第3米法半電波暗室及EMI測(cè)試系統(tǒng)

學(xué)術(shù)論文

纂王介A黔霎4-試1

3米法半電波暗室及E測(cè)試系統(tǒng)MI曹瑞基1梁振光2呂惠政1_省計(jì)量科學(xué)/山東1研究院；2山東大學(xué)電氣工程學(xué)院................

本文介紹了米法半電波暗室的設(shè)計(jì)、建造及巨測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建中的問題及處理3MI方法。

關(guān)鍵詞電波暗京電磁兼容：測(cè)試系統(tǒng)：組裝式

1引言

將來(lái)標(biāo)準(zhǔn)的變化，暗室可升級(jí)到全電波暗室，再購(gòu)置部分新設(shè)備

隨著電氣、電子技術(shù)的發(fā)展，電磁兼容問題越來(lái)

越重要。國(guó)際上對(duì)產(chǎn)品的電磁兼容性能的要求越來(lái)越高，世界上許多國(guó)家和地區(qū)已對(duì)它進(jìn)行了強(qiáng)制性認(rèn)證管理，如美國(guó)按照FCC規(guī)程，歐共體實(shí)行‘E`強(qiáng)制C認(rèn)證(即電磁兼容安全認(rèn)證),凡未進(jìn)行電磁兼容檢測(cè)的產(chǎn)品和認(rèn)證不合格的產(chǎn)品已很難進(jìn)人國(guó)際市場(chǎng)。為了和國(guó)際接軌，我國(guó)也于20年S日03月1起強(qiáng)制實(shí)行

33米法半電波暗室的建設(shè)3暗室設(shè)計(jì).1作為開闊場(chǎng)地替代物的半電波暗室，其用途就是模擬開闊場(chǎng)地進(jìn)行電磁兼容測(cè)試，它的性能應(yīng)能達(dá)到開闊場(chǎng)地的一些技術(shù)指標(biāo)。對(duì)于半電波暗室性能指標(biāo)的評(píng)價(jià)主要有三項(xiàng)：屏蔽效能、歸一化場(chǎng)地衰減和場(chǎng)地均勻度。

了包括電磁兼容在內(nèi)的“C3認(rèn)證，未獲得3認(rèn)證的C電下電子產(chǎn)品不得銷售，進(jìn)口和使用。山東省作為一個(gè)經(jīng)濟(jì)大省，擁有海爾、海信、浪潮、東方電子等一批全國(guó)著名家電和信息技術(shù)設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)，迫切需要電磁兼容檢測(cè)能力。山東省計(jì)量科學(xué)研究院作為第三方公正機(jī)構(gòu)開展了電磁兼容的測(cè)試、認(rèn)證工作，而電磁兼容測(cè)試及認(rèn)證離不開電波暗室，本文將介紹其構(gòu)建3米法電波暗室及E測(cè)試系統(tǒng)的情況。MI2總體規(guī)劃

計(jì)量院3米法電波暗室的屏蔽效能指標(biāo)要求見表1

表1暗室的屏蔽效能最低要求

.目陣婦..峨翻..頤.翹..留Ik.oHOB_8d1kzOH0d1-l0B10zH0B0k31d010zH0B0k1d0IzMH0d710BIZMH0dl0B10z-0B0MHd,1040z0B0MHd101HOGz,W-OIGH0BzOdl01GH

0d8z1-1OB

電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目繁多，對(duì)于不同的試驗(yàn)?zāi)康暮?/p>

對(duì)象，實(shí)驗(yàn)室的環(huán)境要求和儀器設(shè)備的配置也有所不同。因此，必須首先確定服務(wù)對(duì)象、測(cè)試項(xiàng)目、資金投人等內(nèi)容，才能決定實(shí)驗(yàn)室規(guī)模、測(cè)試場(chǎng)地及儀器配置等問題。山東省計(jì)量科學(xué)研究院根據(jù)山東省經(jīng)濟(jì)一和產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r，確定覆蓋家用電器、信息技術(shù)設(shè)備、金融及貿(mào)易結(jié)算設(shè)備、計(jì)量產(chǎn)品、低壓電器、實(shí)驗(yàn)室用電子儀器等產(chǎn)品的電磁騷擾和抗擾度試驗(yàn)?zāi)芰?，本著?jīng)濟(jì)適用的原則，規(guī)劃建設(shè)符合

磁場(chǎng)電場(chǎng)磁場(chǎng)電場(chǎng)磁場(chǎng)電場(chǎng)平面波平面波微波微波微波

半電波暗室狀態(tài)歸一化場(chǎng)衰減，測(cè)試區(qū)域?yàn)?米直徑、2米高圓柱體，位于轉(zhuǎn)臺(tái)上方位置。3MH至0z1H歸一化場(chǎng)衰減測(cè)試曲線必須不偏離ASC3GzNI.64

