第1章半導體器件1.2半導體二極管1.3硅穩壓二極管1.4半導體三極管

*1.5絕緣柵場效應管1.1半導體的基礎知識*1.6電力半導體器件電子技術緒論導體——阻抗小，施壓后電流很容易流過絕緣體——阻抗大，施壓后電流很難流過半導體——導電能力介于二者之間為什么半導體在現代電子技術中得到廣泛應用？導電能力的可控性！！！可改變其阻抗1948貝爾實驗室WilliamSchockley WalterBratlen JohnBardeen

晶體管 SolidStatedevice12年后，應用于商業、民用1960開始蓬勃發展，多種器件面世，如 FET LED光電器件

半導體傳感器1959RobertNoyce集成電路IntegratedCircuit(IC) DiscreteComponents分立器件今天，半導體的應用極為廣泛半導體發展簡史一1963~65，中國半導體發展簡史二

在熱力學溫度零度和沒有外界激發時,本征半導體不導電。

把純凈的具有共價鍵結構的半導體單晶稱為本征半導體。它是共價鍵結構。本征半導體的共價鍵結構硅原子價電子1.1.1本征半導體+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1半導體的基礎知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子空穴本征激發復合在常溫下自由電子和空穴的形成成對出現成對消失+4+4+4+4+4+4+4+4+4外電場方向

空穴導電的實質是共價鍵中的束縛電子依次填補空穴形成電流。故半導體中有電子和空穴兩種載流子。

空穴移動方向

電子移動方向

在外電場作用下，電子和空穴均能參與導電。價電子填補空穴+4+4+4+4+4+4+4+41.1.2雜質半導體1.N型半導體在硅或鍺的晶體中摻入少量的五價元素,如磷,則形成N型半導體。

磷原子+4+5多余價電子自由電子正離子

N型半導體結構示意圖少數載流子多數載流子正離子在N型半導中,電子是多數載流子,

空穴是少數載流子。+4+4+4+4+4+4+4空穴2.P型半導體

在硅或鍺的晶體中摻入少量的三價元素,如硼,則形成P型半導體。

+4+4硼原子填補空位+3負離子

P型半導體結構示意圖電子是少數載流子負離子空穴是多數載流子在P型半導中,電子是少數載流子,

空穴是多數載流子。P區N區1.PN結的形成

用專門的制造工藝在同一塊半導體單晶上,形成P型半導體區域和N型半導體區域,在這兩個區域的交界處就形成了一個PN結。N區的電子向P區擴散并與空穴復合P區的空穴向N區擴散并與電子復合空間電荷區內電場方向1.1.3PN結多子擴散少子漂移內電場方向空間電荷區P區N

區

在一定的條件下，多子擴散與少子漂移達到動態平衡，空間電荷區的寬度基本上穩定下來。

空間電荷區不存在載流子，因而不能導電。內電場方向E外電場方向R2.PN結的單向導電性P型半導體外電場驅使P型半導體的空穴進入空間電荷區抵消一部分負空間電荷N型半導體電子進入空間電荷區抵消一部分正空間電荷a.外加正向電壓N型半導體內電場方向E外電場方向RI空間電荷區變窄

擴散運動增強，形成較大的正向電流a.外加正向電壓P型半導體N型半導體內電場方向ER空間電荷區變寬外電場方向IR外電場驅使空間電荷區兩側的空穴和自由電子移走少數載流子越過PN結形成很小的反向電流多數載流子的擴散運動難于進行b.外加反向電壓P型半導體N型半導體1、PN結加正向電壓：PN結所處的狀態稱為正向導通，其特點：PN結正向電流大，PN結電阻小。相當于開關閉合SPN結的單向導電性：2、PN結加反向電壓：PN結所處的狀態稱為反向截止，其特點：PN結反向電流小，PN結電阻大。相當于開關打開

正極引線觸絲N型鍺支架外殼負極引線點接觸型二極管1.2.1二極管的基本結構二極管的符號正極負極1.2

半導體二極管

正極引線二氧化硅保護層P型區負極引線面接觸型二極管N型硅PN結PN結600400200–0.1–0.200.40.8–50–100ID

/mAUD/V正向特性反向擊穿特性硅管的伏安特性1.2.1二極管的伏安特性反向特性死區電壓ID/mAUD/V0.40.8–40–80246–0.1–0.2鍺管的伏安特性正向特性反向特性0死區電壓+

UD

–IDID=f（UD）600400200–0.1–0.200.40.8–50–100ID

/mAUD/V正向特性反向擊穿特性硅管的伏安特性反向特性死區電壓對于理想二極管鍺管正向壓降0.2--0.3V硅管正向壓降0.5--0.7VR-+USIDDUD-+R-+USIDD正向特性：二極管加正向電壓600400200–0.1–0.200.40.8–50–100ID

/mAUD/V正向特性反向擊穿特性硅管的伏安特性反向特性死區電壓對于理想二極管R-+USDUD-+R-+USIRD反向特性：二極管加反向電壓實際二極管的分析模型ID

