標準解讀

《YB 1601-1983 硅多晶》是一項關于硅多晶材料的技術標準，由當時的冶金工業部提出并負責起草。該標準主要規定了用于半導體器件制造的硅多晶的技術要求、試驗方法、檢驗規則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內容。

根據標準，硅多晶按照電阻率的不同被分為多個等級，每個等級對應著特定的應用領域。例如，高純度的硅多晶適用于制備高性能的半導體元件，而較低純度的產品則可能被用于太陽能電池板等對材料純度要求相對不那么嚴格的應用場合。

對于硅多晶的質量控制，本標準詳細列出了包括外觀質量（如表面缺陷）、尺寸偏差在內的物理性能指標；同時也涵蓋了電學性質如電阻率的具體數值范圍及其測量方法。此外，還指定了通過拉伸試驗來評估材料力學性能的要求，并且提供了有關樣品準備、測試條件等方面的指導信息。

在檢測過程中，除了上述提到的基本物理化學性質外，《YB 1601-1983》還特別強調了雜質元素含量分析的重要性，因為這些微量雜質的存在會直接影響到最終產品的性能表現。因此，標準中給出了使用光譜法或其他適當手段進行定量測定的具體操作步驟。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 1983-08-18 頒布
  • 1984-10-01 實施
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YB中華人民共和國治金工業部部標準YB1601-83硅務1983-08-18發布1984-10-01實施中華人民共和國治金工業部批準

中華人民共和國治金工業部標多YB1601-83中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100X45htp://電話：(01051299090、685220061984年11月第一版書號，1151692-5584版權專有浸權必究舉報電話：（010）68522006

中華人民共和國治金工業部部標準YB1601-83硅品本標準適用于三氯氫硅、四氯化硅氫還原法和硅燒熱分解法制取的棒狀高純硅多品技術要求1.1硅多晶技術參數指標應符合下表規定。一級特級品二級品級品三級品二結晶致密，表面較平整，，斷面無夾層表面及斷面狀態結晶致密，裘面較平整，無氧化夾層直徑，m加二25二25二25二25直徑允許偏差，%+5+5士5全5基硼電阻率，R·m二4500二2600二1500二1000N型電阻宰，9·mn二450>150二300二60N型少數軟流子壽命，s二500二300>150二100含碳量，個原子/cm°<2×100<5×1010<5×1010含氧量，個原子/cm°<1×1010<5×10！<5×101注：○基硼電阻率和殯、氧含最為保證值。生產廠應經常進行基硼電阻率的檢測。每年定期進行碳、氧含量的分新。QN型少數載流子壽命值系指氫氣下檢驗工藝測試的壽命值。“需方如有特珠要求，供需雙方可另行協議。2試驗方法和檢驗規購2.1試驗方法2.1.1導電類型測試按GB1550一79*硅單品導電類型測定方法》進行。2.1.2N型少數載流子壽命測試按GB1553—7《高頻光電導衰誠方法》進行，取其縱向中間部位所測得的壽命值。2.1.3P型、N型電阻率測試按GB1552-79《硅單晶電阻率直流器探針測量方法》進行。2.1.4含氧量、含碳量的測試分別按GB1557—83“硅單品中間隙氧含量的紅外吸收方法》及GB1558一83《硅單品中代位碳含量的紅外吸收方法》進行。2.1.5裘面狀態用肉眼檢查。2.1.6斷面狀態檢驗按GB4061一83《硅多品的斷面夾層化學腐蝕檢驗方法》進行.2.1.7直徑用游標卡尺測量.直徑及其偏差測量位置（系指同一支多品棒）如下圖所示。直徑允許偏登的規定僅適用于區熔法用的硅多品。2.2檢驗規則2.2.1產品應由供方技術監督部門進行驗收，保證產品符合本標準要求，并填寫產品質量證明書。2.2.2需方可對收到的產品進行質量檢驗，如檢驗結果與本標準規定不符時，可在收到產品之

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