標準解讀

《GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化鎵襯底》是一項國家標準，它針對用于LED外延生長的磷化鎵（GaP）襯底材料制定了詳細的技術要求和測試方法。該標準適用于以磷化鎵作為基材生產的各種類型的LED外延片制造過程中的質量控制。

標準首先定義了相關術語與定義，明確了“磷化鎵襯底”、“位錯密度”等專業詞匯的確切含義。接著，在技術要求部分，對磷化鎵襯底的關鍵性能指標進行了規定，包括但不限于尺寸精度、表面粗糙度、晶體完整性以及電學特性等方面的要求。例如，對于直徑小于等于兩英寸的圓片，其厚度偏差不應超過±0.05mm；而直徑大于兩英寸但不超過四英寸時，則允許的最大厚度偏差放寬至±0.1mm。

此外，《GB/T 30855-2014》還列出了詳細的試驗方法來檢測上述各項指標是否達標。這些方法涵蓋了外觀檢查、幾何參數測量、X射線衍射分析等多個方面，確保能夠全面準確地評估磷化鎵襯底的質量狀況。通過采用標準化的測試流程，可以有效保證不同廠家生產的產品之間具有良好的可比性和一致性。

最后，該文件也提供了關于包裝、標志及運輸等方面的指導原則，旨在保護產品在整個供應鏈過程中免受損害，并便于用戶識別和使用。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-04-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T30855—2014

LED外延芯片用磷化鎵襯底

GaPsubstratesforLEDepitaxialchips

2014-07-24發布2015-04-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30855—2014

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會及材料分技術委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準主要起草單位中國科學院半導體研究所有研光電新材料有限公司云南中科鑫圓晶體材

:、、

料有限公司

。

本標準主要起草人趙有文提劉旺林泉惠峰趙堅強

:、、、、。

Ⅰ

GB/T30855—2014

LED外延芯片用磷化鎵襯底

1范圍

本標準規定了外延芯片用磷化鎵單晶襯底片以下簡稱襯底的要求檢驗方法以及標志包

LED()、、

裝運輸儲存質量證明書與訂貨單或合同內容

、、、()。

本標準適用于外延芯片的磷化鎵單晶襯底

LED。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲運圖示標志

GB/T191

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

GB/T4326

半導體硅片電阻率及硅薄膜層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

磷化鎵單晶片規范

GJB3076—1997

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分類

.

磷化鎵襯底按導電類型分為型和型兩種類型

np。

42牌號

.

磷化鎵襯底牌號

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