/mAUD

/V理想二極管模型正向導通壓降=0ID

/mAUD

/V正向導通壓降鍺管0.2--0.3V，常取0.2V硅管0.5--0.7V，常取0.6V使用條件：正向壓降不能忽略時正向導通壓降+--等效電路1.2.3二極管的主要參數最大整流電流IOM

最大整流電流是指二極管長時間使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。反向工作峰值電壓URWM

它是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是反向擊穿電壓的一半或三分之二。反向峰值電流IRM

它是指二極管上加反向工作峰值電壓時的反向電流值。

二極管的應用范圍很廣,它可用于整流、檢波、限幅、元件保護以及在數字電路中作為開關元件。DE3VRuiuouRuD

例：下圖是二極管限幅電路，D為理想二極管，ui

=6sintV，

E=3V，試畫出

uo波形。t

ui

/V6330t

uo/V022–6uR？1.二極管限幅1.2.2二極管的主要應用t

6302雙向限幅電路t03–3DE3VRDE3VuiuouRuD

ui

/Vuo/V–3uototototo23uou2u2u1uDioioRLT232U22U22U2Im2233uDD第4章4.12.二極管整流將交流電變成直流電稱為整流。（1）單相半波整流電路UouOt0ttt23uOu2u2u1uDuDiOiODRLT232U22U22U2Im2233UO=0.45U2電路計算000u2=2U2sintuO的電壓平均值：UO=0.45U2uO的電壓平均值：負載

的電流平均值：截止時二極管所承受的最高反向電壓為：（2）單相橋式整流電路

整流電路中最常用的是單相橋式整流電路它由四個二極管D1D4接成電橋的形式構成。RLAu2u1uo+D1D2D4D3B++iOt0uot0u20tuDuD2、uD4uD1、uD3ioRLAu2u1uo+D1D2D4D3B++

在u2的正半周，D1和D3導通，D2和D4截止(相當于開路)。ioRLAu2u1uo++D1D2D4D3B–+

在u2的負半周，D2和D4導通,D1和D3截止(相當于開路)，

在一個周期內，通過電阻的電流方向相同，在負載上得到的是全波整流電壓uo。工作原理Uototototo2323Im2233uD1uD3uD4uD2uOuuDiO

由于二極管的正向壓降很小，因此可認為uO的波形和u的正半波是相同的。輸出電壓的平均值為

式中U2是變壓器副方交流電壓u2的有效值。

截止管所承受的最高反向電壓為UO=0.9U2每個二極管通過的平均電流下圖是單相橋式整流電路的簡化畫法+uoRLio~+u例已知負載電阻RL=80,負載電壓UO=110V。今采用單相橋式整流電路，交流電源電壓為380V。（1）如何選用晶體二極管？（2）求整流變壓器的變比及容量。解（1）負載電流每個二極管通過的平均電流變壓器副邊電壓的有效值為整流橋符號

考慮到變壓器副繞組及管子上的壓降，變壓器副邊的電壓大約要高出10%，即1221.1=134V。于是

因此可選用，其最大整流電流為1A，反向工作峰值電壓為300V晶體二極管。（2）變壓器的變比及容量變壓器的變比變壓器副邊電流的有效值為變壓器的容量為可選用BK300（300V?A），380/134V的變壓器。半波整流電容濾波電路的外特性估算公式:

UO=1.0U2

2UDRM=2U2注意:t0232U2u2Io

Uo2U20.45U20濾波后輸出電壓uo的波形變得平緩,平均值提高。uO（1）電容濾波3.濾波電路

二極管導通時給電容充電,二極管截止時電容向負載放電uou2uDioDRLTu1C半波整流電容濾波電路tuO2U2''UO=1.2U22U2IO

UO0.9U20.45U2全波整流電容濾波電路的外特性00uoRLC+uCu2u1+++io放電時間常數

=RLC越大,脈動越小,輸出電壓平均值越高,一般要求全波整流電容濾波電路例有一單相橋式電容濾波整流電路，已知交流電源頻率f=50Hz,負載電阻RL=200,要求直流輸出電壓UO=30V,選擇整流二極管及濾波電容器。解（1）選擇整流二極管流過二極管的電流取UO=1.2U2,所以變壓器副邊電壓的有效值RLC1u2u1++型電容濾波整流電路++C2R（2）選擇濾波電容器選用C=250F，耐壓為50V的極性電容器二極管所承受的最高反向電壓

因此可選用二極管，其最大整流電流為100mA，反向工作峰值電壓為50V。（2）電感濾波電感濾波電路uoRLLu2u1+++iotuo0

由于電感的感抗XL＝L，對直流分量XL＝0，電感視為短路。對于交流分量頻率越高，XL越大，因此直流分量通過電感線圈全部輸出到負載上，而交流分量在電感線圈上產生較大壓降，而被濾掉，使負載上得到較平緩的輸出電壓，電感L越大，濾波效果越好。若忽略電感線圈電阻，輸出電壓為Uo＝0.9U21.3硅穩壓二極管

穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管。其表示符號如下圖所示。

穩壓管工作于反向擊穿區。從反向特性曲線上可以看出，反向電壓在一定范圍內變化時，反向電流很小。當反向電壓增高到擊穿電壓時，反向電流突然劇增，穩壓管反向擊穿。此后，電流雖然在很大范圍內變化，但穩壓管兩端的電壓變化很小。利用這一特性，穩壓管在電路中能起到穩壓作用。1.3.1硅穩壓二極管的伏安特性DZI/mAU/V0UZIZIZmax+正向+反向UZIZUZminIZmin1.穩定電壓UZUZ是穩壓管反向擊穿后，穩壓管兩端的穩壓值。不同型號的穩壓管具有不同的穩壓值，同一型號穩壓管的穩壓值也略有差別。1.3.2穩壓二極管的主要參數4.動態電阻RzrZ是穩壓管在工作區電壓變化量UZ與電流變化量IZ的比值，即：

2.最小穩定電流IZminIZmin是保證穩壓管具有正常穩壓性能的最小工作電流，當穩壓管的反向電流小于IZmin時，穩壓管尚未擊穿，穩出電壓不穩定。3.最大穩定電流IZmaxIZmax是穩壓管允許流過的最大工作電流。動態電阻越小，反向伏安特性曲線越陡，穩壓性能越好。1.3.3穩壓二極管穩壓電路RLCRIRIZDZIo+Uo+Ui~++U2

引起電壓不穩定的原因是交流電源電壓的波動和負載電流的變化,下面分析在這兩種情況下的穩壓作用。

（1）當交流電源電壓增加而使整流輸出電壓Ui隨著增加時，負載電壓Uo也要增加。Uo即為穩壓管兩端的反向電壓。當負載電壓Uo稍有增加時，穩壓管的電流IZ就顯著增加，因此限流電阻R上的壓降增加，以抵償Ui的增加，從而使Uo保持近似不變。UoRL不變：u2UiUoIZIRUR限流電阻TRLCUiUZIZDZUou2Iou1u2不變：RLIRUOURIZUoURIRIO（2）當電源電壓保持不變，而負載電流增大時，電阻R上的壓降增大，負載電壓Uo因而下降。只要Uo下降一點，穩壓管電流IZ就顯著減小，使通過電阻R的電流和電阻上的壓降保持近似不變，因此負載電壓Uo也就近似穩定不變。RIR

選擇穩壓管時一般取：UZ=Uo，Ui=(2~3)Uo，Izmax=(2~3)Iomax穩壓管穩壓電路結構簡單，但輸出電流較小，輸出電壓不能調節，通常適用于小電流，固定輸出電壓，負載變化不大，穩壓精度要求不高的場合（1）在穩壓電路中，穩壓管為反接；（2）使用穩壓管時必須串聯限流電阻。注意：例

穩壓管穩壓電路，負載電阻由開路變到500，要求輸出電壓Uo＝6V，試求Ui，U2

，UZ、IZmax。IZmax=(2~3)Iomax=(2~3)12=24~36mAUZ=Uo=6V[解]Ui＝（2~3）Uo＝（2~3）6＝12~18V1.4.1半導體三極管的結構1.4半導體三極管集電區集電結基區發射結發射區集電極C基極B發射極ENNPECB符號NPN型三極管集電區集電結基區發射結發射區集電極C發射極E基極BNNPPNPNP型三極管

CBE符號制造三極管的工藝要求：1.基區必須很薄，且摻雜濃度最低2.發射區的摻雜濃度遠大于基區的摻雜濃度3.集電區比發射區體積大且摻雜濃度低ECRCIC

UCECEBUBE共發射極接法放大電路1.4.2

三極管的電流放大狀態1.三極管的電流放大狀態（1）發射結正向偏置（加正向電壓）；（2）集電結反向偏置（加反向電壓）。EBRBIBNPN型三極管:UBE

>0UBC

<

0即

VC>

VB>

VE通常NPN型硅管的發射結電壓UBE=0.6V~0.7V，PNP型鍺管的發射結電壓UBE=-0.2V~-0.3V。IEECRCIC

UCECEBUBE共發射極接法放大電路三極管具有電流控制作用的外部條件:（1）發射結正向偏置；（2）集電結反向偏置。對于PNP型三極管應滿足:EBRBIBIE即

VC

<VB

<

VEUBC

>0UBE<

01.三極管的電流放大狀態CBE三極管的電流放大示意圖UCCUBBRCRBNNPIEICIB電子發射區向基區擴散電子電子在基區擴散與復合集電區收集電子電子流向電源正極形成IC電源負極向發射區補充電子形成

