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FET:FieldEffect第九講場效應管及其放大電一、場效應四、復合（）e結型場效應符

N-柵-源電壓對導電溝道寬度的控制作溝道最 溝道變稱為夾預夾uGS＞UGS（off）且不變，VDD場效應管工作在恒流區的條件是什iiDf(uGS)場效應管工作在恒流區，因而uGS＞UGS（off）且uDS＜UGS（off） DU電和電描述u電和電iDiDf(uDS)預夾斷軌 電流擊電流 區低頻跨導

夾斷區（截止區gmUDS常量夾斷電gmUDS常量夾斷電絕緣柵型場效應

InsulatedGateFieldEffect增強型

EnhancementFourdeviceterminals:drain(D),gate(G),source(S),andbody(B)反型值反型值才襯襯空SiO2絕緣剛出現夾增強型MOS管uDS對i剛出現夾

流N 耗盡型MOSDepletion值才夾加正離在恒流區時 在恒流區時 D(U增強型MOS電電耗盡型MOS電電VerticalMOSFET++++++場效應管的分工作在恒流區時g-s、d-s間的電壓極 N溝道 ＞0，u N溝道

＞0，u

＜0，u

N溝道 uGS＜0才工作在恒流區的基本共源放大電g-間UGSQUGSQI(UUDSQVDDIDQ自給偏壓電UGQUGQ0，USQIDQUGSQUGQUSQIDQ D(1 UUDSQVDDIDQ(RdRs哪種場效應管能夠采用這種電路形式設置Q分壓式偏置電UGQR UGQR USQIDQ D(U為為什么加Rg3?其數UDSQVDDIDQ(RdRs哪種場效應管能夠采用這種電路形式設置Q場效應管的交流等效與晶體管的h參數等為其為無窮大gmUgmU UUIou i RiRo g=2mS，則 UoUogui I 1 Ri Au基本共漏放大電路RUooIRUooIoUogR∥sgR ms 則復合管的組成： 子合理連接等效成 子目的：增大β，減小前級驅動電流，改變管子iEiB1(11)(12

判斷下列各圖是否能組 RiRiRb∥

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