第三章(2) 失效機理_第1頁
第三章(2) 失效機理_第2頁
第三章(2) 失效機理_第3頁
第三章(2) 失效機理_第4頁
第三章(2) 失效機理_第5頁
已閱讀5頁，還剩5頁未讀， 繼續免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

第三章失效機制3.6電過應力靜電泄放（ESD）電遷徙天線效應閂鎖效應閘流效應的控制防止和控制閘流效應需要從生產工藝和版圖設計兩方面著手。通常所采取的措施，其目標基本都是減小寄生晶體管的電流增益β和降低寄生晶體管的基射極分流電阻Rw、Rs。①減小β值：增加橫向PNP管的基極寬度，減小其電流放大倍數βpnp。②采用偽收集極：如圖所示，在P-阱和P+之間加一個接地的，由P-和P+組成的區域。它可以收集由橫向PNP管發射極注入進來的空穴。這就阻止了縱向NPN管的基極注入，從而有效地減少PNP管的電流放大倍數βpnp。③采用保護環 保護環可以有效地降低橫向電阻和橫向電流密度。同時，由于加大了P-N-P管的基區寬度使βpnp下降。④隨著亞微米技術的應用，集成度越來越多，對控制閘流效應提出了更高的要求，目前廣泛采用的是挖隔離溝的辦法解決閘流效應問題。即用氧化絕緣層的壕溝（trench）將阱與襯底隔開。使PNPN通路完全消失，這自然增加

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論