發射極電流IE電源正極拉走電子，補充被復合的空穴，形成IB

由于基區很薄,摻雜濃度又很小,電子在基區擴散的數量遠遠大于復合的數量。所以：IC>>IB同樣有:IC>>

IB所以說三極管具有電流控制作用,也稱之為電流放大作用。電流關系：IE=IB+ICECRCIC

UCECEBUBEEBRBIBIEIC=IB直流電流放大系數

=

IC

IB交流電流放大系數

（1）

UBE

>0，

UBC

<

0（2）IC=IB條件特征（1）發射結正向偏置；（2）集電結反向偏置。ECRCIC

UCECEBUBEEBRBIBIE1.三極管的電流放大狀態

集電結、發射結均反向偏置，即UBE<0（1）IB增加時，IC基本不變，且IC

UC/RC

（2）UCE0

晶體管C、E之間相當于短路即UCE<

UBE

（1）

IB=0、IC

0（2）

UCE

EC晶體管C、E之間相當于開路條件特征（1）發射結正向偏置；（2）集電結正向偏置。條件特征2.三極管的飽和狀態ECRCIC

UCECEBUBEEBRBIBIE3.三極管的截止狀態IBUBE0UCE

≥

1V死區電壓1.三極管的輸入特性IB

=f(UBE)UCE=常數1.4.3三極管的特性曲線EC輸出回路輸入回路公共端RCIC

UCECEBUBEEBRBIBIEIB

=40μAIB

=60μAUCE

0IC

IB增加IB

減小IB

=20μAIB=

常數IC

=f

(UCE)2.三極管的輸出特性IC

/mAUCE

/V0放大區三極管輸出特性上的三個工作區IB=

0μA20μA40μA截止區飽和區60μA80μAUCE小IC小（1）發射結正向偏置；（2）集電結反向偏置。

VC

>

VB

>

VE且IC=

IB3三極管的三個區對應三極管的三種工作狀態

集電結、發射結均反向偏置，即UBE<0

UCE=UCC-RCIC，且ICS

UC/RC

UCE0

晶體管C、E之間相當于短路，即UCE<

UBE

IB=0、IC

0UCE

EC晶體管C、E之間相當于開路發射結集電結均正向偏置；三極管的飽和區對應三極管的飽和狀態三極管的截止區對應三極管的截止狀態三極管的放大區對應三極管的放大狀態（NPN型三極管）IB增加時，IC基本不變，1.4.4三極管的主要參數1.電流放大系數

(1)直流電流放大系數

(2)交流電流放大系數

=

IC

IB

2.穿透電流ICEO

3.集電極最大允許電流ICM

4.集--射反向擊穿電壓U(BR)CEO

5.集電極最大允許耗散功率PCM極限參數使用時不允許超過!

=

IC

IBIC=ICEO+IB溫度對三極管參數的影響溫度升高，UBE減小；

β增大

ICEO增大60μA0

20μA1.52.3在輸出特性上求

,

=IC

IB

=1.5mA40μA=37.5

=IC

IB

=2.3–1.5(mA)60–40(μA)=40設UCE=6V,IB由40μA增加為60μA

。IC

/mAUCE

/VIB

=40μA6討論如何根據三極管的各極電位判斷其好壞？E3.5v4vR1R23v-6vBC3.5v(1)分析：

R1、R2兩端有電位差，則發射結導通，但VB=VE，UEB=0，知發射結已擊穿或短路。第1章1.4（2）CEB0v12v3v3vR分析：

因UBE=3v，顯然發射結已損壞而斷路第1章1.4（3）BEC-9.2v-3v-1.5v分析：UBE=VB-VE=-9.2-(-1.5)=-7.7v反偏且VC>VB

集電結也反偏所以三極管工作在截止狀態第1章1.4

三極管在小信號(微變量)情況下工作時,可以在靜態工作點附近的小范圍內用直線段近似地代替三極管的特性曲線,三極管就可以等效為一個線性元件。這樣就可以將非線性元件三極管所組成的放大電路等效為一個線性電路。線性化思路——泰勒級數1.4.5三極管的微變等效電路則變化量之間是線性關系1三極管的微變等效電路OIB

UBE

UCEIB

QIBUBE在晶體管的輸入特性曲線上，將工作點Q附近的工作段近似地看成直線，當UCE為常數時，UBE與IB之比稱為晶體管的輸入電阻，在小信號的條件下，rbe是一常數，由它確定ube和ib之間的關系。因此，晶體管的輸入電路可用rbe等效代替。1.4.5三極管的微變等效電路低頻小功率晶體管輸入電阻的常用下式估算rbe是對交流而言的一個動態電阻。QIC

UCE

IBICICUCE晶體管輸出特性曲線的線性工作區是一組近似等距離的平行直線，當UCE為常數時，IC與IB之比即為晶體管的電流放大系數，在小信號的條件下，是一常數，由它確定ic受ib的控制關系。因此，晶體管的輸出電路可用一受控電流源ic=ib等效代替。QIC

UCE

IBICICUCEUCE晶體管的輸出特性曲線不完全與橫軸平行，當IB為常數時，UCE與IC之比稱為晶體管的輸出電阻，在小信號的條件下，rce也是一常數，在等效電路中與

ib并聯，EBCrceicrbe

ibib+uce+ubeCBE+ube+uceicibT由以上分析可得出晶體管的微變等效電路由于rce的阻值很高，可以將其看成開路。EBCicrbe

ibib+uce+ube––EBCicrbe

ibib+uce+ube––ieSiO2結構示意圖1.5.1

絕緣柵場效應管的基本結構P型硅襯底源極S柵極G漏極D1.5

絕緣柵型場效應管襯底引線BN+N+DBSG符號1.

