標準解讀

《YS/T 840-2012 再生硅料分類和技術條件》是一項針對再生硅材料的標準，主要規定了這類材料的分類方法及其技術要求。該標準適用于以廢棄硅片、邊角料等為原料，經過處理后可再利用于光伏產業或其他相關領域的硅材料。

根據此標準，再生硅料依據其純度及物理特性被分為不同等級，每個等級對應著特定的應用范圍。例如，某些高純度級別的再生硅料適合用于制造太陽能電池板的核心組件，而較低純度級別的材料則可能更適合其他非關鍵性應用。

對于技術條件部分，標準詳細列舉了對各種級別再生硅料的具體要求，包括但不限于雜質含量的最大限值、尺寸規格以及外觀質量等方面的規定。這些要求旨在確保所有符合標準的產品都能達到一定的性能水平，從而保證最終產品的質量和可靠性。


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....

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  • 2012-11-07 頒布
  • 2013-03-01 實施
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文檔簡介

ICS7715099

H68..

中華人民共和國有色金屬行業標準

YS/T840—2012

再生硅料分類和技術條件

Classificationandtechnicalspecificationforrenewablecrystalsilicon

2012-11-07發布2013-03-01實施

中華人民共和國工業和信息化部發布

中華人民共和國有色金屬

行業標準

再生硅料分類和技術條件

YS/T840—2012

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

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年月第一版

20131

*

書號

:155066·2-24295

版權專有侵權必究

YS/T840—2012

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位西安隆基硅材料股份有限公司

:。

本標準主要起草人李振國鐘寶申趙可武張群社

:、、、。

本標準系首次發布

。

Ⅰ

YS/T840—2012

再生硅料分類和技術條件

1范圍

本標準規定了再生硅料的技術條件及分類測試方法檢驗規則以及包裝標志運輸貯存訂貨

、、、、、、

單等

。

本標準適用于從生產加工使用過程中產生的可回收利用的硅料來源包括用于生產太陽能級硅

、、,

晶體的除過碳的碳極多晶硅碳頭料晶體硅頭尾料邊皮料堝底料晶體硅樣塊原生型廢硅片等

()、、、、、。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

半導體材料術語

GB/T14264

硅單晶中族雜質的光致發光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

酸浸取原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物

GB/T24579

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質

GB/T24582-

用高分辨率輝光放電光譜測定法測定太陽能級硅中的痕量元素

SEMIPV1

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

碳極多晶硅碳頭料carbonendspolysilicon

()

在多晶硅生產過程中包圍在型多晶硅棒的碳極周圍沾連有石墨的不規則形狀多晶硅料

,U,。

32

.

單晶硅頭尾料monocrystallinetopandtail

在拉制單晶硅棒過程中形成的頭尾圓錐體也包括拉制單晶失敗產生的多晶硅棒和位錯單晶

。。

33

.

堝底料potscrap

在拉制單晶硅棒的過程中殘留在石英坩堝中的硅料

,。

34

.

晶體硅樣塊testsiliconmaterial

在晶體硅棒的檢測和評估中作為測試用的樣塊

。

35

.

原生型廢硅片bro

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