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中華人民共和國國家標準

GB/T32281—2015

太陽能級硅片和硅料中氧碳硼和

、、

磷量的測定二次離子質譜法

Testmethodformeasurinoxencarbonboronandhoshorusinsolar

gyg,,pp

siliconwafersandfeedstock—Secondaryionmassspectrometry

2015-12-10發布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32281—2015

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司北京合能陽光新能源技術有限公司中鋁寧

:、、

夏能源集團有限公司寧夏銀星多晶硅有限責任公司洛陽鴻泰半導體有限公司新特能源股份有限

、、、

公司

。

本標準主要起草人薛抗美夏根平肖宗杰盛之林范占軍蔣建國林清香徐自亮王澤林

:、、、、、、、、、

宋高杰劉國霞

、。

Ⅰ

GB/T32281—2015

太陽能級硅片和硅料中氧碳硼和

、、

磷量的測定二次離子質譜法

1范圍

本標準規定了太陽能級硅片和硅料中氧碳硼和磷元素體含量的二次離子質譜檢測方法

、、(SIMS)。

本標準適用于檢測各元素體含量不隨深度變化且不考慮補償的太陽能級單晶或多晶硅片或硅料

、

中氧碳硼和磷元素的體含量各元素體含量的檢測上限均為即203檢測

、、。0.2%(<1×10atoms/cm),

下限分別為氧含量163碳含量163硼含量143和

≥5×10atoms/cm、≥1×10atoms/cm、≥1×10atoms/cm

磷含量143四種元素體含量的測定可使用配有銫一次離子源的儀器一次

≥2×10atoms/cm。SIMS

完成

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導體材料術語

GB/T14264

有關表面分析的術語

ASTME673(Terminologyrelatingtosurfaceanalysis)

3術語和定義

和界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264ASTME673。

4方法提要

41將機械拋光后具有平坦分析表面的多晶硅或硅單晶樣品一個或多個標準樣品及測試樣品裝入

.()

樣品架內樣品架在空氣氣氛中烘烤后送入儀器的分析室

。100℃1h,SIMS。

42用銫一次離子束轟擊標準樣品表面分析16121128和31的負離子譜圖計算硅中氧

.(Cs),O、C、BSiP,、

碳硼和磷的相對靈敏度因子

、(RSF)。

43為減少儀器的氧碳背景含量用銫一次離子束對樣品架中所有樣品進行預濺射二次離子強度不

.、,,

做分析預濺射時間的長短取決于儀器和所需的氧碳背景含量

。、。

44用銫一次離子束以兩個不同濺射速率轟擊每個樣品同一測量區域通過降低波束光柵面積調整第

.,

二次濺射速率

。

45為了達到最優的測試能力兩個濺射速率以及濺射測量時間取決于所使用的儀器通常第二個

.,。,

濺射速率采用儀器最大濺射速率第一個濺射速率的數值低于第二個濺射速率的二分之一

,。

46負的二次離子16121128和31經過質譜儀質量分析被電子倍增器或者同樣高靈敏度

.O、C、BSiP,(EM)

的離子探測器檢測二次離子計數強度是時間的函數硅的基體元素如28的負二次離子計數率由

,。(Si)

法拉第杯或其他合適的探測器檢測如果測試過程中使用多個檢測器應通過測試標準離子信

(FC)。