20理論值、IRN07201CS1P651pt和E4a場(chǎng)地衰減值士r35B.d

AS3(B24E60-3B12.國(guó)際標(biāo)N1.G95)C14(/76)64和I0-GT63準(zhǔn)的3米法半電波暗室，并充分利用現(xiàn)有的檢測(cè)設(shè)備和裝置，測(cè)試產(chǎn)品的最大尺寸為1mxmxm?？紤]到.225

場(chǎng)地均勻度測(cè)試，應(yīng)保證依據(jù)E600-A標(biāo)N0-3l14+準(zhǔn)，在距地0m、尺寸為1m1m的垂直面內(nèi)場(chǎng)均.8.x5.5

勻性一B},O-測(cè)量頻率范圍2Mz1H.d606H-8zG

1.絞刊Ni4/0m一號(hào)C94-2T1s

并八彩限}:r〕err}-sa,r,

學(xué)術(shù)論文面的平整及接縫的屏蔽處理效果、反射地面的平整度、吸波材料安裝基板的平整度及水平度和垂直度、鐵氧體貼片拼裝縫隙、粘貼的牢固程度等方面的技術(shù)

上滲針圣劉試整個(gè)暗室包括電波暗室和屏蔽控制室2個(gè)主體部

分，其外尺寸分別為9m.xm.x.xm.和4m4646003mm。電波暗室由兩部分構(gòu)成，一是屏蔽室，.x.130

將測(cè)試場(chǎng)地封閉起來(lái)，防止外部的電磁騷擾進(jìn)人，以提供一個(gè)無(wú)電磁污染的環(huán)境；二是吸波材料，置于暗室的內(nèi)壁，吸收被測(cè)設(shè)備發(fā)射的電磁波，以消除墻壁對(duì)電磁波的反射。屏蔽體采用組合式，用2mm鍍鋅鋼板組成，利用內(nèi)螺釘聯(lián)結(jié)方式。采用高架地板，反射地面為均勻厚度2m的熱度鋅鋼板，并與墻體良好電m

要求，采

取有效措施加以控制，保證設(shè)計(jì)要求。

3管理監(jiān)督.3在暗室設(shè)計(jì)和建造過程中，要做好與生產(chǎn)廠家和施工單位聯(lián)絡(luò)、溝通，就其中的技術(shù)細(xì)節(jié)協(xié)調(diào)好各自的責(zé)任，在施工過程的每一個(gè)階段查看協(xié)議的執(zhí)行情

況，做階段性測(cè)試和最終測(cè)試，及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題、解決問題，以保證能最終驗(yàn)收合格。4M測(cè)試系統(tǒng)配置EI電磁兼容測(cè)試除了需要電波暗室等試驗(yàn)場(chǎng)地外，

接且承大0km。波料用強(qiáng)觸，重于10/吸材采增型，0g2頻率范圍8MH-8H,符合防火標(biāo)準(zhǔn)，常溫下無(wú)異0z1Gz味、無(wú)毒氣，綠色環(huán)保，安裝后不發(fā)生脫落變形和內(nèi)

部顆粒外逸，鐵氧體貼片頻率范圍6H-Ha2Mz1Gz.2除屏蔽體外，影響屏蔽效能的因素還有屏蔽門、

還需要配備必要的測(cè)試設(shè)備。構(gòu)建測(cè)試系統(tǒng)時(shí)，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目、資金情況及今后的擴(kuò)展可以有多種選擇。在進(jìn)行測(cè)試時(shí)技術(shù)人員也應(yīng)根據(jù)各類產(chǎn)品的特點(diǎn)，就電磁騷擾空間及頻率特性進(jìn)行分析，確定最佳測(cè)試方案。

波導(dǎo)窗、濾波器等。對(duì)于屏蔽門，安裝一扇1米x.52米的氣動(dòng)門和一扇0米x米的手動(dòng)門，采取雙簧.0.92.0寬邊、單葉旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，內(nèi)粘吸波材料，以保證良好的

吸波和屏蔽性能。對(duì)于波導(dǎo)窗，設(shè)計(jì)其截止頻率范圍

為1-0H,OH2Gz安裝多組，kz使暗室空氣更換頻率為2小時(shí)。濾波器安裝在電波暗室屏蔽體外墻，次/用于阻斷通過電纜線的電磁騷擾傳輸通道，有電源濾波器和

41設(shè)備配置.本單位根據(jù)輻射電磁騷擾測(cè)量和覆蓋產(chǎn)品類要

求，置徑m轉(zhuǎn)最承0k,位度配直2的臺(tái)，大重10定精0g士0,1采用光纖控制；配置電動(dòng)天線升降塔，掃描高度I-m,定位精度優(yōu)于土l4cm,采用光纖控制；選用

信號(hào)濾波器。電源濾波器性能要求，在頻率為lH時(shí)Ozk插人損耗大于6d、在10kz0B00H時(shí)大于10B0d、高至1Gz8H