N溝道增強型

場效應管分為增強型和耗盡型，導電溝道分為P溝道和N溝道。N溝道載流子為電子，P溝道載流子為空穴。SiO2結構示意圖1.5.1

絕緣柵場效應管的基本結構N型硅襯底源極S柵極G漏極D1.5

絕緣柵型場效應管襯底引線BP+P+DBSG符號2.

P溝道增強型結構示意圖P型硅襯底源極S漏極D柵極G襯底引線B耗盡層3.N溝道耗盡型N+N+正離子N型溝道SiO2DBSG符號

制造時,在二氧化硅絕緣層中摻入大量的正離子，形成原始導電溝道。GDBS符號P溝道耗盡型N溝道耗盡型SiO2結構示意圖P型硅襯底耗盡層襯底引線BN+N+SGDUDSID

=0D與S之間是兩個PN結反向串聯，無論D與S之間加什么極性的電壓，總有一個PN結是反向偏置，漏極電流均接近于零。1.5.2場效應管的工作原理(1)UGS=01.增強型NMOS管P型硅襯底N++BSGD。耗盡層ID=0(2)0<UGS

<UGS(th)

由柵極指向襯底方向的電場使空穴向下移動,電子向上移動,在P型硅襯底的上表面形成耗盡層。仍然沒有漏極電流。UGSN+N+UDS1.增強型NMOS管UGS(th)：使

NMOS管導通的開啟電壓。P型硅襯底N++BSGD。UDS耗盡層ID

柵極下P型半導體表面形成N型導電溝道，當D、S加上正向電壓后可產生漏極電流ID。(3)UGS>UGS(th)N型導電溝道N+N+UGS1.增強型NMOS管

通過控制UGS來控制導電溝道的寬度，從而控制電流ID。N型硅襯底N++BSGD。耗盡層PMOS管結構示意圖P溝道PMOS管與NMOS管互為對偶關系，使用時UGS

、UDS的極性也與NMOS管相反。P+P+UGSUDSID2.增強型PMOS管3.耗盡型絕緣柵場效應管夾斷電壓UGS(off)為正值，UGS

<

UGS(off)時導通。

導電溝道在管子制成后就已存在，在漏源極加正向電壓，就會有漏極電流ID，對于耗盡型NMOS管：當UGS>0時，導電溝道變寬；UGS<0時導電溝道變窄。為了使UGS能從ID=0開始控制ID的大小，應使UGS<0，使ID=0的UGS稱為夾斷電壓UGS(off)。UGS

>

UGS(off)時管子導通，夾斷電壓UGS(off)為負值。對于耗盡型PMOS管：4321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增強型

NMOS

管的特性曲線

0123飽和區擊穿區可變電阻區246UGS

/

V1.5.3場效應管的特性曲線UGs(th)輸出特性轉移特性UDS/VID/mA（1）可變電阻區：UGS不變，ID與UDS成正比，漏源之間相當于一個受UGS電壓控制的可變電阻。夾斷區4321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增強型

NMOS

管的特性曲線

0123飽和區擊穿區可變電阻區246UGS

/

VUGs(th)輸出特性轉移特性UDS/VID/mA（2）飽和區（放大區）：UDS大于一定值，ID幾乎不隨UDS變化，ID

受UGS的控制。相當于電壓控制電流源。夾斷區4321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增強型

NMOS管的特性曲線

0123飽和區擊穿區可變電阻區246UGS

/

VUGs(th)輸出特性轉移特性UDS/VID/mA（3）擊穿區：UDS過大，ID急劇增加。夾斷區（4）夾斷區：UGS

<UGS(th)

，場效應管截止，ID=04321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增強型

NMOS管的特性曲線

0123飽和區擊穿區可變電阻區246UGS

/

VUGs(th)輸出特性轉移特性UDS/VID/mA轉移特性：

柵極對漏極電流的控制作用，場效應管是電壓控制器件。夾斷區1.5.4場效應管的微變等效電路SiO2P型硅襯底源極S柵極G漏極D襯底引線BN+N+DBSG符號

絕緣柵型場效應管的柵源之間為一層絕緣物質，即使在柵源之間加入電壓，柵源之間也沒有電流，管子的輸入電阻很高，認為柵源之間開路。1.5.4場效應管的微變等效電路DBSG符號場效應管工作在飽和區，表現出恒流特性，漏極電流的變化量ID與柵、源極間的電壓變化量UGS成比例變化，即場效應管小信號的微變等效電路gmugsidugs++udsDGS

