ICS29045

H80.

中華人民共和國有色金屬行業標準

YS/T985—2014

硅拋光回收片

Polishedreclaimedsiliconwafers

2014-10-14發布2015-04-01實施

中華人民共和國工業和信息化部發布

YS/T985—2014

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準修改采用硅拋光回收片規范本標準與相比存在技術

SEMIM38-0307《》,SEMIM38-0307

性差異這些差異涉及的條款已通過在其外側頁邊空白位置的垂直單線進行了標識內容與

,(|)。

的主要差別在于

SEMIM38-0307:

僅采用了中關于和硅拋光回收片的內

———SEMIM38-0307100mm、125mm、150mm200mm

容刪除了原標準中關于和直徑的硅拋光回收片內容包括附錄

,50.8mm、76.2mm300mm(

和附錄

12)。

將中表和表中關于和硅拋光回收

———SEMIM38-030712100mm、125mm、150mm200mm

片的規范合并形成本標準中的表

,1。

根據我國標準編寫的習慣進行排版并將技術要求表格提前

———,。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準負責起草單位浙江金瑞泓科技股份有限公司

:。

本標準參加起草單位有研半導體材料股份有限公司杭州海納半導體有限公司萬向硅峰電子股

:、、

份有限公司上海合晶硅材料有限公司

、。

本標準主要起草人何良恩劉丹許峰張海英孫燕曹孜王飛堯樓春蘭徐新華

:、、、、、、、、。

Ⅰ

YS/T985—2014

硅拋光回收片

1范圍

本標準規定了硅拋光回收片的要求檢驗方法檢驗規則標志包裝運輸貯存質量證明書和訂

、、、、、、、

貨單或合同內容

()。

本標準適用于用戶提供的或來源于第三方的硅回收片主要包括和

(100mm、125mm、150mm

單面或雙面拋光硅片未拋光硅片或外延硅片經單面拋光制備的硅拋光片產品主要用于機

200mm、)。

械爐處理顆粒和光刻中的監控片另外使用方需注意硅回收片的熱歷史體沾污和表面沉積物

、、。,、

情況

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法

GB/T1558

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅單晶

GB/T12962

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

GB/T14144

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921