標準解讀

《GB/T 4060-1983 硅多晶真空區熔基硼檢驗方法》是一項國家標準，專門用于指導硅多晶材料中硼含量的測定。該標準適用于采用真空區熔技術制備的硅多晶棒或塊材內微量至痕量級別硼雜質的檢測。

根據此標準規定的方法，首先需要將待測樣品加工成適合分析的形式，通常是通過機械手段將其制成粉末或者薄片狀。接著，在特定條件下使用化學試劑處理樣品，以便于后續分析步驟能夠有效進行。這些條件包括但不限于溫度、時間以及所使用的溶劑種類等參數的選擇。

關鍵步驟之一是利用分光光度法或其他適宜的技術來定量測定樣品中的硼濃度。這一步驟要求操作人員具備一定的專業知識和技術背景，以確保實驗結果準確可靠。同時，為了保證數據的有效性與可比性，《GB/T 4060-1983》還對實驗過程中的質量控制措施進行了詳細說明，比如通過設置空白對照組和標準樣品來進行校正，并且對于每批次測試都應實施重復性檢查。

此外，本標準也強調了實驗室環境條件的重要性，指出所有分析工作應在符合要求的清潔環境中開展，避免外界因素干擾最終結果。對于儀器設備的要求同樣嚴格，不僅需要定期維護保養，還要經過校準才能投入使用。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 4060-2007
  • 1983-12-20 頒布
  • 1984-12-01 實施
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UDC669.782:548：2:543.06中華人民共和國國家標準GB4060-83硅多晶真空區熔基硼檢驗方法Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzonee-melting：Onboron1983-12-20發布1984-12-01實施家標準局批批準

中華人民共和國國家標準UDC689.782:548.2:543.08硅多晶真空區熔基硼檢驗方法GB4060-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzone-meltingonboron本標準適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細硅芯上沉積硅多晶所生長出來的硅多晶棒.檢測雜質濃度有效范圍0.02～20ppba。P型電阻率范圍500～100000·cm。方法原理1.原理利用硅區熔時硅中磷硼的有效分系數的差別及磷硼從硅中蒸發速率的差別。1.2方法真空區熔法。2試樣制備2.1取樣部位除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10mm-一段外均可取樣（如圖1）。2.2試樣尺寸直徑10～40mm。長度70～200mm。2.3試樣處理2.3.1在化學純丙酮中洗樣去油。2.3.2用化學純乙醇清洗20～303后用電阻率大于10MQ的去離子水沖洗。2.3.3在優級純HF:HNO，1：（3～5）體積的混合酸液中腐蝕2min。在第二份優級純HF.HNO，1；（3～5）的混合酸液中腐蝕2min。2.8.42.3.5用電阻率大于10M0的去離子水沖洗試樣至中性。2.3.6將試樣經超聲波或用去離子水多次煮沸，洗滌，烘

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