輸出回路可等效為電壓控制的受控電流源。場效應管小信號的微變等效電路如圖所示在UDS=0時，柵源電壓與柵極電流的比值，其值很高。1.5.5絕緣柵場效應管的主要參數1.開啟電壓UGS(th)

指在一定的UDS下，開始出現漏極電流所需的柵源電壓。它是增強型MOS管的參數，NMOS為正，PMOS為負。2.夾斷電壓UGS(off)

指在一定的UDS下，使漏極電流近似等于零時所需的柵源電壓。是耗盡型MOS管的參數，NMOS管是負值，PMOS管是正值。3.直流輸入電阻RGS（DC）4.低頻跨導gm

UDS為常數時，漏極電流的微變量與引起這個變化的柵源電壓的微變量之比稱為跨導,即

另外，漏源極間的擊穿電壓U(BR)DS、柵源極間的擊穿電壓U(BR)GS以及漏極最大耗散功率PDM是管子的極限參數，使用時不可超過。gm=ID

/UGSUGS=常數

跨導是衡量場效應管柵源電壓對漏極電流控制能力的一個重要參數。1.6電力半導體器件

電力半導體器件是用來進行電能轉換，功率控制與處理的核心器件。它與前面介紹的半導體器件不同，一方面它必須要有高電壓，大電流的承受能力，另一方面必須以開關模式運行。電力半導體器件有很多種類和不同的分類方式，按照開通、關斷控制方式可分為三大類：（1）不控型。這是一類兩個極的器件，一端是正極，另一端是負極，其開通和關斷由兩個極所加電壓來決定，常見的有大功率二極管、快速恢復二極管等。（2）半控型。這類器件是三個極的器件，除了正負極外，還有一個控制極，它的開通可以通過控制極控制，但不能通過控制極控制關斷。這類器件主要有晶閘管。

1.6電力半導體器件

（3）全控型。這類器件也是三個極的器件，控制極不僅可以控制其開通，而且也能控制其關斷，這類器件是電力半導體器件的主導方向，代表這類器件有控制極可關斷晶閘管GTO，雙極型大功率晶體管BJT，絕緣柵型雙極晶體管IGBT等。晶閘管又稱可控硅（SCR），是一種大功率半導體器件，主要用于整流、逆變電路中，具有體積小，耐壓高的特點。5.6.1晶閘管1.晶閘管的基本結構及工作原理晶閘管結構示意圖及符號P1P2N1N2J1J2J3KAGGAKTIA

晶閘管是一個PNPN四層結構的半導體器件，有三個PN結J1、J2、J3，引出三個極，分別為陽極A，陰極K，控制極G。工作原理：

當晶閘管陽極A與陰極K兩端加正向電壓（uAK0），J2結處于反向偏置狀態，器件A、K兩端仍不導通，這種狀態稱為正向阻斷狀態。P1P2N1N2J1J2J3KAG

當在晶閘管陽極A與陰極K兩端加反向電壓（uAK0），J1、J3結處于反向偏置狀態，器件A、K兩端不導通，這種狀態稱為反向阻斷狀態。工作原理：

并且即使電壓uG消失，晶閘管仍可保持導通。因此控制極的作用只是使晶閘管觸發導通，導通后控制極就失去了控制用。晶閘管導通時，陽極與陰極之間的正向壓降一般為0.6~1.2V。

在這種情況下若在晶閘管的控制極G與陰極K間加一個正向電壓uG，又稱觸發電壓，且uG0，這個觸發電壓使晶閘管A、K兩端導通，晶閘管一旦導通，就顯示出了與二極管類似的正向特性。P1P2N1N2J1J2J3KAG

若要關斷晶閘管，可減小陽極電流IA到維持電流IH以下，使它由導通狀態變為正向阻斷狀態而關斷；或在陽極與陰極之間加反向電壓，使其由導通狀態變為反向阻斷狀態而關斷。

綜上所述，晶閘管的導通條件為：在陽極和陰極間加正向電壓，并在控制極和陰極之間加正向觸發電壓。晶閘管的關斷條件：使IAIH或在陽極與陰極間加反向電壓。因此可將晶閘管看成是一個可控的單向導電開關。

雙向晶閘管。它是可以兩個方向控制導通的晶閘管，其符號如圖所示。用T1和T2分別表示兩個極，G仍為控制極。GT1T2

實際上它相當于兩個反向并聯晶閘管的組合，只是共用一個控制極，通過在控制極施加正負電壓來控制晶閘管的雙向導通。雙向晶閘管GT1T2T2T1G通常uT2T10時，控制極與T1極間加正向電壓，即uGT10，雙向晶閘管為正向導通；uT2T10時，在控制極與T1極間加反向控制電壓，即uGT10，雙向晶閘管為反向導通。

