ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

表面化學分析X射線光電子能譜

薄膜分析結果的報告

Surfacechemicalanalysis—X-rayphotoelectronspectroscopy—

Reportingofresultsofthin-filmanalysis

(ISO13424:2013,IDT)

2018-06-07發布2019-05-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

縮略語

4……………………1

薄膜分析綜述

5XPS………………………1

引言

5.1…………………1

常規

5.2XPS……………2

變角

5.3XPS……………3

峰形分析

5.4……………3

可變光子能量

5.5XPS…………………3

濺射深度剖析

5.6XPS…………………3

樣品處理

6…………………3

儀器和操作條件

7…………………………3

儀器校準

7.1……………3

操作條件

7.2……………4

方法實驗條件分析參數和分析結果的報告

8XPS、、……………………4

薄膜分析方法

8.1XPS…………………4

實驗條件

8.2……………4

分析參數

8.3……………5

匯總表示例

8.4…………………………6

分析結果

8.5……………8

附錄資料性附錄常規

A()XPS…………9

附錄資料性附錄變角

B()XPS………………………15

附錄資料性附錄峰形分析

C()…………20

附錄資料性附錄濺射深度剖析

D()XPS……………30

參考文獻

……………………32

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用翻譯法等同采用表面化學分析射線光電子能譜薄膜分析結果

ISO13424:2013《X

的報告

》。

本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標準主要起草單位廈門荷清教育咨詢有限公司清華大學化學系

:、。

本標準主要起草人湯丁亮李展平岑丹霞姚文清劉芬王水菊

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

引言

射線光電子能譜廣泛運用于材料表面的表征特別是基材上的覆蓋層薄膜可以使用

X(XPS),。

測定薄膜近表面區的化學組成如果薄膜具有均勻的厚度并且該厚度小于所測量光電子平均逃

XPS。,

逸深度的大約倍通過變角或者峰形分析可以測定薄膜的膜厚度以及膜中元素或者元

(MED)3,XPS,

素化學狀態的深度剖析對于較厚的膜采用濺射深度剖析可以獲得膜中元素的深度剖析如果

。,。XPS

系統具有足夠的橫向分辨率則可以測定膜厚度或者深度剖面中可能的橫向不均勻性這些應用

,。XPS

對于薄膜納米結構的表征特別有價值因為對于許多物質材料和常規測量條件而言通常小

,XPS,MED

于

5nm。

本標準的第章和第章為儀器的操作者在測定基材上覆蓋層薄膜的有意義的化學組成和

67XPS

膜厚度時所進行的有效測量提供了指導本標準的第章指出了數據的測量和分析報告中應包

。8XPS

括的信息附錄附錄附錄和附錄對于薄膜樣品的不同類型測量的數據分析方法提供

。A、B、CDXPS

了補充信息

。

Ⅱ

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

表面化學分析X射線光電子能譜

薄膜分析結果的報告

1范圍

本標準給出了采用對基材上薄膜的分析報告所需的最少信息量要求的說明這些分析涉及

XPS。

化學組成和均勻薄膜厚度的測量以及采用變角濺射深度剖析峰形分析和可變光子能量

,XPS、XPS、

的方式對非均勻薄膜作為深度函數的化學組成的測量

XPS。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學分析詞匯第部分通用術語及譜學術語

ISO18115-1:20101:(Surfacechemicalanaly-

sis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

3術語和定義

中界定的術語和定義適用于本文件

ISO18115-1:2010。

4縮略語

俄歇電子能譜

AES:(Augerelectronspectroscopy)

變角射線光電子能譜

ARXPS:X(Angle-resolvedX-rayphotoelectronspectroscopy)

非彈性平均自由程

IMFP:(Inelasticmeanfreepath)

平均逃逸深度

MED:(Meanescapedepth)

相對靈敏度因子

RSF:(Relativesensitivityfactor)

遷移平均自由程

TRMFP:(Transportmeanfreepath)

射線光電子能譜

XPS:X(X-rayphotoelectronspectroscopy)

5XPS薄膜分析綜述

51引言

.

基材上薄膜的分析可以提供化學組成隨深度變化以及薄膜厚度的信息如果總膜厚小于所

XPS。

檢測的光電子的