???
(b)在實際的二極管中怎樣才能使?接近1;
2-11.長PN結二極管處于反偏壓狀態,求:
(1)解擴散方程求少子分布np(x)和pn(x),并畫出它們的分布示意圖。
(2)計算擴散區內少子貯存電荷。
(3)證明反向電流I??I0為PN結擴散區內的載流子產生電流。
2-12.若PN結邊界條件為x?wn處p?pn0,x??wp處n?npo。其中wp和wn分別與
Lp與Ln具有一致的數量級,求np(x)、pn(x)以及In(x)、Ip(x)的表達式。
2–13.在P?N結二極管中,N區的寬度wn遠小于Lp,用Ipx?wn?qS?pnA(S為表面復
合速度)作為N側末端的少數載流子電流,并以此為邊界條件之一,推導出載流子和電流分布。絵出在S=0和S=?時N側少數載流子的分布形狀。
2-14.推導公式(2-72)和(2-73)。
2–15.把一個硅二極管用做變容二極管。在結的兩邊摻雜濃度分別為Na?1019以及
Nd?1015。二極管的面積為100平方密爾。
(a)求在VR?1和5V時的二極管的電容。
(b)計算用此變容二極管及L?2mH的儲能電路的共振頻率。
(注:mil(密耳)為長度單位,1mil?10?3in(英寸)?2.54?10?5m)2-16.用二極管恢復法測量P?N二極管空穴壽命。
(a)對于If?1mA和Ir?2mA,在具有0.1ns上升時間的示波器上測得ts?3ns,
求?p。
(b)若(a)中快速示波器無法得到,只得采用一只具有10ns上升時間較慢的示波器,
問怎樣才能使測量確切?表達你的結果。
?xL?2-17.PN結雜質分布Na=常數,Nd?Nd0e,導出C?V特性表達式。
2–18.若PN二極管N區寬度wn是和擴散長度同一數量級,推導小信號交流空穴分布和
二極管導納,假設在x?wn處表面復合速度無限大。
2–19.一個硅二極管工作在0.5V的正向電壓下,當溫度從25C上升到150C時,計算
電流增加的倍數。假設I?I0eV2VT???,且Io每10C增加一倍。
??
2–20.采用電容測試儀在1MHZ測量GaAsp?n結二極管的電容反偏壓關系。下面是從
0—5V每次間隔
12V測得的電容數據,以微法為單位:19.9,17.3,15.6,14.3,13.3,
12.4,11.6,11.1,10.5,10.1,9.8。計算?0和Nd。二極管的面積為4?10?4cm2。
2-21.在If?0.5mA,Ir?1.0mA條件
P?N長二極管恢復特性。得到的結果是
tS=350ns.用嚴格解和近似公式兩種方法計算?p。
2–22.在硅中當最大電場接近106V/cm時發生齊納擊穿。假設在p側Na?1015cm?3,為
要得到2V的齊納擊穿,求在N側的施主濃度,采用單邊突變近似。
2–23.(a)對于下圖中的P??v?N?二極管,假設P?和N?區不承受任何外加電壓,證明
雪崩擊穿的條件可表示為
A?m?qNvB2exp(?B?m?qBNvWi?)?1?exp(?)??12?
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