晶閘管有兩個工作區域。當晶閘管承受反向電壓，且大小低于反向擊穿電壓UBR時，僅有極小的反向漏電電流，與二極管的反向特性類似。這時無論控制極是否有正向電壓，晶閘管均不會導通，處于反向阻斷狀態。晶閘管的特性曲線IAUAKUBRUDSMIG=0IG1IG2IH02.晶閘管的特性曲線

當反向電壓超過一定值并達到反向擊穿電壓時，會使反向漏電電流急劇增大，導致晶閘管損壞。IAUAKUBRUDSMIG=0IG1IG2IH0

當晶閘管兩端加入正向電壓、而控制極未加電壓時，IG＝0，晶閘管處于正向阻斷狀態，只有很小的正向漏電電流IA。若晶閘管兩端正向電壓增加到某一數值時（UDSM），電流IA突然急劇增加，晶閘管在沒有控制極電壓作用下，由正向阻斷變為導通，這個電壓UDSM稱為晶閘管的正向轉折電壓。

在正常工作時，一般不允許晶閘管上的正向電壓值達到UDSM，因為這將失去晶閘管控制極的作用，同時這種導通方法容易造成晶閘管的損壞。IAUAKUBRUDSMIG=0IG1IG2IH0

若在控制極上加觸發電壓，則產生控制極電流，即IG0，這會降低轉折電壓，電流IG越大，轉折電壓越低。電流IG從控制極流入晶閘管、從陰極流出晶閘管。雙向晶閘管的特性曲線在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向晶閘管特性曲線IUIG=00（1）

正向重復峰值電壓UDRMUDRM是指控制極開路時，允許重復加在晶閘管上的最大正向電壓，通常UDRM＝0.8UDSM3.晶閘管的主要參數(2)反向重復峰值電壓URRMURRM是指控制極開路時，允許重復加在晶閘管上的最大反向電壓，通常URRM＝0.8UBR。普通晶閘管的UDRM和URRM的值為100~3000V。(3)額定正向平均電流IF

IF是指在規定環境溫度和標準散熱及晶閘管全導通條件下，允許晶閘管連續通過的工頻正弦半波在一個周期內的平均值即（4）維持電流IHIH是指在控制極開路和規定環境溫度下，維持晶間管導通的最小電流。當晶閘管正向電流小于IH時，晶閘管將自行關閉。（5）控制極觸發電流IGIG是指在室溫和陽、陰極之間直流電壓為6V條件下，使晶閘管完全導通所需的最小控制極直流電流，從幾毫安至幾百毫安。（6）控制極觸發電壓UGUG是指使晶閘管正向導通時，控制極所加電壓，一般為1~5V。1.6.2晶閘管的應用1.單相半波可控整流電路(1)電阻性負載

當電源電壓為正半周時，晶閘管T承受正向電壓，在t1時刻，控制極加入觸發電壓uG，晶閘管從t1時刻開始導通，導通后負載上輸出電壓uo。當電壓u下降接近零時，晶閘管因正向電流小于維持電流而關斷。設電壓uoRLT+uTu~++iou0t0tuo0tuTuGuuGt1t2ioiouo

在u的負半周，晶閘管T承受反向電壓而阻斷。在下一個周期的同一時刻再次加入觸發電壓，重復前一個周期的過程。u0t0tuo0tuTuGuuGt1t2ioiououoRLT+uTu~++io稱為控制角，控制晶閘管的導通時刻，稱為導通角。在單相半波整流電路中與的關系為＝180－導通角越大，輸出電壓越高。整流電路輸出電壓平均值為輸出電流平均值為整流元件中流過的電流平均值

（2）電感性負載

由于電感的存在，使電流io不能發生躍變。當晶閘管剛觸發導通時，電流io將由0逐漸增加（因為電感元件中的感應電動勢阻礙電流變化）電流達到最大值的時間滯后于電壓uo達到最大值的時間。當電壓下降到零后，電流io并不為零，在u變為負值以后仍能使晶閘管導通，這時感應電動勢大于電壓u，且極性仍使晶閘管導通，只有當io降低到維持電流以下時，晶閘管才關斷。感性負載半波可控整流電路uoRLT+uTu~++io（a）L（b）u0t0tuo0tuTuGuuGt1t2ioiouo

在交流電壓u進入負半周以后，出現了一段晶閘管導通的時間，使輸出電壓uo出現了負值。電感越大，uo出現負值的時間越長，這樣會使輸出電壓uo的平均值下降。

為了避免這種情況出現，通常是在感性負載兩端并聯一個二極管（稱續流二極管）。當u為正半周時，二極管D截止。當u為負半周時，二極管D兩端承受正向偏壓而導通，這時負載電流io（由感應電動勢產生的）經二極管形成回路，則輸出電壓近似為零，晶閘管因承受反向電壓而關斷，（b）u0t0tuo0tuTuGuuGt1t2ioiououoRLT+uTu~++io（a）LD有續流二極管的感性負載半波可控整流電路2.單相半控橋式整流電路

（1）電阻性負載將單相橋式整流電路的兩個二極管用晶閘管替代，即構成了單相半控橋式整流電路。單相半控橋電阻性負載整流電路

當電壓u為正半周時，T1、D2承受正向偏壓，若在t1時刻對晶閘管T1的控制極加入觸發電壓，則T1和D2導通，形成輸出電壓uo（上“＋”下“－”），此時T2和D1承受反向偏壓而截止。uoioRLau~++T1T2D1D2buuG0t0tuo0tuT1uuGt1t2ioiouo

當u為負半周時。T2和D1承受正向偏壓。在t2時刻對晶閘管T2加入觸發電壓，則T2和D1導通，形成輸出電壓uo（仍為上“＋”下“－”）。此時T1和D2承受反向偏壓而截止。RLau~++T1T2D1D2buoio2.單相半控橋式整流電路整流電路接電阻性負載時的輸出電壓平均值為輸出電流平均值為整流元件中流過電流的平均值為

晶閘管和二極管所承受的最大正向電壓和反向電壓均為

（2）電感性負載單相半控橋電感性負載整流電路uoioRLu~++T1T2D1D2LDu0t0tuouuGt1t2ioiououuG

晶閘管和二極管所承受的最大正向電壓和反向電壓均為uo平均值負載電流Io的平均值仍為

由以上分析可以看出控制角增大，輸出電壓平均值減小，控制角減小，輸出電壓平均值增加。改變控制角，就改變了輸出電壓的大小。[例]單相半控橋電阻性負載整流電路，若RL＝10，U＝90V，試求＝30時，整流電壓平均值Uo和整流電流平均值Io及整流元件所承受的最大反向電壓。最大反向電壓[解]晶閘管是工作在開關狀態，存在著產生高電壓，大電流沖擊的可能，因此要在電路中加入保護環節，避免造成晶閘管的損壞。對晶閘管的保護主要有過電流和過電壓保護。

（1）過電流保護

快速熔斷器。快速熔斷器采用銀質熔絲以保證在電流發生過載或短路時在短時間內及時切斷電路，保護晶閘管不被損壞。快速熔斷器可與被保護元件串聯連接。過電流繼電器。過流繼電器只對電路過載時起保護作用，過流繼電器通常串聯接在輸入端或輸出端。3.晶閘管的保護過電壓保護。引起過電壓的原因是在具有電感元件的電路中，當切斷電路時，電路中電感元件會產生高電壓，極易引起晶閘管的損壞。阻容保護是經常采用的一種過壓保護措施，它是由電阻與電容的串聯來吸收過電壓，使元件上電壓上升速度減慢。RLRCLCCRRCRCR晶閘管過壓保護電路D1D2T1T2

除了在晶閘管的陽極與陰極之間加正向電壓外，還必須在控制極與陰極之間加觸發電壓，才能使晶閘管導通。提供觸發電壓的電路稱為觸發電路，所需觸發電壓是一系列的觸發脈沖信號。對觸發電路的要求如下：1.6.3晶閘管的觸發電路（1）有足夠的觸發功率。一般觸發電壓為4~10V，觸發電流為數十至數百毫安。（2）有足夠的觸發脈沖寬度，通常大于10s。并且觸發電壓波形的前沿要陡直。（3）觸發時間要準確，并與整流電路的交流電源同步。（4）觸發電壓能在足夠寬的范圍內平穩移動。1.單結晶體管的結構及工作原理單結晶體管符號B2PNB1EDRB2RB1B2B1EB2B1E

在一塊N型半導體上制成一個PN結，從P區引出發射極E，從N型半導體兩端引出兩個電極，分別稱為第一基極B1和第二基極B2

B1和B2兩個基極與N型半導體間有幾千歐的電阻，發射極對B1B2均形成PN結，PN結可等效為二極管D。基極B1與N型半導體間的電阻為RB1，RB1是一個可變電阻，基極B2與N型半導體間的電阻為RB2。單結晶體管單結晶體管等效電路0IEUEP截止區導通區UPVUVIPIVUEEDRB2RB1B2B1E+--+UBBUERAIE工作原理稱為單結體晶管的分壓比，一般在0.3~0.9之間。若UEVA＋UD，PN結處于反向偏置，單結晶體管的發射極電流IE0，單結晶體管處于截止狀態。當升高UE使UE＝UP＝VA＋UD，PN結進入導通狀態，UP為單結晶體管的峰點電壓，對應的發射極電流IP為峰點電流。A點電位為：0IEUEP截止區導通區UPVUVIPIVUEEDRB2RB1B2B1E+--+UBBUERAIE工作原理

當UEUP后，PN結正向導通，IE顯著增加，但由于RB1隨著PN結的導通而急劇下降，使VA下降，從而導致UE下降，這種UE下降而IE增加的現象稱為負阻現象。當UE下降到某一值（UV）時，PN結將自動關斷，UV稱為谷點電